Design Kit WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität - ±2%

NEU

Artikel Nr. 744900

Merkmale

  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Geringe Induktivitätstoleranzen von ±2% (bzw. ±1%) oder ± 0,1 nH
  • Herausragende Temperaturstabilität
  • Hohe induktive Stabilität in Hochfrequenzschaltungen
  • Kleine Induktivitätswerte
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Betriebstemperatur: –40 ºC bis +125 ºC

Anwendung

  • Handy
  • Pager
  • GPS-Produkte
  • Wireless LAN
  • Kommunikationsgeräte
  • RF Transceiver-Modul

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L (nH)
Qmin.
RDC max. (Ω)
IR (mA)
fres (GHz)
Muster
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Nennstrom 300 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Nennstrom 700 mA
Eigenresonanzfrequenz 12 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1.2 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 0.35 Ω
Nennstrom 300 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1.2 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Nennstrom 700 mA
Eigenresonanzfrequenz 12 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1.4 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.4 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 0.45 Ω
Nennstrom 250 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1.5 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Nennstrom 700 mA
Eigenresonanzfrequenz 10 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1.8 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 0.55 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 9 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 1.8 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Nennstrom 560 mA
Eigenresonanzfrequenz 10 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 2 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 2.2 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Nennstrom 440 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 2.7 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 0.8 Ω
Nennstrom 150 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 2.7 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Nennstrom 440 mA
Eigenresonanzfrequenz 8 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 3.3 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 1 Ω
Nennstrom 150 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 3.3 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.4 Ω
Nennstrom 380 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 3.6 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.6 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.55 Ω
Nennstrom 380 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 3.9 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 1.2 Ω
Nennstrom 150 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 3.9 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.5 Ω
Nennstrom 340 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 4.3 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.3 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.65 Ω
Nennstrom 320 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 4.7 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 1.4 Ω
Nennstrom 130 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 4.7 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.6 Ω
Nennstrom 320 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 5.1 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.1 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.75 Ω
Nennstrom 300 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 5.6 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 1.8 Ω
Nennstrom 130 mA
Eigenresonanzfrequenz 4 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 5.6 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Nennstrom 280 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 5.8 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.8 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.85 Ω
Nennstrom 280 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 6.2 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.9 Ω
Nennstrom 270 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 6.8 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 0.9 Ω
Nennstrom 260 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 7.2 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.2 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 1.05 Ω
Nennstrom 260 mA
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 8.2 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 3 Ω
Nennstrom 110 mA
Eigenresonanzfrequenz 3 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 8.2 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 1.1 Ω
Nennstrom 220 mA
Eigenresonanzfrequenz 5 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 10 nH, 8
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 nH
Güte
Gleichstromwiderstand 3.5 Ω
Nennstrom 80 mA
Eigenresonanzfrequenz 2 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 10 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 1.3 Ω
Nennstrom 200 mA
Eigenresonanzfrequenz 4.5 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 12 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 1.6 Ω
Nennstrom 180 mA
Eigenresonanzfrequenz 3.7 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 15 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 1.8 Ω
Nennstrom 130 mA
Eigenresonanzfrequenz 3.3 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 18 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 2 Ω
Nennstrom 100 mA
Eigenresonanzfrequenz 3.1 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 22 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 2.6 Ω
Nennstrom 90 mA
Eigenresonanzfrequenz 2.8 GHz
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität, 27 nH, 13
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 nH
Güte 13 
Gleichstromwiderstand 3.25 Ω
Nennstrom 75 mA
Eigenresonanzfrequenz 2.5 GHz