Bauform Maße L
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Material Montageart
2010
19.8 19.1 10 MnZn SMT
2013
20.8 20.5 13.5 MnZn SMT
2815
27 28 15.4 MnZn SMT
2818
27 28 18.5 MnZn SMT
2920 litz wire
25 28 20.5 MnZn SMT
2920 round wire
25 28 20.5 MnZn SMT

Merkmale

  • Sättigungsstrom bis zu 125 A
  • Auswahl an Flach-, Rund- und Litzendraht zur Optimierung der DC- und AC-Verluste
  • Induktivitätswerte von 0.7 µH bis 680 µH
  • Geringe Kernverluste (MnZn)
  • Magnetisch geschirmt
  • Litz- und Runddraht: Trägerplatte für planare SMT-Bestückung
  • Betriebstemperatur: -40°C bis +125°C

Anwendung

  • Speicherinduktivtät für hocheffiziente DC/DC‑Wandler (hohe Ripple-Ströme und typische Frequenzen von 20–300 kHz)
  • Resonante Schaltnetzteile (SMPS) (hohe Frequenzen und geringere Gleichstrom-Vormagnetisierung)
  • Filter für Audioanwendungen (niedrige Frequenzen, Schwerpunkt auf Linearität und geringer Verzerrung)

Artikeldaten

Alle
2010
2013
2815
2818
2920 litz wire
2920 round wire
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L (µH)
IRP,40K (A)
ISAT,10% (A)
ISAT,30% (A)
RDC max. (mΩ)
fres (MHz)
Drahttype
Muster
7443630070
0.7 µH, 54.7 A, 63 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.7 µH
Performance Nennstrom 54.7 A
Sättigungsstrom 1 63 A
Sättigungsstrom @ 30% 75 A
Gleichstromwiderstand 0.91 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 65 MHz
Drahttype Flach 
7443640100B
1 µH, 86.2 A, 122 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Performance Nennstrom 86.2 A
Sättigungsstrom 1 122 A
Sättigungsstrom @ 30% 125 A
Gleichstromwiderstand 0.48 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 53.6 MHz
Drahttype Flach 
7443642010100
1 µH, 50.3 A, 49 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Performance Nennstrom 50.3 A
Sättigungsstrom 1 49 A
Sättigungsstrom @ 30% 56 A
Gleichstromwiderstand 0.92 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 44 MHz
Drahttype Flach 
7443642010120
1.2 µH, 50.3 A, 42.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Performance Nennstrom 50.3 A
Sättigungsstrom 1 42.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 47 A
Gleichstromwiderstand 0.92 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 42 MHz
Drahttype Flach 
7443630140
1.4 µH, 47.1 A, 55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.4 µH
Performance Nennstrom 47.1 A
Sättigungsstrom 1 55 A
Sättigungsstrom @ 30% 60 A
Gleichstromwiderstand 1.19 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 52 MHz
Drahttype Flach 
74436410150
1.5 µH, 44 A, 110 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 110 A
Sättigungsstrom @ 30% 125 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 43.24 MHz
Drahttype Flach 
7443640150B
1.5 µH, 86.2 A, 85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Performance Nennstrom 86.2 A
Sättigungsstrom 1 85 A
Sättigungsstrom @ 30% 91.8 A
Gleichstromwiderstand 0.48 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 37.6 MHz
Drahttype Flach 
7443642010200
2 µH, 50.3 A, 25.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 µH
Performance Nennstrom 50.3 A
Sättigungsstrom 1 25.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 30 A
Gleichstromwiderstand 0.92 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 30 MHz
Drahttype Flach 
7443630220
2.2 µH, 39.5 A, 47 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Performance Nennstrom 39.5 A
Sättigungsstrom 1 47 A
Sättigungsstrom @ 30% 52 A
Gleichstromwiderstand 1.65 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 32 MHz
Drahttype Flach 
74436410220
2.2 µH, 44 A, 85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 85 A
Sättigungsstrom @ 30% 88.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 32.8 MHz
Drahttype Flach 
7443630310
3.1 µH, 33.15 A, 41 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.1 µH
Performance Nennstrom 33.15 A
Sättigungsstrom 1 41 A
Sättigungsstrom @ 30% 45 A
Gleichstromwiderstand 2.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 29 MHz
Drahttype Flach 
7443640330
3.3 µH, 34.95 A, 89.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 34.95 A
Sättigungsstrom 1 89.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 100 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Drahttype Flach 
74436410330
3.3 µH, 44 A, 57 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 57 A
Sättigungsstrom @ 30% 60.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 26.44 MHz
Drahttype Flach 
7443640330B
3.3 µH, 59.2 A, 61.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 1 61.35 A
Sättigungsstrom @ 30% 70 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 28.2 MHz
Drahttype Flach 
7443630420
4.2 µH, 27 A, 34 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.2 µH
Performance Nennstrom 27 A
Sättigungsstrom 1 34 A
Sättigungsstrom @ 30% 38 A
Gleichstromwiderstand 3.34 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 24 MHz
Drahttype Flach 
7443640470
4.7 µH, 34.95 A, 70 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 34.95 A
Sättigungsstrom 1 70 A
