IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics STM32F767ZIT6 | Demoboard STEVAL-ETH001V1

High-performance and DSP with FPU, Arm Cortex-M7 MCU with 2 Mbytes of Flash memory, 216 MHz CPU, Art Accelerator, L1 cache, SDRAM, TFT, JPEG codec, DFSDM

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Beschreibung

The STM32F765xx, STM32F767xx, STM32F768Ax and STM32F769xx devices are based on the high-performance Arm® Cortex®-M7 32-bit RISC core operating at up to 216 MHz frequency. The Cortex®-M7 core features a floating point unit (FPU) which supports Arm® double-precision and single-precision data-processing instructions and data types. It also implements a full set of DSP instructions and a memory protection unit (MPU) which enhances the application security.The STM32F765xx, STM32F767xx, STM32F768Ax and STM32F769xx devices incorporate high-speed embedded memories with a Flash memory up to 2 Mbytes, 512 Kbytes of SRAM (including 128 Kbytes of Data TCM RAM for critical real-time data), 16 Kbytes of instruction TCM RAM (for critical real-time routines), 4 Kbytes of backup SRAM available in the lowest power modes, and an extensive range of enhanced I/Os and peripherals connected to two APB buses, two AHB buses, a 32-bit multi-AHB bus matrix and a multi layer AXI interconnect supporting internal and external memories access.All the devices offer three 12-bit ADCs, two DACs, a low-power RTC, twelve general-purpose 16-bit timers including two PWM timers for motor control, two general-purpose 32-bit timers, a true random number generator (RNG). They also feature standard and advanced communication interfaces.Advanced peripherals include two SDMMC interfaces, a flexible memory control (FMC) interface, a Quad-SPI Flash memory interface, a camera interface for CMOS sensors.The STM32F765xx, STM32F767xx, STM32F768Ax and STM32F769xx devices operate in the –40 to +105 °C temperature range from a 1.7 to 3.6 V power supply. Dedicated supply inputs for USB (OTG_FS and OTG_HS) and SDMMC2 (clock, command and 4-bit data) are available on all the packages except LQFP100 for a greater power supply choice.The supply voltage can drop to 1.7 V with the use of an external power supply supervisor. A comprehensive set of power-saving mode allows the design of low-power applications.The STM32F765xx, STM32F767xx, STM32F768Ax and STM32F769xx devices offer devices in 11 packages ranging from 100 pins to 216 pins. The set of included peripherals changes with the device chosen.These features make the STM32F765xx, STM32F767xx, STM32F768Ax and STM32F769xx microcontrollers suitable for a wide range of applications.

Eigenschaften

  • Core: Arm® 32-bit Cortex®-M7 CPU with DPFPU, ART Accelerator™ and L1-cache: 16 Kbytes I/D cache, allowing 0-wait state execution from embedded Flash and external memories, up to 216 MHz, MPU, 462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1), and DSP instructions.
  • Memories
  • Up to 2 Mbytes of Flash memory organized into two banks allowing read-while-write - SRAM: 512 Kbytes (including 128 Kbytes of data TCM RAM for critical real-time data) + 16 Kbytes of instruction TCM RAM (for critical real-time routines) + 4 Kbytes of backup SRAM
  • Flexible external memory controller with up to 32-bit data bus: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND memories
  • Dual mode Quad-SPI
  • Graphics
  • Chrom-ART Accelerator™ (DMA2D), graphical hardware accelerator enabling enhanced graphical user interface
  • Hardware JPEG codec
  • LCD-TFT controller supporting up to XGA resolution
  • MIPI® DSI host controller supporting up to 720p 30 Hz resolution
  • Clock, reset and supply management
  • 1.7 V to 3.6 V application supply and I/Os
  • POR, PDR, PVD and BOR
  • Dedicated USB power
  • 4-to-26 MHz crystal oscillator
  • Internal 16 MHz factory-trimmed RC (1% accuracy)
  • 32 kHz oscillator for RTC with calibration
  • Internal 32 kHz RC with calibration
  • Low-power
  • Sleep, Stop and Standby modes
  • VBAT supply for RTC, 32×32 bit backup registers + 4 Kbytes backup SRAM
  • 3×12-bit, 2.4 MSPS ADC: up to 24 channels
  • Digital filters for sigma delta modulator (DFSDM), 8 channels / 4 filters
  • 2×12-bit D/A converters
  • General-purpose DMA: 16-stream DMA controller with FIFOs and burst support
  • Up to 18 timers: up to thirteen 16-bit (1x low- power 16-bit timer available in Stop mode) and two 32-bit timers, each with up to 4 IC/OC/PWM or pulse counter and quadrature (incremental) encoder input. All 15 timers running up to 216 MHz. 2x watchdogs, SysTick timer
  • Debug mode
  • SWD & JTAG interfaces
  • Cortex®-M7 Trace Macrocell™
  • Up to 168 I/O ports with interrupt capability
  • Up to 164 fast I/Os up to 108 MHz
  • Up to 166 5 V-tolerant I/Os
  • Up to 28 communication interfaces
  • Up to 4 I2C interfaces (SMBus/PMBus)
  • Up to 4 USARTs/4 UARTs (12.5 Mbit/s, ISO7816 interface, LIN, IrDA, modem control)
  • Up to 6 SPIs (up to 54 Mbit/s), 3 with muxed simplex I2S for audio
  • 2 x SAIs (serial audio interface)
  • 3 × CANs (2.0B Active) and 2x SDMMCs
  • SPDIFRX interface
  • HDMI-CEC
  • MDIO slave interface
  • Advanced connectivity
  • USB 2.0 full-speed device/host/OTG controller with on-chip PHY
  • USB 2.0 high-speed/full-speed device/host/OTG controller with dedicated DMA, on-chip full-speed PHY and ULPI
  • 10/100 Ethernet MAC with dedicated DMA: supports IEEE 1588v2 hardware, MII/RMII
  • 8- to 14-bit camera interface up to 54 Mbyte/s
  • True random number generator
  • CRC calculation unit
  • RTC: subsecond accuracy, hardware calendar
  • 96-bit unique ID

