Bauform Maße L
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
0201
0.6 0.3 0.23 SMT
0402
1 0.5 0.32 SMT

Merkmale

  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Geringe Induktivitätstoleranzen von 2% (bzw. 1%) oder ± 0,1 nH
  • Herausragende Temperaturstabilität
  • Hohe induktive Stabilität in Hochfrequenzschaltungen
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Kleine Induktivitätswerte
  • Betriebstemperatur: –40 ºC bis +125 ºC

Anwendung

  • Handy
  • Pager
  • GPS-Produkte
  • Wireless LAN
  • Kommunikationsgeräte
  • RF Transceiver-Modul

Modelithics-Simulationsmodelle

Integrieren Sie diesen Teil in Ihre Konstruktion mit den hochpräzisen messbasierten Simulationsmodellen von Modelithics. Die Modelithics-Bibliotheken sind auch für das Advanced Design System (ADS) von Keysight Technologies, die NI / AWR-Designumgebung / Microwave Office ™, Gensys, ASYSS® HFSS ™, Sonnet® und Cadence von Keysight Technologies verfügbar.

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Simu­lation
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L (nH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max. (Ω)
IR (mA)
fres (GHz)
Design Kit
Muster
744900010
1 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Nennstrom 300 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
Design Kit
744901010
1 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Nennstrom 700 mA
Eigenresonanzfrequenz 12 GHz
Design Kit
744900012
1.2 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.35 Ω
Nennstrom 300 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
Design Kit
744901012
1.2 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Nennstrom 700 mA
Eigenresonanzfrequenz 12 GHz
Design Kit
744900013
1.3 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.3 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.45 Ω
Nennstrom 250 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
Design Kit
744900014
1.4 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.4 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.45 Ω
Nennstrom 250 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
Design Kit
744900015
1.5 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.45 Ω
Nennstrom 250 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
Design Kit
744901015
1.5 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Nennstrom 700 mA
Eigenresonanzfrequenz 10 GHz
Design Kit
744900018
1.8 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.55 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
Design Kit
744901018
1.8 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Nennstrom 560 mA
Eigenresonanzfrequenz 10 GHz
Design Kit
744900019
1.9 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.9 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.55 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
Design Kit
744900020
2 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
Design Kit
744900022
2.2 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
Design Kit
744901022
2.2 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Nennstrom 440 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
Design Kit
744900027
2.7 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.8 Ω
Nennstrom 150 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
Design Kit
744901027
2.7 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Nennstrom 440 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
Design Kit
744901030
3 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.45 Ω
Nennstrom 380 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744900033
3.3 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1 Ω
Nennstrom 150 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901033
3.3 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.4 Ω
Nennstrom 380 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901036
3.6 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.6 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.55 Ω
Nennstrom 380 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744900039
3.9 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.2 Ω
Nennstrom 150 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901039
3.9 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.5 Ω
Nennstrom 340 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901043
4.3 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.3 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.65 Ω
Nennstrom 320 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744900047
4.7 nH, ±0.2nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 nH
Induktivität ±0.2nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.4 Ω
Nennstrom 130 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901047
4.7 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.6 Ω
Nennstrom 320 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901051
5.1 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.1 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.75 Ω
Nennstrom 300 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744900056
5.6 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.8 Ω
Nennstrom 130 mA
Eigenresonanzfrequenz 4 GHz
Design Kit
744901056
5.6 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Nennstrom 280 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901058
5.8 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.8 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.85 Ω
Nennstrom 280 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901062
6.2 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.9 Ω
Nennstrom 270 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744900068
6.8 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 2.3 Ω
Nennstrom 110 mA
Eigenresonanzfrequenz 4 GHz
Design Kit
744901068
6.8 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 0.9 Ω
Nennstrom 260 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744901072
7.2 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.2 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.05 Ω
Nennstrom 260 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744900082
8.2 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 3 Ω
Nennstrom 110 mA
Eigenresonanzfrequenz 3 GHz
Design Kit
744901082
8.2 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.1 Ω
Nennstrom 220 mA
Eigenresonanzfrequenz 5 GHz
Design Kit
744901091
9.1 nH, ±0.1nH, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 9.1 nH
Induktivität ±0.1nH 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.25 Ω
Nennstrom 220 mA
Eigenresonanzfrequenz 5.5 GHz
Design Kit
744900110
10 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 3.5 Ω
Nennstrom 80 mA
Eigenresonanzfrequenz 2 GHz
Design Kit
744901110
10 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.3 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 4.5 GHz
Design Kit
744901112
12 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.6 Ω
Nennstrom 180 mA
Eigenresonanzfrequenz 3.7 GHz
Design Kit
744901115
15 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.8 Ω
Nennstrom 130 mA
Eigenresonanzfrequenz 3.3 GHz
Design Kit
744901118
18 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 2 Ω
Nennstrom 100 mA
Eigenresonanzfrequenz 3.1 GHz
Design Kit
744901122
22 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 2.6 Ω
Nennstrom 90 mA
Eigenresonanzfrequenz 2.8 GHz
Design Kit
744901127
27 nH, ±2%, 500 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 500 MHz 
Güte 13 
Güte 500 MHz 
Gleichstromwiderstand 3.25 Ω
Nennstrom 75 mA
Eigenresonanzfrequenz 2.5 GHz
Design Kit

Würth Elektronik bietet mehrere Produktserien mit unterschiedlicher Aufbautechnologie an

