| Topologie | Battery Management System |
| Eingangsspannung | 60-120 V |
| Ausgang 1 | 60 V |
| IC-Revision | A |
This reference design is a high-side, N-channel MOSFET control (up to 32s) battery pack, using the stacked BQ769x2 battery monitor family. This design monitors each cell voltage, pack current, cell and MOSFET temperature and protects the battery pack for secure safe use. The high-side N-channel MOSFET architecture and optimized driving circuits provide easy switch control. This reference design achieves low stand-by and ship-mode consumption and optimizes the current gaps between two groups. This reference design is for high-cell-count, high voltage and battery-pack applications.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | λDom typ.(nm) | Emittierte Farbe | λPeak typ.(nm) | IV typ.(mcd) | VF typ.(V) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | ISAT(A) | Bauform | Version | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(Ω) | Typ | Muster | |
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![]() | WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 625 nm, Rot | Downloads27 Dateien Strahldaten
| Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear | dominante Wellenlänge [typ.]625 nm | Emittierte FarbeRot | Spitzen-Wellenlänge [typ.]630 nm | Lichtstärke [typ.]250 mcd | Durchlassspannung [typ.]2 V | ChiptechnologieAlInGaP | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | Bauform0603 | – | – | – | – | – | – | – | |||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | Bauform0603 | VersionSMT | Impedanz @ 100 MHz600 Ω | Maximale Impedanz720 Ω | Maximale Impedanz200 MHz | Nennstrom 2850 mA | Gleichstromwiderstand0.45 Ω | TypBreitband | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität68 µH | Performance Nennstrom1.45 A | Sättigungsstrom @ 30%1.18 A | Gleichstromwiderstand240 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom0.95 A | Bauform7345 | VersionGestanzt | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.38 Ω | – | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | – | – | – | – | – | – | – | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom4.95 A | Sättigungsstrom @ 30%5.95 A | Gleichstromwiderstand39 mΩ | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom4.5 A | Bauform3015 | VersionSMT | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.047 Ω | – |