 | | 47 µH, –, 1 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität47 µH | – | Nennstrom1 A | Sättigungsstrom1.1 A | Gleichstromwiderstand280 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz11.3 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 47 µH, –, 1.7 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität47 µH | – | Nennstrom1.7 A | Sättigungsstrom2.3 A | Gleichstromwiderstand156 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz10.2 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
 | | 120 µH, –, 2 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität120 µH | – | Nennstrom2 A | Sättigungsstrom2 A | Gleichstromwiderstand180 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.9 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 220 µH, –, 0.95 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität220 µH | – | Nennstrom0.95 A | Sättigungsstrom1.15 A | Gleichstromwiderstand680 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.9 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 220 µH, –, 1.3 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität220 µH | – | Nennstrom1.3 A | Sättigungsstrom2 A | Gleichstromwiderstand350 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.2 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 220 µH, –, 0.56 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität220 µH | – | Nennstrom0.56 A | Sättigungsstrom0.5 A | Gleichstromwiderstand1300 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz4.9 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 220 µH, –, 0.9 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität220 µH | – | Nennstrom0.9 A | Sättigungsstrom1.3 A | Gleichstromwiderstand600 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.7 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 330 µH, –, 0.75 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität330 µH | – | Nennstrom0.75 A | Sättigungsstrom0.95 A | Gleichstromwiderstand700 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.3 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 470 µH, –, 0.6 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität470 µH | – | Nennstrom0.6 A | Sättigungsstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand1450 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.7 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 470 µH, –, 0.97 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität470 µH | – | Nennstrom0.97 A | Sättigungsstrom1.4 A | Gleichstromwiderstand800 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 470 µH, –, 0.35 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität470 µH | – | Nennstrom0.35 A | Sättigungsstrom0.37 A | Gleichstromwiderstand3200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 470 µH, –, 0.25 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität470 µH | – | Nennstrom0.25 A | Sättigungsstrom0.35 A | Gleichstromwiderstand3500 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz4.9 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 470 µH, –, 0.6 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität470 µH | – | Nennstrom0.6 A | Sättigungsstrom0.9 A | Gleichstromwiderstand1320 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3 MHz | – | MontageartTHT | | | |
| | 470 µH, –, 1 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität470 µH | – | Nennstrom1 A | Sättigungsstrom1.3 A | Gleichstromwiderstand540 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2 MHz | – | MontageartTHT | | | |
| | 560 µH, –, 0.33 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität560 µH | – | Nennstrom0.33 A | Sättigungsstrom0.35 A | Gleichstromwiderstand3600 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.9 MHz | Eigenresonanzfrequenz [1]2.9 MHz | MontageartSMT | | Design Kit – | |
 | | 560 µH, –, 0.41 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität560 µH | – | Nennstrom0.41 A | Sättigungsstrom0.41 A | Gleichstromwiderstand2080 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.8 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 680 µH, –, 0.55 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität680 µH | – | Nennstrom0.55 A | Sättigungsstrom0.61 A | Gleichstromwiderstand2250 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 680 µH, –, 0.8 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität680 µH | – | Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom1.2 A | Gleichstromwiderstand1150 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.5 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 680 µH, –, 0.3 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität680 µH | – | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand4000 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.8 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 680 µH, –, 0.38 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität680 µH | – | Nennstrom0.38 A | Sättigungsstrom0.38 A | Gleichstromwiderstand2400 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.7 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 680 µH, –, 0.52 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität680 µH | – | Nennstrom0.52 A | Sättigungsstrom0.76 A | Gleichstromwiderstand1680 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz | – | MontageartTHT | | | |
| | 680 µH, –, 0.22 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität680 µH | – | Nennstrom0.22 A | Sättigungsstrom0.26 A | Gleichstromwiderstand5200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.5 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 680 µH, –, 0.8 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität680 µH | – | Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom1.1 A | Gleichstromwiderstand790 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.7 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 820 µH, –, 0.35 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität820 µH | – | Nennstrom0.35 A | Sättigungsstrom0.35 A | Gleichstromwiderstand2770 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.6 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 820 µH, –, 0.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität820 µH | – | Nennstrom0.5 A | Sättigungsstrom0.72 A | Gleichstromwiderstand1920 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 820 µH, –, 0.76 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität820 µH | – | Nennstrom0.76 A | Sättigungsstrom1.1 A | Gleichstromwiderstand1250 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 820 µH, –, 0.18 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität820 µH | – | Nennstrom0.18 A | Sättigungsstrom0.23 A | Gleichstromwiderstand8200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz3.3 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 820 µH, –, – | | | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität820 µH | – | – | Sättigungsstrom0.4 A | Gleichstromwiderstand2600 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz | – | – | | Design Kit – | |
