Design Kit SMT-Hochstrominduktivität
NEUArtikel Nr. 744363
Anwendung
- Speicherinduktivtät für hocheffiziente DC/DC‑Wandler (hohe Ripple-Ströme und typische Frequenzen von 20–300 kHz)
- Resonante Schaltnetzteile (SMPS) (hohe Frequenzen und geringere Gleichstrom-Vormagnetisierung)
- Filter für Audioanwendungen (niedrige Frequenzen, Schwerpunkt auf Linearität und geringer Verzerrung)
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | L1(µH) | IR 1(A) | IR(A) | ISAT 1(A) | ISAT(A) | RDC1 max.(mΩ) | RDC 1(mΩ) | RDC(mΩ) | RDC max.(mΩ) | fres 1(MHz) | fres(MHz) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.4 µH | – | – | Nennstrom31.5 A | – | Sättigungsstrom60 A | – | – | Gleichstromwiderstand1.08 mΩ | Gleichstromwiderstand1.19 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz52 MHz | Bauform2013 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.1 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.1 µH | – | – | Nennstrom26 A | – | Sättigungsstrom45 A | – | – | Gleichstromwiderstand2.09 mΩ | Gleichstromwiderstand2.3 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz29 MHz | Bauform2013 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | – | – | Nennstrom35 A | – | Sättigungsstrom100 A | Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ | – | Gleichstromwiderstand2.4 mΩ | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform2818 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | – | – | Nennstrom16 A | – | Sättigungsstrom23 A | – | – | Gleichstromwiderstand7.96 mΩ | Gleichstromwiderstand8.76 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Bauform2013 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | – | – | Nennstrom35 A | – | Sättigungsstrom37 A | Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ | – | Gleichstromwiderstand2.4 mΩ | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Bauform2818 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 15 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität15 µH | – | – | Nennstrom35 A | – | Sättigungsstrom26 A | Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ | – | Gleichstromwiderstand2.4 mΩ | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz11 MHz | Bauform2818 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität33 µH | – | – | Nennstrom12 A | – | Sättigungsstrom11 A | – | – | Gleichstromwiderstand11.4 mΩ | Gleichstromwiderstand12.54 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz12 MHz | Bauform2013 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität33 µH | – | – | Nennstrom35 A | – | Sättigungsstrom11.5 A | Gleichstromwiderstand [1]2.64 mΩ | – | Gleichstromwiderstand2.4 mΩ | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz7 MHz | Bauform2818 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität47 µH | – | – | Nennstrom12 A | – | Sättigungsstrom8.5 A | – | – | Gleichstromwiderstand12.2 mΩ | Gleichstromwiderstand13.42 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform2013 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität47 µH | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand8.8 mΩ | Gleichstromwiderstand9.68 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz6.7 MHz | Bauform2920 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 47 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität47 µH | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand19.3 mΩ | Gleichstromwiderstand21.23 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz | Bauform2920 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 68 µH, 68 µH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität68 µH | Induktivität [1]68 µH | Nennstrom [1]11.2 A | Nennstrom11.2 A | Sättigungsstrom [1]10.7 A | Sättigungsstrom10.7 A | – | Gleichstromwiderstand [1]22.2 mΩ | – | Gleichstromwiderstand24.42 mΩ | Eigenresonanzfrequenz [1]5.3 MHz | Eigenresonanzfrequenz5.3 MHz | Bauform2920 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität150 µH | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand30.6 mΩ | Gleichstromwiderstand33.66 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.2 MHz | Bauform2920 | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 150 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität150 µH | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand38.85 mΩ | Gleichstromwiderstand42.74 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.8 MHz | Bauform2920 | ||||
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – |