Design Kit Single Inductor High Voltage WE-PD HV, WE-PD2 HV, WE-TI HV

Artikel Nr. 768771

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WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.8 A
Gleichstromwiderstand 1450 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.7 MHz
Bauform 1060 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.97 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.97 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Gleichstromwiderstand 800 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.9 MHz
Bauform 1210 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.35 A
Sättigungsstrom 0.37 A
Gleichstromwiderstand 3200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3 MHz
Bauform 7345 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 470 µH, 0.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.25 A
Sättigungsstrom 0.35 A
Gleichstromwiderstand 3500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.9 MHz
Bauform 7332 
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 470 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Gleichstromwiderstand 1320 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3 MHz
Bauform 8095 
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 470 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 1.3 A
Gleichstromwiderstand 540 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2 MHz
Bauform 1014 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.55 A
Sättigungsstrom 0.61 A
Gleichstromwiderstand 2250 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2 MHz
Bauform 1060 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 1.2 A
Gleichstromwiderstand 1150 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.5 MHz
Bauform 1210 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.3 A
Gleichstromwiderstand 4000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.8 MHz
Bauform 7345 
WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.38 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Gleichstromwiderstand 2400 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.7 MHz
Bauform 7850 
768774268
–, 680 µH, 0.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.2 A
Sättigungsstrom 0.3 A
Gleichstromwiderstand 4800 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3 MHz
Bauform 5848 
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 680 µH, 0.52 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.52 A
Sättigungsstrom 0.76 A
Gleichstromwiderstand 1680 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.5 MHz
Bauform 8095 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 680 µH, 0.22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.22 A
Sättigungsstrom 0.26 A
Gleichstromwiderstand 5200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.5 MHz
Bauform 7332 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.4 A
Sättigungsstrom 0.55 A
Gleichstromwiderstand 3200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.7 MHz
Bauform 1060 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.72 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.72 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Gleichstromwiderstand 1400 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.2 MHz
Bauform 1210 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.24 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.24 A
Sättigungsstrom 0.25 A
Gleichstromwiderstand 6000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.3 MHz
Bauform 7345 
WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.3 A
Gleichstromwiderstand 3300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.4 MHz
Bauform 7850 
WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.38 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Gleichstromwiderstand 2600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.9 MHz
Bauform 1054 
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 1000 µH, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.5 A
Sättigungsstrom 0.55 A
Gleichstromwiderstand 2080 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.8 MHz
Bauform 8095 
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 1000 µH, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 0.8 A
Gleichstromwiderstand 1200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.3 MHz
Bauform 1014 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1000 µH, 0.17 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.17 A
Sättigungsstrom 0.2 A
Gleichstromwiderstand 9000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.5 MHz
Bauform 7332 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1500 µH, 0.32 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1500 µH
Nennstrom 0.32 A
Sättigungsstrom 0.46 A
Gleichstromwiderstand 4600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.4 MHz
Bauform 1060 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 1500 µH, 0.52 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1500 µH
Nennstrom 0.52 A
Sättigungsstrom 0.8 A
Gleichstromwiderstand 2200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 0.9 MHz
Bauform 1210 
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 1800 µH, 0.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1800 µH
Nennstrom 0.35 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Gleichstromwiderstand 3500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.4 MHz
Bauform 8095 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 2200 µH, 0.26 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2200 µH
Nennstrom 0.26 A
Sättigungsstrom 0.37 A
Gleichstromwiderstand 6500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.2 MHz
Bauform 1060 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 2200 µH, 0.43 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2200 µH
Nennstrom 0.43 A
Sättigungsstrom 0.65 A
Gleichstromwiderstand 3700 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 0.8 MHz
Bauform 1210 
WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), 2200 µH, 0.18 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2200 µH
Nennstrom 0.18 A
Sättigungsstrom 0.26 A
Gleichstromwiderstand 5300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.3 MHz
Bauform 1054 
WE-TI HV Tonneninduktivität (High Voltage), 2200 µH, 0.32 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2200 µH
Nennstrom 0.32 A
Sättigungsstrom 0.32 A
Gleichstromwiderstand 4730 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.2 MHz
Bauform 8095 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 3300 µH, 0.37 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3300 µH
Nennstrom 0.37 A
Sättigungsstrom 0.52 A
Gleichstromwiderstand 5200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 0.6 MHz
Bauform 1210 
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 4700 µH, 0.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4700 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.48 A
Gleichstromwiderstand 7800 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 0.5 MHz
Bauform 1210 
768741471
Simu­lation
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