| | 1000 µH, 1000 µH, 0.4 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | Induktivität [1]1000 µH | Nennstrom0.4 A | Sättigungsstrom0.55 A | Gleichstromwiderstand3200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.7 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 1000 µH, –, 0.72 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | Nennstrom0.72 A | Sättigungsstrom0.9 A | Gleichstromwiderstand1400 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 1000 µH, –, 0.24 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | Nennstrom0.24 A | Sättigungsstrom0.25 A | Gleichstromwiderstand6000 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 1000 µH, –, 0.3 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand3300 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.4 MHz | – | MontageartSMT | | | |
 | | 1000 µH, –, 0.38 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | Nennstrom0.38 A | Sättigungsstrom0.38 A | Gleichstromwiderstand2600 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 1000 µH, –, 0.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | Nennstrom0.5 A | Sättigungsstrom0.55 A | Gleichstromwiderstand2080 mΩ | MaterialNiZn | Eigenresonanzfrequenz1.8 MHz | – | MontageartTHT | | | |
| | 1000 µH, –, 0.8 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand1200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.3 MHz | – | MontageartTHT | | | |
| | 1000 µH, –, 0.17 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | Nennstrom0.17 A | Sättigungsstrom0.2 A | Gleichstromwiderstand9000 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 1000 µH, –, – | | | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1000 µH | – | – | Sättigungsstrom0.37 A | Gleichstromwiderstand2900 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz | – | – | | Design Kit – | |
| | 1200 µH, –, 0.28 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1200 µH | – | Nennstrom0.28 A | Sättigungsstrom0.28 A | Gleichstromwiderstand4500 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz2.1 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 1200 µH, –, 0.35 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1200 µH | – | Nennstrom0.35 A | Sättigungsstrom0.35 A | Gleichstromwiderstand3000 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.8 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 1200 µH, –, 0.4 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1200 µH | – | Nennstrom0.4 A | Sättigungsstrom0.45 A | Gleichstromwiderstand2640 mΩ | MaterialNiZn | Eigenresonanzfrequenz1.65 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 1200 µH, –, 0.62 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1200 µH | – | Nennstrom0.62 A | Sättigungsstrom0.84 A | Gleichstromwiderstand1400 mΩ | MaterialMnZn | Eigenresonanzfrequenz1.3 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 1500 µH, –, 0.32 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1500 µH | – | Nennstrom0.32 A | Sättigungsstrom0.46 A | Gleichstromwiderstand4600 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 1500 µH, –, 0.52 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1500 µH | – | Nennstrom0.52 A | Sättigungsstrom0.8 A | Gleichstromwiderstand2200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz0.9 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 1500 µH, –, 0.38 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1500 µH | – | Nennstrom0.38 A | Sättigungsstrom0.4 A | Gleichstromwiderstand3000 mΩ | MaterialNiZn | Eigenresonanzfrequenz1.5 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 1500 µH, –, 0.55 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1500 µH | – | Nennstrom0.55 A | Sättigungsstrom0.75 A | Gleichstromwiderstand1800 mΩ | MaterialMnZn | Eigenresonanzfrequenz1.1 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 1800 µH, –, 0.35 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1800 µH | – | Nennstrom0.35 A | Sättigungsstrom0.38 A | Gleichstromwiderstand3500 mΩ | MaterialNiZn | Eigenresonanzfrequenz1.4 MHz | – | MontageartTHT | | | |
| | 1800 µH, –, 0.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1800 µH | – | Nennstrom0.5 A | Sättigungsstrom0.68 A | Gleichstromwiderstand2100 mΩ | MaterialMnZn | Eigenresonanzfrequenz1.1 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 2200 µH, –, 0.26 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2200 µH | – | Nennstrom0.26 A | Sättigungsstrom0.37 A | Gleichstromwiderstand6500 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 2200 µH, –, 0.43 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2200 µH | – | Nennstrom0.43 A | Sättigungsstrom0.65 A | Gleichstromwiderstand3700 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz0.8 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 2200 µH, –, 0.15 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2200 µH | – | Nennstrom0.15 A | Sättigungsstrom0.2 A | Gleichstromwiderstand7200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.6 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
| | 2200 µH, –, 0.18 A | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2200 µH | – | Nennstrom0.18 A | Sättigungsstrom0.26 A | Gleichstromwiderstand5300 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz1.3 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 2200 µH, –, 0.32 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2200 µH | – | Nennstrom0.32 A | Sättigungsstrom0.32 A | Gleichstromwiderstand4730 mΩ | MaterialNiZn | Eigenresonanzfrequenz1.2 MHz | – | MontageartTHT | | | |
| | 2200 µH, –, 0.5 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2200 µH | – | Nennstrom0.5 A | Sättigungsstrom0.58 A | Gleichstromwiderstand2500 mΩ | MaterialMnZn | Eigenresonanzfrequenz0.82 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 3300 µH, –, 0.37 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität3300 µH | – | Nennstrom0.37 A | Sättigungsstrom0.52 A | Gleichstromwiderstand5200 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz0.6 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 3300 µH, –, 0.25 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität3300 µH | – | Nennstrom0.25 A | Sättigungsstrom0.27 A | Gleichstromwiderstand7080 mΩ | MaterialNiZn | Eigenresonanzfrequenz0.85 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 3300 µH, –, 0.35 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität3300 µH | – | Nennstrom0.35 A | Sättigungsstrom0.5 A | Gleichstromwiderstand4000 mΩ | MaterialMnZn | Eigenresonanzfrequenz0.75 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 4700 µH, –, 0.3 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität4700 µH | – | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.48 A | Gleichstromwiderstand7800 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz0.5 MHz | – | MontageartSMT | | | |
| | 4700 µH, –, 0.3 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität4700 µH | – | Nennstrom0.3 A | Sättigungsstrom0.42 A | Gleichstromwiderstand5800 mΩ | MaterialMnZn | Eigenresonanzfrequenz0.63 MHz | – | MontageartTHT | | Design Kit – | |
| | 6800 µH, –, 0.28 A | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität6800 µH | – | Nennstrom0.28 A | Sättigungsstrom0.38 A | Gleichstromwiderstand9600 mΩ | – | Eigenresonanzfrequenz0.45 MHz | – | MontageartSMT | | Design Kit – | |
