WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
1008
10 11.2 8
1213
12.85 13.8 13

Merkmale

  • 2-in-1-Design mit geringer magnetischer Kopplung
  • Innere Konstruktion: 2 unabhängige Z-Spulen
  • Geringer Platzbedarf im Design
  • Geringer RDC
  • Hohe Sättigungsströme
  • Betriebstemperatur: -40 °C to +125 °C

Anwendung

  • Class-D-Audioverstärker
  • Digitale Verstärker

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Simu­lation
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L(µH)
Tol. L
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
Muster
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301008082
8.2 µH, ±15%, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom20 A
Gleichstromwiderstand32 mΩ
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301213082
8.2 µH, ±15%, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom7 A
Sättigungsstrom25 A
Gleichstromwiderstand16 mΩ
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301008100
10 µH, ±15%, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom18 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301213100
10 µH, ±15%, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom6 A
Sättigungsstrom21 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301008150
15 µH, ±15%, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom15 A
Gleichstromwiderstand65 mΩ
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301213150
15 µH, ±15%, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom16 A
Gleichstromwiderstand34 mΩ
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301008220
22 µH, ±15%, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom13 A
Gleichstromwiderstand104 mΩ
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
74434301213220
22 µH, ±15%, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Induktivität±15% 
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom15 A
Gleichstromwiderstand50 mΩ

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