Sättigungsstrom @ 30% 78 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Drahttype Flach 
74436410470
4.7 µH, 44 A, 44 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 44 A
Sättigungsstrom @ 30% 48 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 21.56 MHz
Drahttype Flach 
7443640470B
4.7 µH, 59.2 A, 43.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 1 43.85 A
Sättigungsstrom @ 30% 49.5 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 22.6 MHz
Drahttype Flach 
7443630550
5.5 µH, 23.35 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.5 µH
Performance Nennstrom 23.35 A
Sättigungsstrom 1 30 A
Sättigungsstrom @ 30% 33 A
Gleichstromwiderstand 4.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Drahttype Flach 
7443640680
6.8 µH, 34.95 A, 49.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Performance Nennstrom 34.95 A
Sättigungsstrom 1 49.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 55 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 17 MHz
Drahttype Flach 
74436410680
6.8 µH, 44 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 30 A
Sättigungsstrom @ 30% 33 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 17.03 MHz
Drahttype Flach 
7443640680B
6.8 µH, 59.2 A, 31.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Performance Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 1 31.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 36.3 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 18.8 MHz
Drahttype Flach 
7443630700
7 µH, 19.5 A, 27 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7 µH
Performance Nennstrom 19.5 A
Sättigungsstrom 1 27 A
Sättigungsstrom @ 30% 30 A
Gleichstromwiderstand 6.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Drahttype Flach 
7443630860
8.6 µH, 17.1 A, 23.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.6 µH
Performance Nennstrom 17.1 A
Sättigungsstrom 1 23.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 25 A
Gleichstromwiderstand 7.91 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Drahttype Flach 
7443631000
10 µH, 16.15 A, 22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 16.15 A
Sättigungsstrom 1 22 A
Sättigungsstrom @ 30% 23 A
Gleichstromwiderstand 8.76 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Drahttype Flach 
7443641000
10 µH, 34.95 A, 32.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 34.95 A
Sättigungsstrom 1 32.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 37 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Drahttype Flach 
74436411000
10 µH, 44 A, 20 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 20 A
Sättigungsstrom @ 30% 21.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 13.55 MHz
Drahttype Flach 
7443641000B
10 µH, 59.2 A, 22.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 1 22.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 25.1 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Drahttype Flach 
7443631500
15 µH, 15.4 A, 19 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Performance Nennstrom 15.4 A
Sättigungsstrom 1 19 A
Sättigungsstrom @ 30% 21 A
Gleichstromwiderstand 9.57 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 12.8 MHz
Drahttype Flach 
7443641500
15 µH, 34.95 A, 22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Performance Nennstrom 34.95 A
Sättigungsstrom 1 22 A
Sättigungsstrom @ 30% 26 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Drahttype Flach 
74436411500
15 µH, 44 A, 13 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 13 A
Sättigungsstrom @ 30% 14.3 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 10.73 MHz
Drahttype Flach 
7443632200
22 µH, 13.8 A, 13 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Performance Nennstrom 13.8 A
Sättigungsstrom 1 13 A
Sättigungsstrom @ 30% 15 A
Gleichstromwiderstand 11.72 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 12.5 MHz
Drahttype Flach 
7443642200
22 µH, 34.95 A, 15.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Performance Nennstrom 34.95 A
Sättigungsstrom 1 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 18 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Drahttype Flach 
74437529203220
22 µH, 24.05 A, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Performance Nennstrom 24.05 A
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 21.7 A
Gleichstromwiderstand 5.39 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Drahttype Rund 
74436412200
22 µH, 44 A, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8.06 MHz
Drahttype Flach 
7443633300
33 µH, 13.3 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Performance Nennstrom 13.3 A
Sättigungsstrom 1 9.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 11 A
Gleichstromwiderstand 12.54 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Drahttype Flach 
7443643300
33 µH, 34.95 A, 10.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Performance Nennstrom 34.95 A
Sättigungsstrom 1 10.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 11.5 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 7 MHz
