Design Kit WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität - ±2%

Artikel Nr. 744900

Merkmale

  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Geringe Induktivitätstoleranzen von ±2% (bzw. ±1%) oder ± 0,1 nH
  • Herausragende Temperaturstabilität
  • Hohe induktive Stabilität in Hochfrequenzschaltungen
  • Kleine Induktivitätswerte
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Betriebstemperatur: –40 ºC bis +125 ºC

Anwendung

  • Handy
  • Pager
  • GPS-Produkte
  • Wireless LAN
  • Kommunikationsgeräte
  • RF Transceiver-Modul

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L(nH)
Qmin.
RDC max.(Ω)
IR(mA)
fres(GHz)
Muster
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Güte
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz9 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz12 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Güte
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz9 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz12 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.4 nH
Güte
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz9 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz10 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Güte
Gleichstromwiderstand0.55 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz9 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom560 mA
Eigenresonanzfrequenz10 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 nH
Güte
Gleichstromwiderstand0.7 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz8 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom440 mA
Eigenresonanzfrequenz8 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Güte
Gleichstromwiderstand0.8 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz8 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom440 mA
Eigenresonanzfrequenz8 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Güte
Gleichstromwiderstand1 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.4 Ω
Nennstrom380 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.55 Ω
Nennstrom380 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Güte
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.5 Ω
Nennstrom340 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Güte
Gleichstromwiderstand1.4 Ω
Nennstrom130 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.75 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Güte
Gleichstromwiderstand1.8 Ω
Nennstrom130 mA
Eigenresonanzfrequenz4 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.7 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.8 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.9 Ω
Nennstrom270 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand0.9 Ω
Nennstrom260 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.2 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand1.05 Ω
Nennstrom260 mA
Eigenresonanzfrequenz6 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Güte
Gleichstromwiderstand3 Ω
Nennstrom110 mA
Eigenresonanzfrequenz3 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand1.1 Ω
Nennstrom220 mA
Eigenresonanzfrequenz5 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Güte
Gleichstromwiderstand3.5 Ω
Nennstrom80 mA
Eigenresonanzfrequenz2 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand1.3 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz4.5 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz3.7 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand1.8 Ω
Nennstrom130 mA
Eigenresonanzfrequenz3.3 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand2 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz3.1 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand2.6 Ω
Nennstrom90 mA
Eigenresonanzfrequenz2.8 GHz
SPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Güte13 
Gleichstromwiderstand3.25 Ω
Nennstrom75 mA
Eigenresonanzfrequenz2.5 GHz