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WE-HIDA THT-Hochstrominduktivität
WE-HIDA THT-Hochstrominduktivität
Digital AudioL 8.2 bis 22 µHIR 5.7 bis 19 A
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
Digital AudioL 8.2 bis 22 µHIR 2 bis 7 A
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
GeschirmtL 0.7 bis 470 µHIR 11.2 bis 86.2 A
ERW.
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität
WE-HCFT THT-HochstrominduktivitätERWEITERT
GeschirmtL 0.6 bis 110 µHIR 17.2 bis 75 A
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
RDC1 max.(mΩ)
RDC 1(mΩ)
Material
LR(µH)
fres(MHz)
Montageart
Produktserie
Design Kit
Muster
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität0.6 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.6 µH
Eigenresonanzfrequenz133.1 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität0.7 µH, 32 A, 75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.7 µH
Nennstrom32 A
Sättigungsstrom75 A
Gleichstromwiderstand0.91 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität0.7 µH
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1 µH, 86.2 A, 125 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom86.2 A
Sättigungsstrom125 A
Gleichstromwiderstand0.48 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53.6 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1 µH, 39 A, 33 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom39 A
Sättigungsstrom33 A
Gleichstromwiderstand0.95 mΩ
MaterialFlachdraht 
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1 µH, 50.3 A, 56 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom50.3 A
Sättigungsstrom56 A
Gleichstromwiderstand0.92 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Eigenresonanzfrequenz90.38 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1.2 µH, 50.3 A, 47 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom50.3 A
Sättigungsstrom47 A
Gleichstromwiderstand0.92 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Eigenresonanzfrequenz89.75 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1.4 µH, 31.5 A, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.4 µH
Nennstrom31.5 A
Sättigungsstrom60 A
Gleichstromwiderstand1.19 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität1.39 µH
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1.5 µH, 44 A, 125 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom125 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz43.24 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1.5 µH, 75 A, 125 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom75 A
Sättigungsstrom125 A
Gleichstromwiderstand0.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität1.5 µH, 86.2 A, 91.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom86.2 A
Sättigungsstrom91.8 A
Gleichstromwiderstand0.48 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37.6 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität2 µH, 50.3 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Nennstrom50.3 A
Sättigungsstrom30 A
Gleichstromwiderstand0.92 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Eigenresonanzfrequenz50.94 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität2.2 µH, 28 A, 52 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom28 A
Sättigungsstrom52 A
Gleichstromwiderstand1.65 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität2.19 µH
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität2.2 µH, 44 A, 88.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom88.5 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz32.8 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität2.2 µH, 75 A, 120 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom75 A
Sättigungsstrom120 A
Gleichstromwiderstand0.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität2.2 µH, 30 A, 23.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom30 A
Sättigungsstrom23.8 A
Gleichstromwiderstand1.96 mΩ
MaterialFlachdraht 
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität2.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Eigenresonanzfrequenz62.24 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.1 µH, 26 A, 45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.1 µH
Nennstrom26 A
Sättigungsstrom45 A
Gleichstromwiderstand2.3 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität3.07 µH
Eigenresonanzfrequenz29 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.2 µH
Eigenresonanzfrequenz28.71 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.3 µH, 35 A, 100 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom35 A
Sättigungsstrom100 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität3.3 µH
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.3 µH, 44 A, 60.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom60.5 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz26.44 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.3 µH, 28.7 A, 43 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom28.7 A
Sättigungsstrom43 A
Gleichstromwiderstand2.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.3 µH, 75 A, 91 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom75 A
Sättigungsstrom91 A
Gleichstromwiderstand0.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.3 µH, 59.2 A, 70 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom59.2 A
Sättigungsstrom70 A
Gleichstromwiderstand0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28.2 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.3 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Eigenresonanzfrequenz30.55 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.3 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Eigenresonanzfrequenz45.61 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität3.6 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 µH
Eigenresonanzfrequenz34.6 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.2 µH, 24 A, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.2 µH
Nennstrom24 A
Sättigungsstrom38 A
Gleichstromwiderstand3.34 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität4.14 µH
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.2 µH
Eigenresonanzfrequenz32.74 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.3 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 µH
Eigenresonanzfrequenz23.66 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, 35 A, 78 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom35 A
Sättigungsstrom78 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, 44 A, 44 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom44 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz21.56 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, 28.7 A, 29.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom28.7 A
Sättigungsstrom29.8 A
Gleichstromwiderstand2.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, 59.2 A, 49.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom59.2 A
Sättigungsstrom49.5 A
Gleichstromwiderstand0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22.6 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, 24 A, 14 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom24 A
Sättigungsstrom14 A
Gleichstromwiderstand3.05 mΩ
MaterialFlachdraht 
Eigenresonanzfrequenz14.5 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz27.36 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz30.55 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität4.7 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz35.08 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität5.5 µH, 22 A, 33 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.5 µH
Nennstrom22 A
Sättigungsstrom33 A
Gleichstromwiderstand4.4 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität5.4 µH
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Eigenresonanzfrequenz26.8 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.5 µH
Eigenresonanzfrequenz30.34 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.5 µH
Eigenresonanzfrequenz19.64 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.8 µH, 35 A, 55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom35 A
Sättigungsstrom55 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität6.75 µH
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.8 µH, 44 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom30 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz17.03 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.8 µH, 20.6 A, 30.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom20.6 A
