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Details
| Topologie | FPGA |
| IC-Revision | 1.1 |
Beschreibung
The Virtex® UltraScale+™ FPGA VCU118 Evaluation Kit is the ideal development environment for evaluating the cutting edge Virtex UltraScale+ FPGAs. Virtex UltraScale+ devices provide the highest performance and integration capabilities in a FinFET node, including both the highest serial I/O and signal processing bandwidth, as well as the highest on-chip memory density.This kit is ideal for prototyping applications ranging from 1+ Tb/s networking and data center to fully integrated radar/early-warning systems.
Eigenschaften
Virtex UltraScale+ XCVU9P-L2FLGA2104 device
- Zynq®-7000 AP SoC XC7Z010 based system controller
- Two 2.5 GB DDR4 80-bit component memory interfaces (five [256 Mb x 16] deviceseach)
- 288 MB 72-bit RLD3 memory interface comprised of two 1.125 Gb 36-bit devices
- 1 Gb (128 MB) linear x16 BPI flash memory
- USB JTAG interface using a Digilent module with separate micro-B USB connector
- Clock sources:° Si5335A quad clock generator° Three Si570 I2C programmable LVDS clock generators° One SG5032 fixed 250 MHz LVDS clock generator° Si5328B clock multiplier and jitter attenuator for QSFP° Subminiature version A (SMA) connectors (differential)
- 52 GTY transceivers (13 Quads)° FMC+ HSPC connector (twenty-four GTY transceivers)° 2x28 Gb/s QSFP+ connectors (eight GTY transceivers)° Samtec Firefly connector (four GTY transceiver)° PCIe 16-lane edge connector (sixteen GTY transceivers)
- PCI Express endpoint connectivity° Gen1 16-lane (x16)° Gen2 16-lane (x16)° Gen3 8-lane (x8)
- Ethernet PHY SGMII interface with RJ-45 connector
- Dual USB-to-UART bridge with micro-B USB connector
- I2C bus
- Status LEDs
- User I/O (4-pole DIP switch, 6 each push-button switches, 8 x LED)
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Ersatzartikel | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | IR(A) | RDC max.(mΩ) | VT(V (RMS)) | Material | Version | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Qmin. | LR(µH) | Datenrate | PoE | Ports | Tab | Improved CMRR | Betriebstemperatur | LED | PHY-Chipmodus | Montageart | Shield Tabs | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.22 µH | – | – | – | Gleichstromwiderstand1.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz290 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite6.9 mm | – | Gleichstromwiderstand1.1 mΩ | – | MaterialSuperflux | VersionSMT | Performance Nennstrom36.4 A | Sättigungsstrom 115 A | Sättigungsstrom @ 30%32 A | – | Nenninduktivität0.18 µH | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.68 µH | – | – | – | Gleichstromwiderstand3.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz105 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite6.9 mm | – | Gleichstromwiderstand3.41 mΩ | – | MaterialSuperflux | VersionSMT | Performance Nennstrom20.9 A | Sättigungsstrom 19.5 A | Sättigungsstrom @ 30%20 A | – | Nenninduktivität0.52 µH | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.68 µH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz108 MHz | – | Höhe9.5 mm | Breite11.4 mm | Nennstrom26 A | Gleichstromwiderstand1.85 mΩ | – | MaterialFerrite | VersionSMT | Performance Nennstrom40.2 A | Sättigungsstrom 135.8 A | Sättigungsstrom @ 30%39.1 A | – | Nenninduktivität0.66 µH | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 1 µH, 1450 mA | 74479787210A 74479887210A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität1 µH | Nennstrom 11450 mA | Nennstrom 21950 mA | Sättigungsstrom1150 mA | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | Gleichstromwiderstand75 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | – | Güte [1]23 | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | |
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | – | – | – | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite6.9 mm | – | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | – | MaterialSuperflux | VersionSMT | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | – | Nenninduktivität0.78 µH | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.2 µH | – | – | Sättigungsstrom3000 mA | – | Eigenresonanzfrequenz180 MHz | – | Höhe2.8 mm | Breite2.8 mm | Nennstrom2.6 A | Gleichstromwiderstand42 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | – | – | Sättigungsstrom3600 mA | – | Eigenresonanzfrequenz64 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite4.8 mm | Nennstrom2.6 A | Gleichstromwiderstand36 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom125 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | Gleichstromwiderstand390 mΩ | – | – | VersionSMT | – | – | – | Güte [1]27 | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-RJ45 LAN Übertrager, 350 µH, – | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-RJ45 LAN Übertrager | Induktivität350 µH | – | – | – | – | – | – | Höhe13.9 mm | Breite16.79 mm | – | – | Prüfspannung1500 V (RMS) | – | VersionTHT | – | – | – | – | – | Datenrate1000BASE-T | PoEkein-PoE | Ports1 | Tab PositionOben | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | LED (Links-Rechts)grün-grün | PHY-Chipmoduscurrent & voltage | MontageartTHT | Shield TabsJa |