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Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | IR(A) | ISAT(A) | ISAT,10%(A) | RDC max.(mΩ) | Q(%) | xPxC | Typ | Schirmung | Tab | EMI | LED | Anwendungssystem | Arbeitsspannung(V (AC)) | Verpackung | Version | Vin | VOut1(V) | IOut1(A) | VOut2(V) | IOut2(A) | VOut3(V) | IOut3(A) | L(µH) | n | VT(V (AC)) | Bauform | Montageart | Datenrate | Ports | PoE | Improved CMRR | Betriebstemperatur | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.7 A, 10.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Performance Nennstrom8.7 A | Sättigungsstrom @ 30%10.5 A | Gleichstromwiderstand14 mΩ | Eigenresonanzfrequenz140 MHz | Betriebsspannung80 V | Nennstrom5.5 A | Sättigungsstrom8.3 A | Sättigungsstrom 15.45 A | Gleichstromwiderstand17 mΩ | – | – | – | Schirmunggeschirmt | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität0.33 µH | – | – | Bauform3020 | MontageartSMT | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
 | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 13.4 A, 25.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Performance Nennstrom13.4 A | Sättigungsstrom @ 30%25.8 A | Gleichstromwiderstand6.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | Betriebsspannung120 V | – | – | Sättigungsstrom 113 A | Gleichstromwiderstand6.5 mΩ | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität1 µH | – | – | Bauform7050 | MontageartSMT | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
 | WE-LQ SMT-Induktivität, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | Betriebsspannung120 V | Nennstrom0.29 A | Sättigungsstrom0.78 A | – | Gleichstromwiderstand700 mΩ | Güte35 % | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität12 µH | – | – | Bauform1210 | MontageartSMT | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | – | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | – | Nennstrom1.12 A | Sättigungsstrom0.95 A | – | Gleichstromwiderstand125 mΩ | – | – | – | Schirmunggeschirmt | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität12 µH | – | – | Bauform4828 | MontageartSMT | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | – | – | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | – | Nennstrom1.15 A | Sättigungsstrom0.9 A | – | Gleichstromwiderstand120 mΩ | – | – | – | Schirmunggeschirmt | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität22 µH | – | – | Bauform5828 | MontageartSMT | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | – | – | Gleichstromwiderstand53 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | – | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom1.4 A | – | Gleichstromwiderstand70 mΩ | – | – | – | Schirmunggeschirmt | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität10 µH | – | – | Bauform6823 | MontageartSMT | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | ||||
 | WE-PoE Übertrager für Power over Ethernet, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PoE Übertrager für Power over Ethernet | – | – | – | – | – | – | Sättigungsstrom1 A | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionFlyback | Input Voltage 36 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 112 V | Ausgangsstrom 11.2 A | Ausgangsspannung 25 V | Ausgangsstrom 22.8 A | Ausgangsspannung 33.3 V | Ausgangsstrom 34.3 A | Induktivität120 µH | Übersetzungsverhältnis15:1.5:1:3:5 | Prüfspannung1500 V (AC) | BauformEFD15 | MontageartSMT | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | |||
 | WE-LAN LAN Übertrager, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LAN LAN Übertrager | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | TypGestanzt | – | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität350 µH | Übersetzungsverhältnis1:1 | Prüfspannung1500 V (AC) | – | MontageartSMT | Datenrate1000 Base-T | Ports1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | ||||
 | WR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT, –, – | Simulation– | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT | – | – | – | – | – | Nennstrom1.5 A | – | – | – | – | Anzahl der Pins (xPxC)8P8C | TypHorizontal | Schirmunggeschirmt | Tab PositionOben | EMI FingerJa | LED (Links-Rechts)gelb-grün | AnwendungssystemCAT 3 | Arbeitsspannung120 V (AC) | VerpackungTray | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | Ports1x4 | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | ||
 | 750510652 | –, –, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität470 µH | – | Prüfspannung1875 V (AC) | BauformEP7 | MontageartSMT | – | – | – | – | – |