HF Induktivitäten Auswahlhilfe

WE-KI Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI SMT Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 1800 nH
  • Hohe Güte Q
  • Bis zu 12,5 GHz Eigenresonanzfrequenz
  • Bis zu ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
WE-KI HC Hochstrom Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI HC Hochstrom-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 390 nH
  • Ausgezeichneter Q-Faktor
  • Hochstrom bis zu 2,3 A
  • ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kit verfügbar
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 470 nH
  • Extrem kleine Bauform (bis zu 0201)
  • Bis zu ±2% (oder ±0,1 nH) Induktivitätstoleranz
  • Robuste Struktur
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-CAIR Luftspulen
WE-CAIR Luftspulen
  • Induktivitätswerte von 1.65 nH bis zu 538 nH
  • Extrem hohe Güte Q
  • Hochstrom bis zu 4 A
  • Hohe Eingenresonanzfrequenz 
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 27 nH
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Enge Toleranz von 2% (1% auf Anfrage) oder ± 0,1
  • Sehr geringe Größe (bis zu 0201)
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
  • Hohe Induktivitätswerte von 20 nH bis zu 47 µH verfügbar
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Größen: 0402 bis 1008
  • Design Kit verfügbar

Was ist der Gütefaktor Q?

Was ist der Gütefaktor Q?

Der Gütefaktor Q ist ein entscheidender Parameter und eines der ersten Kriterien, die jeder HF-Ingenieur berücksichtigen sollte. Der Q-Faktor wird entweder als Mindestwert oder als typischer Wert bei einem bestimmten Frequenzpunkt angegeben. Bei Würth Elektronik wird der Q-Faktor als Mindestwert angegeben, um den Kunden ein zuverlässiges Mindestniveau zu garantieren.

Grundsätzlich ist der Q-Faktor das Verhältnis zwischen dem induktiven Blindwiderstand XL und den Verlusten RS und ist ein Indikator dafür, wie ideal eine Induktivität ist. Bei Induktivitäten mit Luft- oder Keramikkernen ist der Widerstand RS hauptsächlich auf den spezifischen Widerstand des Leiters in der Induktionsvorrichtung zurückzuführen. Ein höherer Q-Faktor bedeutet weniger Verluste in der Komponente.

Eigenresonanzfrequenz

Eigenresonanzfrequenz

Da die Wicklungsstruktur jeder Drahtspule eine gewisse Kapazität aufweist, stellt die Induktivität einen Parallelschwingkreis dar, der eine entsprechende Eigenresonanzfrequenz (SRF, self resonance frequency) aufweist. Wie bei herkömmlichen Induktivitäten gibt die SRF an, bis zu welcher Frequenz sich das Bauelement wie eine Induktivität verhält.

Genau bei der SRF verhält sich die Induktivität mit ihrer parasitären Kapazität wie ein Resonanzkreis mit einer nahezu unendlich hohen Impedanz, nur Schaltungsverluste begrenzen den hohen Wert der Impedanz. Jenseits der SRF verhält sich das Bauelement wie ein Kondensator.

Bei EMV-Filterapplikationen, in denen Induktivitäten verwendet werden, erfolgt die beste Signaldämpfung kurz unterhalb der SRF, wo die Impedanz sehr hoch ist und somit die Dämpfung ihr Maximum erreicht.

Bei Signal-Filter- oder Impedanzanpassungs-Anwendungen ist es wichtiger, eine konstante Induktivität im relevanten Frequenzbereich zu haben, was bedeutet, dass die SRF der Induktivität weit oberhalb der Betriebsfrequenz der Schaltung liegen sollte.

RF Inductors Eigenfrequenzresonanz

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Der Nennstrom wird als maximaler Gleichstrom (A oder mA) angegeben, der einen bestimmten Temperaturanstieg verursacht (z.B. ΔT = 40 K). Der Temperaturanstieg plus die Umgebungstemperatur darf die maximale Betriebstemperatur nicht überschreiten. Für Hochstromanwendungen wählen Sie bitte die spezifischen Luftspulen: WE-KI HC, WE-ACHC und WE-CAIR.

RF Inductors Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

Mit Hilfe des Smith-Diagramms kann die komplexe Impedanz des Antennenspeisepunkts, bestehend aus Widerstands- und Blindwerten, grafisch dargestellt werden. Bei einer angepassten Antenne liegt die Impedanz bei der Betriebsfrequenz nahe der Mitte des Smith-Diagramms und damit nahe der Impedanz von 50 Ω. Dies kann durch den Einsatz von HF-Induktivitäten und HF-Kondensatoren erreicht werden. Ein pi-Anpassungsnetzwerk ist für diesen Zweck besonders nützlich, da es flexibel für die Antennenanpassung von fast jeder anderen Impedanz verwendet werden kann. In der Praxis funktioniert die Antennenanpassung in mehreren Schritten.

Zusätzlich zu den WE-MCA Antennen bieten wir unseren Kunden einen entwicklungsbegleitenden Antennenservice an. Wir unterstützen von der Antennenauswahl über die Antennenplatzierung bis hin zur Antennenanpassung.

Webseite: www.we-online.com/antennamatching

E-Mail: antenna.matching@we-online.com

Wir bieten auch ein Antennenanpassungs-Design-Kit an, das alle Komponenten enthält, die für Ihre Antennenanpassung benötigt werden. Dieses Design-Kit mit der Bestellnummer 748001 enthält Chip-Antennen WE-MCA, keramische Multilayer-Induktivitäten WE-MK in der Größe 0402, Hochfrequenz-Chipkondensatoren WCAP-CSRF in der Größe 0402 und HF-Koaxialkabel WR-CXARY für Frequenzen bis zu 18 GHz.

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten: