VCh max. 3.3 bis 24 VCCh typ. 12 bis 830 pFVESD Contact 10 bis 30 kV
WE-TVS TVS Diode – High Speed Series
VCh max. 3.3 bis 5 VCCh typ. 1 bis 3 pFVESD Contact 8 bis 30 kV
WE-TVS TVS Diode – Super Speed Series
VCh max. 3.3 bis 5 VCCh typ. 0.18 bis 0.55 pFVESD Contact 8 bis 15 kV
WE-VE ESD Suppressor
CCh typ. 1 bis 100 pFVESD Contact 8 kV
WE-VE ULC ESD Suppressor
CCh typ. 0.2 pFVESD Contact 8 kV
WE-VE femtoF
CCh typ. 0.05 pFVESD Contact 8 kV
WE-VEA ESD Suppressor-Array
CCh typ. 10 bis 120 pFVESD Contact 8 kV
Neues ESD-Diodenmodell (auch mit Snapback erhältlich)
Auf realen Messdaten basierend
In Zusammenarbeit mit dem IFE der TU Graz bietet WE nun ein Diodenmodell für alle ESD-Schutzbauelemente an, das auf realen Messdaten mit TLP (Transmission Line Pulsing) basiert, um das tatsächliche Verhalten der Bauelemente unter ESD-Bedingungen zu erfassen. Herkömmliche Modelle verwenden oft vereinfachte Näherungswerte, wie in der gestrichelten Linie dargestellt, während dieses Modell die tatsächlichen transienten Eigenschaften wie Snapback-Verzögerung und Leitfähigkeit widerspiegelt. Unser Modell kann nun auch das Snapback-Verhalten simulieren.
Wesentliche Vorteile:
Simulation des tatsächlichen transienten Verhaltens, um Designs unter realistischen Bedingungen zu testen und einen robusten ESD-Schutz zu gewährleisten.
Fertige Simulationsdateien vereinfachen die Integration in SPICE-basierte Analysen, beschleunigen Designzyklen und die Markteinführung.
Zuverlässige Simulationen reduzieren den Testaufwand, die Entwicklungszyklen und das Risiko von Produktrückrufen aufgrund von ESD-Schwachstellen, während sie gleichzeitig Einblicke in das Bauteilverhalten liefern, um Designoptimierungen zu ermöglichen und eine konsistente ESD-Beständigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, von Unterhaltungselektronik bis hin zu Industriegeräten, sicherzustellen.
