Anwendung

  • Speicherinduktivtät für hocheffiziente DC/DC‑Wandler (hohe Ripple-Ströme und typische Frequenzen von 20–300 kHz)
  • Resonante Schaltnetzteile (SMPS) (hohe Frequenzen und geringere Gleichstrom-Vormagnetisierung)
  • Filter für Audioanwendungen (niedrige Frequenzen, Schwerpunkt auf Linearität und geringer Verzerrung)
  • Optimale Leistung durch anwendungsspezifische Drahttechnologien

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fres(MHz)
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, 47.1 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.4 µH
Performance Nennstrom47.1 A
Sättigungsstrom 155 A
Sättigungsstrom @ 30%60 A
Gleichstromwiderstand1.19 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.1 µH, 33.15 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.1 µH
Performance Nennstrom33.15 A
Sättigungsstrom 141 A
Sättigungsstrom @ 30%45 A
Gleichstromwiderstand2.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz29 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 34.95 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 189.8 A
Sättigungsstrom @ 30%100 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.15 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.15 A
Sättigungsstrom 122 A
Sättigungsstrom @ 30%23 A
Gleichstromwiderstand8.76 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 132.6 A
Sättigungsstrom @ 30%37 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 34.95 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 122 A
Sättigungsstrom @ 30%26 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 13.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom13.3 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand12.54 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
DrahttypeFlach 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 34.95 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 110.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11.5 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 12.8 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom12.8 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8.5 A
Gleichstromwiderstand13.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 17.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom17.5 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand9.68 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6.7 MHz
DrahttypeRund 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 11.65 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom11.65 A
Sättigungsstrom 17.6 A
Sättigungsstrom @ 30%13.5 A
Gleichstromwiderstand21.23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz
DrahttypeLitze 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 68 µH, 10.8 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Performance Nennstrom10.8 A
Sättigungsstrom 16.4 A
Sättigungsstrom @ 30%10.7 A
Gleichstromwiderstand24.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz5.3 MHz
DrahttypeLitze 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, 9 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Performance Nennstrom9 A
Sättigungsstrom 15.8 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Gleichstromwiderstand33.66 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.2 MHz
DrahttypeRund 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, 7.9 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Performance Nennstrom7.9 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%7.8 A
Gleichstromwiderstand42.74 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz
DrahttypeLitze 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 680 µH, 4.3 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Performance Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%3 A
Gleichstromwiderstand130.13 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.1 MHz
DrahttypeRund 
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