Drahttype Flach 
74437529203330
33 µH, 20.05 A, 6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Performance Nennstrom 20.05 A
Sättigungsstrom 1 6 A
Sättigungsstrom @ 30% 15.4 A
Gleichstromwiderstand 7.59 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 7.1 MHz
Drahttype Rund 
74437429203330
33 µH, 13.25 A, 7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Performance Nennstrom 13.25 A
Sättigungsstrom 1 7 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.3 A
Gleichstromwiderstand 16.83 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Drahttype Litze 
74436413300
33 µH, 44 A, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Performance Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 1 4.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 6 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 6.29 MHz
Drahttype Flach 
7443634700
47 µH, 12.8 A, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Performance Nennstrom 12.8 A
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 8.5 A
Gleichstromwiderstand 13.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
Drahttype Flach 
74437529203470
47 µH, 17.5 A, 6.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Performance Nennstrom 17.5 A
Sättigungsstrom 1 6.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 13 A
Gleichstromwiderstand 9.68 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 6.7 MHz
Drahttype Rund 
74437429203470
47 µH, 11.65 A, 7.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Performance Nennstrom 11.65 A
Sättigungsstrom 1 7.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.5 A
Gleichstromwiderstand 21.23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 7.5 MHz
Drahttype Litze 
74437529203680
68 µH, 16 A, 7.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Performance Nennstrom 16 A
Sättigungsstrom 1 7.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 10.6 A
Gleichstromwiderstand 11.33 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 5.7 MHz
Drahttype Rund 
74437429203680
68 µH, 10.8 A, 6.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Performance Nennstrom 10.8 A
Sättigungsstrom 1 6.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 10.7 A
Gleichstromwiderstand 24.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 5.3 MHz
Drahttype Litze 
74437529203101
100 µH, 10.5 A, 7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Performance Nennstrom 10.5 A
Sättigungsstrom 1 7 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.4 A
Gleichstromwiderstand 25.19 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.3 MHz
Drahttype Rund 
74437429203101
100 µH, 8.2 A, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Performance Nennstrom 8.2 A
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.7 A
Gleichstromwiderstand 39.49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.3 MHz
Drahttype Litze 
74437529203151
150 µH, 9 A, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Performance Nennstrom 9 A
Sättigungsstrom 1 5.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 7.2 A
Gleichstromwiderstand 33.66 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.2 MHz
Drahttype Rund 
74437429203151
150 µH, 7.9 A, 6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Performance Nennstrom 7.9 A
Sättigungsstrom 1 6 A
Sättigungsstrom @ 30% 7.8 A
Gleichstromwiderstand 42.74 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.8 MHz
Drahttype Litze 
74437529203221
220 µH, 8.15 A, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Performance Nennstrom 8.15 A
Sättigungsstrom 1 4.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 5.3 A
Gleichstromwiderstand 40.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.8 MHz
Drahttype Rund 
74437529203331
330 µH, 5.75 A, 4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Performance Nennstrom 5.75 A
Sättigungsstrom 1 4 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.3 A
Gleichstromwiderstand 77.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.4 MHz
Drahttype Rund 
74437529203471
470 µH, 5.2 A, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Performance Nennstrom 5.2 A
Sättigungsstrom 1 3.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.7 A
Gleichstromwiderstand 91.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.7 MHz
Drahttype Rund 
74437529203681
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.

REDEXPERT-Verlustsimulation

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REDEXPERT verfügt über das weltweit genaueste AC-Verlustmodell, das sogar den DC-Bias-Strom berücksichtigt. Mit dedizierten DC/DC-Topologien oder dem generischen Verlustsimulator können Sie die AC- und DC-Verluste Ihres Wandlers präzise bestimmen. Das Modell berücksichtigt das Kernmaterial, die Form und die Wicklungsstruktur der Drossel. REDEXPERT empfiehlt passende Drosseln und ermöglicht es Ihnen, weitere Filter hinzuzufügen, um die optimale Drossel für Ihre Anwendung zu finden.

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