Design Kit SMT-Hochstrominduktivität
NEUArtikel Nr. 744363
Anwendung
- Speicherinduktivtät für hocheffiziente DC/DC‑Wandler (hohe Ripple-Ströme und typische Frequenzen von 20–300 kHz)
- Resonante Schaltnetzteile (SMPS) (hohe Frequenzen und geringere Gleichstrom-Vormagnetisierung)
- Filter für Audioanwendungen (niedrige Frequenzen, Schwerpunkt auf Linearität und geringer Verzerrung)
- Optimale Leistung durch anwendungsspezifische Drahttechnologien
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Drahttype | MusterVerfügbarkeit & Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, 47.1 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.4 µH | Performance Nennstrom47.1 A | Sättigungsstrom 155 A | Sättigungsstrom @ 30%60 A | Gleichstromwiderstand1.19 mΩ | Eigenresonanzfrequenz52 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.1 µH, 33.15 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.1 µH | Performance Nennstrom33.15 A | Sättigungsstrom 141 A | Sättigungsstrom @ 30%45 A | Gleichstromwiderstand2.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz29 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 34.95 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 189.8 A | Sättigungsstrom @ 30%100 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.15 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom16.15 A | Sättigungsstrom 122 A | Sättigungsstrom @ 30%23 A | Gleichstromwiderstand8.76 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 132.6 A | Sättigungsstrom @ 30%37 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 34.95 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität15 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 122 A | Sättigungsstrom @ 30%26 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz11 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 13.3 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom13.3 A | Sättigungsstrom 19.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | Gleichstromwiderstand12.54 mΩ | Eigenresonanzfrequenz12 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 34.95 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 110.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11.5 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz7 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 12.8 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom12.8 A | Sättigungsstrom 17.5 A | Sättigungsstrom @ 30%8.5 A | Gleichstromwiderstand13.42 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | DrahttypeFlach | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 17.5 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom17.5 A | Sättigungsstrom 16.5 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand9.68 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6.7 MHz | DrahttypeRund | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 11.65 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität47 µH | Performance Nennstrom11.65 A | Sättigungsstrom 17.6 A | Sättigungsstrom @ 30%13.5 A | Gleichstromwiderstand21.23 mΩ | Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz | DrahttypeLitze | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 68 µH, 10.8 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität68 µH | Performance Nennstrom10.8 A | Sättigungsstrom 16.4 A | Sättigungsstrom @ 30%10.7 A | Gleichstromwiderstand24.42 mΩ | Eigenresonanzfrequenz5.3 MHz | DrahttypeLitze | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, 9 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität150 µH | Performance Nennstrom9 A | Sättigungsstrom 15.8 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | Gleichstromwiderstand33.66 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3.2 MHz | DrahttypeRund | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, 7.9 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität150 µH | Performance Nennstrom7.9 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%7.8 A | Gleichstromwiderstand42.74 mΩ | Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz | DrahttypeLitze | –Verfügbarkeit prüfen | |||
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 680 µH, 4.3 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität680 µH | Performance Nennstrom4.3 A | Sättigungsstrom 12.6 A | Sättigungsstrom @ 30%3 A | Gleichstromwiderstand130.13 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.1 MHz | DrahttypeRund | –Verfügbarkeit prüfen |
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