Anwendung

  • Speicherinduktivtät für hocheffiziente DC/DC‑Wandler (hohe Ripple-Ströme und typische Frequenzen von 20–300 kHz)
  • Resonante Schaltnetzteile (SMPS) (hohe Frequenzen und geringere Gleichstrom-Vormagnetisierung)
  • Filter für Audioanwendungen (niedrige Frequenzen, Schwerpunkt auf Linearität und geringer Verzerrung)
  • Optimale Leistung durch anwendungsspezifische Drahttechnologien

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L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Drahttype
MusterVerfügbarkeit & Muster
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, 47.1 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.4 µH
Performance Nennstrom47.1 A
Sättigungsstrom 155 A
Sättigungsstrom @ 30%60 A
Gleichstromwiderstand1.19 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.1 µH, 33.15 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.1 µH
Performance Nennstrom33.15 A
Sättigungsstrom 141 A
Sättigungsstrom @ 30%45 A
Gleichstromwiderstand2.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz29 MHz
DrahttypeFlach 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 34.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 189.8 A
Sättigungsstrom @ 30%100 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
DrahttypeFlach 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.15 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.15 A
Sättigungsstrom 122 A
Sättigungsstrom @ 30%23 A
Gleichstromwiderstand8.76 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
DrahttypeFlach 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 132.6 A
Sättigungsstrom @ 30%37 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
DrahttypeFlach 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 34.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 122 A
Sättigungsstrom @ 30%26 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 13.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom13.3 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand12.54 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
DrahttypeFlach 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 34.95 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom34.95 A
Sättigungsstrom 110.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11.5 A
Gleichstromwiderstand2.64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 12.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom12.8 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8.5 A
Gleichstromwiderstand13.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
DrahttypeFlach 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 17.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom17.5 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand9.68 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6.7 MHz
DrahttypeRund 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, 11.65 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Performance Nennstrom11.65 A
Sättigungsstrom 17.6 A
Sättigungsstrom @ 30%13.5 A
Gleichstromwiderstand21.23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz
DrahttypeLitze 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 68 µH, 10.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Performance Nennstrom10.8 A
Sättigungsstrom 16.4 A
Sättigungsstrom @ 30%10.7 A
Gleichstromwiderstand24.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz5.3 MHz
DrahttypeLitze 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, 9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Performance Nennstrom9 A
Sättigungsstrom 15.8 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Gleichstromwiderstand33.66 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.2 MHz
DrahttypeRund 
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SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, 7.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Performance Nennstrom7.9 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%7.8 A
Gleichstromwiderstand42.74 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz
DrahttypeLitze 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 680 µH, 4.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Performance Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%3 A
Gleichstromwiderstand130.13 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.1 MHz
DrahttypeRund 
Verfügbarkeit prüfen