Sättigungsstrom30.6 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.8 µH, 56.7 A, 76.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom56.7 A
Sättigungsstrom76.5 A
Gleichstromwiderstand1.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.8 µH, 59.2 A, 36.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom59.2 A
Sättigungsstrom36.3 A
Gleichstromwiderstand0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18.8 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.8 µH, 20 A, 12.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom20 A
Sättigungsstrom12.6 A
Gleichstromwiderstand4.63 mΩ
MaterialFlachdraht 
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität6.8 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Eigenresonanzfrequenz26.98 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität7 µH, 21 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7 µH
Nennstrom21 A
Sättigungsstrom30 A
Gleichstromwiderstand6.17 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität6.83 µH
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität7.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 µH
Eigenresonanzfrequenz20.47 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität7.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 µH
Eigenresonanzfrequenz19.77 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 20.6 A, 25.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom20.6 A
Sättigungsstrom25.6 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 10 A, 17.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom10 A
Sättigungsstrom17.5 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 10 A, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom10 A
Sättigungsstrom34 A
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 19 A, 52 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom19 A
Sättigungsstrom52 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 6.7 A, 16 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom16 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 8.5 A, 16 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom16 A
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 3.5 A, 20 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom20 A
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, 7 A, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom7 A
Sättigungsstrom25 A
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Eigenresonanzfrequenz25.19 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität8.6 µH, 17 A, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.6 µH
Nennstrom17 A
Sättigungsstrom25 A
Gleichstromwiderstand7.91 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität8.46 µH
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 16 A, 23 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom16 A
Sättigungsstrom23 A
Gleichstromwiderstand8.76 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität9.8 µH
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 35 A, 37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom35 A
Sättigungsstrom37 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität9.5 µH
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 44 A, 21.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom21.5 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz13.55 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 20.6 A, 20.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom20.6 A
Sättigungsstrom20.6 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 56.7 A, 62 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom56.7 A
Sättigungsstrom62 A
Gleichstromwiderstand1.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 59.2 A, 25.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom59.2 A
Sättigungsstrom25.1 A
Gleichstromwiderstand0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 9 A, 13.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom9 A
Sättigungsstrom13.5 A
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 10 A, 28 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom10 A
Sättigungsstrom28 A
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 11 A, 58 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom11 A
Sättigungsstrom58 A
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 6.7 A, 12.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom12.5 A
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 8.5 A, 13.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom13.5 A
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 3.2 A, 18 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom18 A
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 6 A, 21 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom6 A
Sättigungsstrom21 A
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, 20 A, 8.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom20 A
Sättigungsstrom8.8 A
Gleichstromwiderstand4.63 mΩ
MaterialFlachdraht 
Eigenresonanzfrequenz8.4 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Eigenresonanzfrequenz23.66 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Eigenresonanzfrequenz18.97 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität10 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Eigenresonanzfrequenz16.76 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität11 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität11 µH
Eigenresonanzfrequenz16.64 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 14 A, 21 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom14 A
Sättigungsstrom21 A
Gleichstromwiderstand9.57 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität14.7 µH
Eigenresonanzfrequenz12.8 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 35 A, 26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom35 A
Sättigungsstrom26 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität5 µH
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 44 A, 14.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom14.3 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.31 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz10.73 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 20.6 A, 12.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom20.6 A
Sättigungsstrom12.9 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 45.3 A, 51.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom45.3 A
Sättigungsstrom51.6 A
Gleichstromwiderstand2.16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 8 A, 10 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom8 A
Sättigungsstrom10 A
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 10 A, 18 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom10 A
Sättigungsstrom18 A
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 11 A, 41 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom11 A
Sättigungsstrom41 A
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 5.8 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom5.8 A
Sättigungsstrom9.5 A
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 8 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom8 A
Sättigungsstrom9.5 A
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 2.5 A, 15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom15 A
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, 4.5 A, 16 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom16 A
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität15 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Eigenresonanzfrequenz16.41 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität18 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Eigenresonanzfrequenz12.37 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität22 µH, 12.5 A, 15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom12.5 A
Sättigungsstrom15 A
Gleichstromwiderstand11.72 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität21.1 µH
Eigenresonanzfrequenz12.5 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität22 µH, 35 A, 18 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom35 A
Sättigungsstrom18 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ
MaterialMnZn 
Nenninduktivität5 µH
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität22 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand5.39 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität22 µH, 44 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom44 A
Sättigungsstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1]1.44 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz8.06 MHz
MontageartSMT 
Design Kit