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Details
| Topologie | FPGA |
| IC-Revision | 1.0 |
Beschreibung
The ZCU102 Evaluation Kit enables designers to jumpstart designs for Automotive, Industrial, Video and Communications applications. This kit features a Zynq UltraScale+™ MPSoC device with a quad-core ARM® Cortex-A53, dual-core Cortex-R5 real-time processors, and a Mali-400 MP2 graphics processing unit based on Xilinx's 16nm FinFET+ programmable logic fabric. The ZCU102 supports all major peripherals and interfaces enabling development for a wide range of applications.
Eigenschaften
XCZU9EG-2FFVB1156I MPSoC
- PL VCCINT for range in datasheet
- Form factor for PCIe Gen2x4 Host, Micro-ATX chassis footprint
- Configuration from QSPI
- Configuration from SD card
- Configuration over JTAG with PC4 header
- Configuration over JTAG with ARM 20-pin header
- Configuration over USB-to-JTAG Bridge
- Clocks (PL-system, PS_CLK, Programmable Clock, SMA, SMA_GT_REF, Ethernet, USB)
- PS DDR4 64-bit SODIMM w/ ECC
- PL DDR4 Component (16-bit)
- PS GTR assignment° SATA° DisplayPort° USB3° PCIe Gen2x4 Root Port
- PL GTH assignment° FMC #1 (8 GTH) and FMC #2 (8 GTH) PL GT assignment° HDMI (3 GTH) PL GT assignment° SFP+ (4 GTH) PL GT assignment° SMA (1 GTH) PL GT assignment
- PL FMC HPC #1 Connectivity - Full LA Bus
- PL FMC HPC #2 Connectivity - Partial LA Bus
- PS MIO: QSPI
- PS MIO: Ethernet
- PS MIO: USB2 (same connector as USB3)
- PS MIO: SD
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | IR(A) | RDC max.(mΩ) | VT(V (RMS)) | Material | Version | Qmin. | LR(nH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Datenrate | PoE | Ports | Tab | Improved CMRR | Betriebstemperatur | LED | PHY-Chipmodus | Montageart | Shield Tabs | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 150 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität150 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | – | Höhe6.8 mm | Breite7 mm | Nennstrom25 A | – | – | MaterialMnZn | – | – | Nenninduktivität150 nH | Performance Nennstrom54.3 A | Sättigungsstrom 153.8 A | Sättigungsstrom @ 30%60.7 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität200 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | – | Höhe6.8 mm | Breite7 mm | Nennstrom25 A | – | – | MaterialMnZn | – | – | Nenninduktivität198 nH | Performance Nennstrom54.3 A | Sättigungsstrom 144 A | Sättigungsstrom @ 30%50.4 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität250 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.165 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | – | Höhe9 mm | Breite13 mm | Nennstrom47.5 A | – | – | MaterialMnZn | – | – | Nenninduktivität245 nH | Performance Nennstrom76.6 A | Sättigungsstrom 175.6 A | Sättigungsstrom @ 30%88.5 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität470 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand2.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz280 MHz | – | Höhe4 mm | Breite5.3 mm | – | Gleichstromwiderstand3.025 mΩ | – | MaterialSuperflux | VersionSMT | – | Nenninduktivität340 nH | Performance Nennstrom19.5 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%16 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 470 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität470 nH | – | – | Sättigungsstrom31 A | – | Eigenresonanzfrequenz91 MHz | – | Höhe2.8 mm | Breite6.6 mm | Nennstrom11.5 A | Gleichstromwiderstand4.2 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | Performance Nennstrom16.6 A | Sättigungsstrom 121.4 A | Sättigungsstrom @ 30%37.8 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität680 nH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz108 MHz | – | Höhe9.5 mm | Breite11.4 mm | Nennstrom26 A | Gleichstromwiderstand1.85 mΩ | – | MaterialFerrite | VersionSMT | – | Nenninduktivität660 nH | Performance Nennstrom40.2 A | Sättigungsstrom 135.8 A | Sättigungsstrom @ 30%39.1 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 680 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität680 nH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | – | Höhe1.8 mm | Breite5.2 mm | – | Gleichstromwiderstand12.4 mΩ | – | – | – | – | – | Performance Nennstrom9.4 A | Sättigungsstrom 19.8 A | Sättigungsstrom @ 30%17.8 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1150 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1150 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand8.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz84 MHz | – | Höhe3 mm | Breite6.9 mm | – | Gleichstromwiderstand9.46 mΩ | – | MaterialSuperflux | VersionSMT | – | Nenninduktivität1000 nH | Performance Nennstrom11.8 A | Sättigungsstrom 17.5 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1500 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität1500 nH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | – | Höhe4.8 mm | Breite6.6 mm | – | Gleichstromwiderstand9 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | Performance Nennstrom11.3 A | Sättigungsstrom 19.7 A | Sättigungsstrom @ 30%18.7 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2000 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand14.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | – | Höhe3 mm | Breite6.9 mm | – | Gleichstromwiderstand15.62 mΩ | – | MaterialSuperflux | VersionSMT | – | Nenninduktivität1550 nH | Performance Nennstrom8.7 A | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2200 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität2200 nH | – | – | Sättigungsstrom3.6 A | – | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | – | Höhe1.8 mm | Breite4.8 mm | Nennstrom2.1 A | Gleichstromwiderstand66 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2200 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität2200 nH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz49 MHz | – | Höhe1.8 mm | Breite4.06 mm | – | Gleichstromwiderstand61 mΩ | – | – | – | – | – | Performance Nennstrom4.05 A | Sättigungsstrom 14.45 A | Sättigungsstrom @ 30%8.4 A | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-PD2SR SMT-Speicherdrossel, 3900 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2SR SMT-Speicherdrossel | Induktivität3900 nH | – | – | Sättigungsstrom4 A | – | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | – | Höhe4.8 mm | Breite7 mm | Nennstrom3.8 A | Gleichstromwiderstand20 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität10000 nH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom0.125 A | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | Gleichstromwiderstand390 mΩ | – | – | VersionSMT | Güte [1]27 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-RJ45 LAN Übertrager, 350000 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-RJ45 LAN Übertrager | Induktivität350000 nH | – | – | – | – | – | – | Höhe13.9 mm | Breite16.79 mm | – | – | Prüfspannung1500 V (RMS) | – | VersionTHT | – | – | – | – | – | Datenrate1000BASE-T | PoEkein-PoE | Ports1 | Tab PositionOben | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | LED (Links-Rechts)grün-grün | PHY-Chipmoduscurrent & voltage | MontageartTHT | Shield TabsJa |