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IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (106)

ReferenzdesignXCZU9EG-2FFVB1156 | Demoboard ZCU102 Evaluation Kit

Xilinx XCZU9EG-2FFVB1156 | Demoboard ZCU102 Evaluation Kit

ZCU102 Evaluation Board

Details

TopologieFPGA
IC-Revision1.0

Beschreibung

The ZCU102 Evaluation Kit enables designers to jumpstart designs for Automotive, Industrial, Video and Communications applications. This kit features a Zynq UltraScale+™ MPSoC device with a quad-core ARM® Cortex-A53, dual-core Cortex-R5 real-time processors, and a Mali-400 MP2 graphics processing unit based on Xilinx's 16nm FinFET+ programmable logic fabric. The ZCU102 supports all major peripherals and interfaces enabling development for a wide range of applications.

Eigenschaften

XCZU9EG-2FFVB1156I MPSoC

  • PL VCCINT for range in datasheet
  • Form factor for PCIe Gen2x4 Host, Micro-ATX chassis footprint
  • Configuration from QSPI
  • Configuration from SD card
  • Configuration over JTAG with PC4 header
  • Configuration over JTAG with ARM 20-pin header
  • Configuration over USB-to-JTAG Bridge
  • Clocks (PL-system, PS_CLK, Programmable Clock, SMA, SMA_GT_REF, Ethernet, USB)
  • PS DDR4 64-bit SODIMM w/ ECC
  • PL DDR4 Component (16-bit)
  • PS GTR assignment° SATA° DisplayPort° USB3° PCIe Gen2x4 Root Port
  • PL GTH assignment° FMC #1 (8 GTH) and FMC #2 (8 GTH) PL GT assignment° HDMI (3 GTH) PL GT assignment° SFP+ (4 GTH) PL GT assignment° SMA (1 GTH) PL GT assignment
  • PL FMC HPC #1 Connectivity - Full LA Bus
  • PL FMC HPC #2 Connectivity - Partial LA Bus
  • PS MIO: QSPI
  • PS MIO: Ethernet
  • PS MIO: USB2 (same connector as USB3)
  • PS MIO: SD

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(nH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
VT(V (RMS))
Material
Version
Qmin.
LR(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Datenrate
PoE
Ports
Tab
Improved CMRR
Betriebstemperatur
LED
PHY-Chipmodus
Montageart
Shield Tabs
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744308015
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 150 nH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität150 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
–
Höhe6.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom25 A
–
–
MaterialMnZn 
–
–
Nenninduktivität150 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 153.8 A
Sättigungsstrom @ 30%60.7 A
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744308020
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität200 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
–
Höhe6.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom25 A
–
–
MaterialMnZn 
–
–
Nenninduktivität198 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 144 A
Sättigungsstrom @ 30%50.4 A
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744309025
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität250 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
–
Höhe9 mm
Breite13 mm
Nennstrom47.5 A
–
–
MaterialMnZn 
–
–
Nenninduktivität245 nH
Performance Nennstrom76.6 A
Sättigungsstrom 175.6 A
Sättigungsstrom @ 30%88.5 A
Verpackungseinheit300 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744316047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität470 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
–
Höhe4 mm
Breite5.3 mm
–
Gleichstromwiderstand3.025 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
–
Nenninduktivität340 nH
Performance Nennstrom19.5 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Verpackungseinheit1500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744373460047
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 470 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität470 nH
–
–
Sättigungsstrom31 A
–
Eigenresonanzfrequenz91 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite6.6 mm
Nennstrom11.5 A
Gleichstromwiderstand4.2 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 121.4 A
Sättigungsstrom @ 30%37.8 A
Verpackungseinheit1000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443320068
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität680 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
–
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
–
MaterialFerrite 
VersionSMT 
–
Nenninduktivität660 nH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Verpackungseinheit300 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744373340068
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 680 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität680 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite5.2 mm
–
Gleichstromwiderstand12.4 mΩ
–
–
–
–
–
Performance Nennstrom9.4 A
Sättigungsstrom 19.8 A
Sättigungsstrom @ 30%17.8 A
Verpackungseinheit3000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744310115
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1150 nH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1150 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand8.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
–
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand9.46 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
–
Nenninduktivität1000 nH
Performance Nennstrom11.8 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Verpackungseinheit1500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74437349015
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1500 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität1500 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
–
Höhe4.8 mm
Breite6.6 mm
–
Gleichstromwiderstand9 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
Performance Nennstrom11.3 A
Sättigungsstrom 19.7 A
Sättigungsstrom @ 30%18.7 A
Verpackungseinheit800 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744310200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2000 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand14.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
–
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand15.62 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
–
Nenninduktivität1550 nH
Performance Nennstrom8.7 A
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Verpackungseinheit1500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74408941022
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2200 nH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität2200 nH
–
–
Sättigungsstrom3.6 A
–
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand66 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74437324022
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität2200 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz49 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
–
Gleichstromwiderstand61 mΩ
–
–
–
–
–
Performance Nennstrom4.05 A
Sättigungsstrom 14.45 A
Sättigungsstrom @ 30%8.4 A
Verpackungseinheit3000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744787039
SPECWE-PD2SR SMT-Speicherdrossel, 3900 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD2SR SMT-Speicherdrossel
Induktivität3900 nH
–
–
Sättigungsstrom4 A
–
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
–
Höhe4.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom3.8 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit1000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74479887310A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Induktivität10000 nH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
–
Gleichstromwiderstand390 mΩ
–
–
VersionSMT 
Güte [1]27 
–
–
–
–
Verpackungseinheit3000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
7499111221A
SPECWE-RJ45 LAN Übertrager, 350000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-RJ45 LAN Übertrager
Induktivität350000 nH
–
–
–
–
–
–
Höhe13.9 mm
Breite16.79 mm
–
–
Prüfspannung1500 V (RMS)
–
VersionTHT 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit28 
Datenrate1000BASE-T 
PoEkein-PoE 
Ports1 
Tab PositionOben 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
LED (Links-Rechts)grün-grün 
PHY-Chipmoduscurrent & voltage 
MontageartTHT 
Shield TabsJa 
–Verfügbarkeit prüfen