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IC-Hersteller Qorvo

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ReferenzdesignACT85411 | Demoboard ACT85411EVK1-101

Qorvo ACT85411 | Demoboard ACT85411EVK1-101

ACT85411EVK1-101 User’s Guide

Details

TopologieAbwärtswandler
IC-Revision00

Typische Anwendungen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Montageart
ISAT,10%(A)
IR,40K(A)
Bauform
Version
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
Z(mΩ)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
Technische Artikelnummer
VDC(V)
VBR(V)
IPeak(A)
PDiss(W)
VClamp max.(V)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74439344010
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 12 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität1 µH
Nennstrom12 A
–
Gleichstromwiderstand6.05 mΩ
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
Performance Nennstrom15.75 A
Sättigungsstrom @ 30%24.95 A
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 111 A
Nennstrom12 A
Bauform6030 
VersionSMT 
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge6.65 mm
–
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
74439344022
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität2.2 µH
Nennstrom8 A
–
Gleichstromwiderstand11.55 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Performance Nennstrom10.85 A
Sättigungsstrom @ 30%16.25 A
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 17.5 A
Nennstrom8 A
Bauform6030 
VersionSMT 
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge6.65 mm
–
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
7447709004
SPECWE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, 9.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD Speicherdrossel
Induktivität4.7 µH
Nennstrom9.3 A
–
Gleichstromwiderstand11 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
Performance Nennstrom13.1 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand7 mΩ
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 113 A
Nennstrom9.3 A
Bauform1210 
VersionGestanzt 
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Länge12 mm
–
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–
–Verfügbarkeit prüfen
74438357047
SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.9 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3.9 A
Sättigungsstrom6.4 A
Gleichstromwiderstand44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
Performance Nennstrom5.1 A
Sättigungsstrom @ 30%8.2 A
Gleichstromwiderstand39.9 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 14.15 A
Nennstrom0 A
Bauform4030 
VersionSMT 
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–
Länge4.3 mm
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–
–Verfügbarkeit prüfen
74405020047
SPECWE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 0.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor
Induktivität4.7 µH
Nennstrom0.8 A
Sättigungsstrom1.5 A
Gleichstromwiderstand444 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
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Gleichstromwiderstand370 mΩ
–
MontageartSMT 
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Bauform2010 
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–
Länge2 mm
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–
–Verfügbarkeit prüfen
865080553014
SPECWCAP-ASLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-ASLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren
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MontageartV-Chip SMT 
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Bauform8.0 x 10.5 
VersionSMT 
Kapazität220 µF
Nennspannung35 V (DC)
Endurance 2000
Rippelstrom570 mA
Impedanz210 mΩ
Leckstrom77 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser8 mm
Länge10.5 mm
Verpackung15" Tape & Reel 
Technische ArtikelnummerASEE105221M035DVCTEB000 
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–
–Verfügbarkeit prüfen
824500151
SPECWE-TVSP Power TVS Diode, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TVSP Power TVS Diode
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MontageartSMT 
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BauformDO-214AC 
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Leckstrom1 µA
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Länge4.24 mm
–
Technische ArtikelnummerSMAJ15A 
DC Betriebsspannung15 V
(Rückwärts-) Durchbruchspannung17.6 V
(Reverse) Peak Pulse Current16.4 A
Verlustleistung400 W
Klemmspannung [max.]24.2 V
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