IC-Hersteller Qorvo

IC-Hersteller (103)

Qorvo ACT85411 | Demoboard ACT85411EVK1-101

ACT85411EVK1-101 User’s Guide

Details

TopologieAbwärtswandler
IC-Revision00

Typische Anwendungen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
Montageart
ISAT,10%(A)
IR,40K(A)
Bauform
Version
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
Z(mΩ)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
Technische Artikelnummer
VDC(V)
VBR(V)
IPeak(A)
PDiss(W)
VClamp max.(V)
Muster
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 12 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom12 A
Gleichstromwiderstand6.05 mΩ
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
Performance Nennstrom15.75 A
Sättigungsstrom @ 30%24.95 A
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 111 A
Nennstrom12 A
Bauform6030 
VersionSMT 
Länge6.65 mm
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom8 A
Gleichstromwiderstand11.55 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Performance Nennstrom10.85 A
Sättigungsstrom @ 30%16.25 A
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 17.5 A
Nennstrom8 A
Bauform6030 
VersionSMT 
Länge6.65 mm
WE-PD Speicherdrossel, 4.7 µH, 9.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom9.3 A
Gleichstromwiderstand11 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
Performance Nennstrom13.1 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand7 mΩ
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 113 A
Nennstrom9.3 A
Bauform1210 
VersionGestanzt 
Länge12 mm
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3.9 A
Sättigungsstrom6.4 A
Gleichstromwiderstand44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
Performance Nennstrom5.1 A
Sättigungsstrom @ 30%8.2 A
Gleichstromwiderstand39.9 mΩ
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 14.15 A
Nennstrom0 A
Bauform4030 
VersionSMT 
Länge4.3 mm
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom0.8 A
Sättigungsstrom1.5 A
Gleichstromwiderstand444 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Gleichstromwiderstand370 mΩ
MontageartSMT 
Bauform2010 
Länge2 mm
WCAP-ASLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartV-Chip SMT 
Bauform8.0 x 10.5 
VersionSMT 
Kapazität220 µF
Nennspannung35 V (DC)
Endurance 2000
Rippelstrom570 mA
Impedanz210 mΩ
Leckstrom77 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser8 mm
Länge10.5 mm
Verpackung15" Tape & Reel 
Technische ArtikelnummerASEE105221M035DVCTEB000 
WE-TVSP Power TVS Diode, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartSMT 
BauformDO-214AC 
Leckstrom1 µA
Länge4.24 mm
Technische ArtikelnummerSMAJ15A 
DC Betriebsspannung15 V
(Rückwärts-) Durchbruchspannung17.6 V
(Reverse) Peak Pulse Current16.4 A
Verlustleistung400 W
Klemmspannung [max.]24.2 V