IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments TPS23734 | Demoboard TPS23734EVM-094

IEEE 802.3bt type 3 class 1-4 PoE PD with high efficiency DC-DC control

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung37-57 V
Ausgang 15 V / 5 A

Beschreibung

The TPS23734 device combines a Power over Ethernet (PoE) powered device (PD) interface, and a current-mode DC-DC controller optimized for flyback and active clamp forward (ACF) switching regulator designs . In the case of flyback configuration, the use of primary-side regulation (PSR) is supported. The PoE interface supports the IEEE 802.3bt and IEEE 802.3at standards for applications needing up to 25.5 W or less at PD input.Programmable spread spectrum frequency dithering (SSFD) is provided to minimize the size and cost of EMI filter. Advanced Startup with adjustable soft-start helps to use minimal bias capacitor while simplifying converter startup and hiccup design, also ensuring that IEEE 802.3bt/at startup requirements are met.The soft-stop feature minimizes stress on switching power FETs , allowing FET BOM cost reduction.The PSR feature of the DC-DC controller uses feedback from an auxiliary winding for control of the output voltage, eliminating the need for external shunt regulator and optocoupler. It is optimized for continuous conduction mode (CCM), and can work with secondary side synchronous rectification, resulting in optimum efficiency, regulation accuracy and step load response over multiple outputs.The DC-DC controller features slope compensation and blanking. Typical switching frequency is 250 kHz.The automatic MPS enables applications with low power modes or multiple power feeds. It automatically adjusts its pulsed current amplitude and duration according to PSE Type and system conditions, to maintain power while minimizing consumption.

Eigenschaften

  • Complete IEEE 802.3bt Type 3 (Class 1-4) and 802.3at PoE PD Solution
  • EA Gen 2 Logo-Ready (PoE 2 PD Controller)
  • Robust 100 V, 0.3 Ω (typ) Hotswap MOSFET
  • Supports Power Levels for up to 30-W Operation
  • Integrated PWM Controller for Flyback or Active Clamp Forward Configuration
  • Flyback Control with Primary-Side Regulation
  • Supports CCM Operation
  • ±1.5% (typ, 5-V Output) Load Regulation (0-100% load range) — with Sync FET
  • ±3% (typ, 12-V Output) Load Regulation (5-100% load range) — Diode Rectified
  • Also supports secondary-side regulation
  • Soft-Start Control with Advanced Startup and Hiccup Mode Overload Protection
  • Soft-Stop Shutdown
  • Adjustable Frequency with Synchronization
  • Programmable Frequency Dithering for EMI
  • Automatic Maintain Power Signature (MPS)
  • Auto-adjust to PSE Type and Load Current with Auto-stretch
  • Primary Adapter Priority Input
  • –40°C to 125°C Junction Temperature Range

Typische Anwendungen

  • IEEE 802.3bt compliant devices / Video and VoIP telephones / Access points / Pass-through system / Security cameras
  • Redundant power feeds or power sharing

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
Bauform
Q(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
IR(mA)
ISAT(A)
fres(MHz)
Pins
Farbe
Gender
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L1(µH)
IR 1(mA)
RDC1 max.(Ω)
VR(V)
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (AC))
Montageart
L(µH)
LSmin.(nH)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 590 nm, Gelb
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]590 nm
Emittierte FarbeGelb 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]595 nm
Lichtstärke [typ.]120 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.7 mm
VerpackungTape and Reel 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom1500 mA
Impedanz @ 100 MHz300 Ω
Maximale Impedanz450 Ω
Maximale Impedanz250 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
TypHochstrom 
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.15 Ω
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-SL5 Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge10 mm
Breite8.7 mm
Höhe6.5 mm
Nennstrom2800 mA
Pins
Impedanz @ 100 MHz800 Ω
Maximale Impedanz1200 Ω
Maximale Impedanz20 MHz 
Gleichstromwiderstand0.035 Ω
WicklungstypSektional 
Wicklungsanzahl
Induktivität [1]250 µH
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.035 Ω
Nennspannung80 V
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1000 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität250 µH
Streuinduktivität [min.]1500 nH
WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform7850 
Länge7 mm
Breite7.8 mm
Höhe5 mm
Nennstrom150 mA
Sättigungsstrom0.2 A
Eigenresonanzfrequenz1.6 MHz
Gleichstromwiderstand7.2 Ω
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität2200 µH
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität330 pF
Kapazität±5% 
Bauform0603 
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge2.44 mm
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
Pins
FarbeSchwarz 
GenderJumper 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
WE-LAN LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge17.55 mm
Breite16 mm
Höhe98.8 mm
Pad Dimension13.97 mm
Pins24 
Typ4PPoE (to 900 mA) 
Induktivität [1]350 µH
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität350 µH