|
|
2.5/5G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
2.5/5G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
2.5/5G Base-T, 1, 4PPoE (bis zu 1500 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
2.5/5G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 1500 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-TX, 1, non-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-TX
|
Ports
1
|
PoE
non-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-TX, 1, non-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-TX
|
Ports
1
|
PoE
non-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
10/100BASE-TX, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-TX
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-TX, 1, non-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-TX
|
Ports
1
|
PoE
non-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
10/100BASE-TX, 1, PoE+ (bis zu 720 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-TX
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 720 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 600 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 1 A)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
180 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 600 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 1 A)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 1, 4PPoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 1, 4PPoE (bis zu 600 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 600 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 1, 4PPoE (bis zu 1000 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 1000 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 0.5, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
0.5
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 1, 4PPoE (bis zu 800 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 800 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-TX, 1, non-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-TX
|
Ports
1
|
PoE
non-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
180 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-TX, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-TX
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
2500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000 Base-T, 10/100 Base-T1
|
–
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T, 1000 Base-T1
|
–
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100BASE-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
180 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 720 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
150 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10/100/1000BASE-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1G/10GBase-T
|
–
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
110 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1GBase-T
|
–
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10/100/1G/10GBase-T
|
–
|
PoE
PoE+ (bis zu 600 mA)
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
110 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Ja
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, 4PPoE (bis zu 1500 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 1500 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
180 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000 Base-T, 2, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
2
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, 4PPoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000BASE-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000BASE-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, 4PPoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, 4PPoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
4PPoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
1000 Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
350 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
180 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
1000 Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 720 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
150 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 1, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
1
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 1, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
1
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 1, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
1
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 2, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
2
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 2, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
2
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 2, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
2
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 2, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
2
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 2, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
2
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
BMS, 1, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
BMS
|
Ports
1
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
–
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
450 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
–, –, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
–
|
–
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
400 V (RMS)
|
–
|
Induktivität
300 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
–, –, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
–
|
–
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
400 V (RMS)
|
–
|
Induktivität
2000 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
–, 1, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
–
|
Ports
1
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
Prüfspannung
4500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
20 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
–, 1, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
–
|
Ports
1
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
Prüfspannung
4500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
20 µH
|
–
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
–, –, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Neu
i
| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
–
|
–
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
Prüfspannung
2250 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
2200 µH
|
Koppelkapazität
18 pF
|
|
Design Kit
–
|
|
|
|
–, –, –
|
Simulation
–
|
|
Status
Neu
i
| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
–
|
–
|
–
|
–
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +125 °C
|
Prüfspannung
2250 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
2200 µH
|
Koppelkapazität
18 pF
|
|
Design Kit
–
|
|