| Topologie | LAN / POE |
| Eingangsspannung | 24 V |
| IC-Revision | B |
This reference design implements a Power-over-Ethernet (PoE) power device (PD) active-clamp forward converter with 24V and 3A output. A TPS23730 PD with integrated pulse-width modulator (PWM) controller provides the necessary functions for the PoE PD and PWM control for the active-clamp forward converter. This design uses secondary-side regulation (SSR) with an optocoupler feedback. An external hot swap is added to enable Class-7 and 8 PD applications. INA237 is used on the primary side to monitor the DC/DC input voltage and current, and the power information is sent to the secondary side by either I2C isolator or optocoupler-based circuits.
IEEE 802.3bt Type 3 compliant PoE PDIntegrated PWM controller for flyback or active clamp forward configurationFrequency dithering for EMI reductionSoft-start control with advanced start-up and hiccup mode overload protectionSoft-stop shutdownOptional adapter input
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | λDom typ.(nm) | Emittierte Farbe | λPeak typ.(nm) | IV typ.(mcd) | VF typ.(V) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Version | Vin | VOut1(V (DC)) | IOut1(A) | Vaux(V) | n | ISAT(A) | Bauform | Pins | Farbe | Gender | Verpackung | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR(mA) | Z @ 1 GHz(Ω) | H(mm) | Typ | Datenrate | Ports | PoE | Improved CMRR | Betriebstemperatur | VT(V (RMS)) | Montageart | L(µH) | Muster | |
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![]() | WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 590 nm, Gelb | Downloads27 Dateien Strahldaten
| Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear | dominante Wellenlänge [typ.]590 nm | Emittierte FarbeGelb | Spitzen-Wellenlänge [typ.]595 nm | Lichtstärke [typ.]120 mcd | Durchlassspannung [typ.]2 V | ChiptechnologieAlInGaP | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | – | – | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | Höhe0.7 mm | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | MontageartSMT | – | |||
![]() | WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | Bauform0805 | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz180 Ω | Maximale Impedanz202 Ω | Maximale Impedanz155 MHz | Nennstrom3100 mA | Impedanz @ 1 GHz61 Ω | Höhe0.9 mm | TypHochstrom | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | – | – | – | – | – | – | – | Performance Nennstrom6.4 A | Sättigungsstrom 16.25 A | Sättigungsstrom @ 30%7 A | Gleichstromwiderstand33.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz | MaterialMnZn | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | Bauform1890 | Pins2 | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe8.9 mm | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität47 µH | ||||
![]() | WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Kurzschlussbrücken | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Pins1 | FarbeSchwarz | GenderJumper | VerpackungBeutel | – | – | – | Nennstrom3000 mA | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | |||
![]() | WE-LAN LAN Übertrager, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LAN LAN Übertrager | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | Übersetzungsverhältnis1:1 | – | – | Pins24 | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe98.8 mm | Typ4PPoE (to 900 mA) | Datenrate10/100/1000BASE-T | Ports1 | PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität350 µH | ||||
![]() | WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionForward | Input Voltage 36 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 124 V (DC) | Ausgangsstrom 12.5 A | Hilfsspannung12 V | Übersetzungsverhältnis2:2:1 | Sättigungsstrom1.8 A | BauformEFD20 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe11.43 mm | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität100 µH |