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
Pins
PCB/Kabel/Panel
Modularity
Wire Section
λDom typ.(nm)
Farbe
λPeak typ.(nm)
λPeak G typ.(nm)
λPeak Y typ.(nm)
IV typ.(mcd)
IV G typ.(mcd)
IV Y typ.(mcd)
VF typ.(V)
VF G typ.(V)
VF Y typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
xPxC
Ausführung
Ports
Schirmung
Tab
EMI
LED
Anwendungssystem
IR(A)
Arbeitsspannung(V (AC))
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
Testbedingung IR 2
Z @ 1 GHz(Ω)
Typ
RDC max.(mΩ)
Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
Bauform2510 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge2.5 mm
Breite2 mm
Höhe1 mm
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom @ 30%1.7 A
Gleichstromwiderstand733 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Schirmunggeschirmt 
Nennstrom0.6 A
Gleichstromwiderstand843 mΩ
WR-TBL Serie 2535 - 5.08 mm Horizontal Entry Modular w. Rising Cage Clamp, 2, Käfigzugklemme
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
PCB/Kabel/PanelPCB 
ModularityJa 
Wire Section 12 to 30 (AWG) 0.05 to 3.31 (mm²)
Betriebstemperatur -30 °C up to +120 °C
Länge10.16 mm
VerpackungKarton 
MontageartTHT 
Nennstrom24 A
Arbeitsspannung450 V (AC)
TypHorizontal 
WR-TBL Serie 311 - 5.08 mm Close Vertical PCB Header, 3, Stiftleiste
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
PCB/Kabel/PanelPCB 
ModularityNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Länge16.64 mm
VerpackungKarton 
MontageartTHT 
AusführungGeschlossene Enden 
Nennstrom15 A
Arbeitsspannung320 V (AC)
TypGeschlossen, vertikale Steckrichtung 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge2 mm
Breite1.2 mm
Höhe0.0009 mm
Pad Dimension0.5 mm
MontageartSMT 
Nennstrom1.5 A
Impedanz @ 100 MHz600 Ω
Maximale Impedanz700 Ω
Maximale Impedanz150 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Nennstrom 2ΔT = 40 K 
Impedanz @ 1 GHz193 Ω
TypHochstrom 
Gleichstromwiderstand150 mΩ
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte600 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität2.2 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.05 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±20% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität470 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand1.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge (Grün) [typ.]570 nm
Spitzen-Wellenlänge (Gelb) [typ.]590 nm
Lichtstärke (Grün) [typ.]13 mcd
Lichtstärke (Gelb) [typ.]8 mcd
Durchlassspannung (Grün) [typ.]2.3 V
Durchlassspannung (Gelb) [typ.]2.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungTray 
MontageartTHT 
Anzahl der Pins (xPxC)8P8C 
Ports1x1 
Schirmunggeschirmt 
Tab PositionUnten 
EMI FingerJa 
LED (Links-Rechts)gelb-grün 
AnwendungssystemCAT 3 
Nennstrom1.5 A
Arbeitsspannung125 V (AC)
TypHorizontal 
WL-SMCC SMT Mono-color Chip LED Compact, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]625 nm
FarbeRot 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]630 nm
Lichtstärke [typ.]100 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
Bauform0402 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.4 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
WL-SMCC SMT Mono-color Chip LED Compact, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]570 nm
FarbeHellgrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]572 nm
Lichtstärke [typ.]50 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
Bauform0402 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.4 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
WL-SMCC SMT Mono-color Chip LED Compact, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]605 nm
FarbeBernstein 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]609 nm
Lichtstärke [typ.]80 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
Bauform0402 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.25 mm
MontageartSMT 
WE-TMSB SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TMSB SMT-Ferrit
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Gleichstromwiderstand220 mΩ
MontageartSMT 
Nennstrom0.85 A
Impedanz @ 100 MHz600 Ω
Maximale Impedanz720 Ω
Maximale Impedanz211 MHz 
Impedanz @ 1 GHz218 Ω
TypBreitband 
Gleichstromwiderstand250 mΩ