IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments TPS23730 | Demoboard PMP23365

24V, 3A Class 8 PoE PD reference design with external hot swap and telemetry

Details

TopologieLAN / POE
Eingangsspannung24 V
IC-RevisionB

Beschreibung

This reference design implements a Power-over-Ethernet (PoE) power device (PD) active-clamp forward converter with 24V and 3A output. A TPS23730 PD with integrated pulse-width modulator (PWM) controller provides the necessary functions for the PoE PD and PWM control for the active-clamp forward converter. This design uses secondary-side regulation (SSR) with an optocoupler feedback. An external hot swap is added to enable Class-7 and 8 PD applications. INA237 is used on the primary side to monitor the DC/DC input voltage and current, and the power information is sent to the secondary side by either I2C isolator or optocoupler-based circuits.

Eigenschaften

IEEE 802.3bt Type 3 compliant PoE PDIntegrated PWM controller for flyback or active clamp forward configurationFrequency dithering for EMI reductionSoft-start control with advanced start-up and hiccup mode overload protectionSoft-stop shutdownOptional adapter input

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Version
Vin
VOut1(V (DC))
IOut1(A)
Vaux(V)
n
ISAT(A)
Bauform
Pins
Farbe
Gender
Verpackung
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Typ
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (RMS))
Montageart
L(µH)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 590 nm, Gelb
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]590 nm
Emittierte FarbeGelb 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]595 nm
Lichtstärke [typ.]120 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
VerpackungTape and Reel 
Höhe0.7 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionSMT 
Bauform0805 
Impedanz @ 100 MHz180 Ω
Maximale Impedanz202 Ω
Maximale Impedanz155 MHz 
Nennstrom3100 mA
Impedanz @ 1 GHz61 Ω
Höhe0.9 mm
TypHochstrom 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Performance Nennstrom6.4 A
Sättigungsstrom 16.25 A
Sättigungsstrom @ 30%7 A
Gleichstromwiderstand33.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz
MaterialMnZn 
VersionSMT 
Bauform1890 
Pins
Höhe8.9 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität47 µH
WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
FarbeSchwarz 
GenderJumper 
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
WE-LAN LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionSMT 
Übersetzungsverhältnis1:1 
Pins24 
Höhe98.8 mm
Typ4PPoE (to 900 mA) 
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität350 µH
WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionForward 
Input Voltage 36 - 57 V (DC)
Ausgangsspannung 124 V (DC)
Ausgangsstrom 12.5 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis2:2:1 
Sättigungsstrom1.8 A
BauformEFD20 
Höhe11.43 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität100 µH