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IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignXCKU5P-2FFVB676E | Demoboard KCU116

Xilinx XCKU5P-2FFVB676E | Demoboard KCU116

Xilinx Kintex UltraScale+ FPGA KCU116 Evaluation Kit

Details

TopologieFPGA
IC-Revision1

Beschreibung

The Kintex® UltraScale+™ FPGA KCU116 Evaluation Kit is ideal for evaluating key Kintex UltraScale+ features most notably 28Gbps transceiver performance. The Kintex UltraScale+ family provides the best price/performance/watt balance in a FinFET node, delivering the most cost-effective solution for high-end applications.

Eigenschaften

  • DDR4 component memory
  • High-definition multimedia interface (HDMI™)
  • Four zSmall form-factor pluggable plus (zSFP+) connectors
  • Eight-lane PCI Express® interface
  • Ethernet PHY
  • General purpose I/O
  • Two UART interfaces

Weiterführende Informationen

Von Xilinx freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
VT(V (RMS))
Material
Version
Qmin.
LR(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Datenrate
PoE
Ports
Tab
Improved CMRR
Betriebstemperatur
LED
PHY-Chipmodus
Montageart
Shield Tabs
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744308015
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 150 nH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität150 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
–
Höhe6.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom25 A
–
–
MaterialMnZn 
–
–
Nenninduktivität150 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 153.8 A
Sättigungsstrom @ 30%60.7 A
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744308020
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität200 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
–
Höhe6.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom25 A
–
–
MaterialMnZn 
–
–
Nenninduktivität198 nH
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 144 A
Sättigungsstrom @ 30%50.4 A
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744309025
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität250 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
–
Höhe9 mm
Breite13 mm
Nennstrom47.5 A
–
–
MaterialMnZn 
–
–
Nenninduktivität245 nH
Performance Nennstrom76.6 A
Sättigungsstrom 175.6 A
Sättigungsstrom @ 30%88.5 A
Verpackungseinheit300 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744316047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität470 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
–
Höhe4 mm
Breite5.3 mm
–
Gleichstromwiderstand3.025 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
–
Nenninduktivität340 nH
Performance Nennstrom19.5 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Verpackungseinheit1500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443320068
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität680 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
–
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
–
MaterialFerrite 
VersionSMT 
–
Nenninduktivität660 nH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Verpackungseinheit300 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744373340068
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 680 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität680 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite5.2 mm
–
Gleichstromwiderstand12.4 mΩ
–
–
–
–
–
Performance Nennstrom9.4 A
Sättigungsstrom 19.8 A
Sättigungsstrom @ 30%17.8 A
Verpackungseinheit3000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744025001
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität1200 nH
–
–
Sättigungsstrom3 A
–
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand42 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit550 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744310200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2000 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand14.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
–
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand15.62 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
–
Nenninduktivität1550 nH
Performance Nennstrom8.7 A
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Verpackungseinheit1500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74437324022
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität2200 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz49 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
–
Gleichstromwiderstand61 mΩ
–
–
–
–
–
Performance Nennstrom4.05 A
Sättigungsstrom 14.45 A
Sättigungsstrom @ 30%8.4 A
Verpackungseinheit3000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74408943033
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3300 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität3300 nH
–
–
Sättigungsstrom3.6 A
–
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744787039
SPECWE-PD2SR SMT-Speicherdrossel, 3900 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD2SR SMT-Speicherdrossel
Induktivität3900 nH
–
–
Sättigungsstrom4 A
–
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
–
Höhe4.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom3.8 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit1000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74479887310A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Induktivität10000 nH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
–
Gleichstromwiderstand390 mΩ
–
–
VersionSMT 
Güte [1]27 
–
–
–
–
Verpackungseinheit3000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74437324220
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität22000 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
–
Gleichstromwiderstand500 mΩ
–
–
–
–
–
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A
Verpackungseinheit3000 
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
7499111221A
SPECWE-RJ45 LAN Übertrager, 350000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-RJ45 LAN Übertrager
Induktivität350000 nH
–
–
–
–
–
–
Höhe13.9 mm
Breite16.79 mm
–
–
Prüfspannung1500 V (RMS)
–
VersionTHT 
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit28 
Datenrate1000BASE-T 
PoEkein-PoE 
Ports1 
Tab PositionOben 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
LED (Links-Rechts)grün-grün 
PHY-Chipmoduscurrent & voltage 
MontageartTHT 
Shield TabsJa 
–Verfügbarkeit prüfen