IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics PM8805 | Demoboard STEVAL-POE005V1

Details

TopologieLAN / POE
Eingangsspannung48-75 V
Ausgang 112 V / 8 A
IC-Revision1

Beschreibung

The PM8805 is a system-in-package for smart power supply of Power over Ethernet (PoE) Powered Devices (PD) and it is applicable for power level up to 99.9 W.It embeds: two active bridges and their driving circuitry, a charge pump to drive the high-side MOSFETs, the hot swap MOSFET and the interface compliant with IEEE 802.3bt.The device performs the physical layer classification, providing the indication of successful PSE type identification. A 4-pair PSE is identified and the information is available by a dedicated matrix of Tx signals.The device works with power either from the Ethernet cable or from an external power source such as a wall adapter, with possible prevalence of the auxiliary source with respect to the PoE.The PM8805 is suitable to build the interface section of PoE switch mode power supplies targeting the highest conversion efficiency. It provides a PGD signal that can be used to enable a PWM controller, a DC-DC converter or an LED driver.

Eigenschaften

  • Dual active bridge, hot swap MOSFETand PoE-PD interface in a system-in-package
  • 100 V N-ch MOSFETs with 0.2 Ω total path resistance for each active bridge.
  • 100 V, 0.1 Ω high-side N-ch hot swap MOSFET
  • PoE-PD single-signature interface compliant with IEEE 802.3bt / at / af
  • Supports 4-pair PoE applications
  • Supports 12 V auxiliary sources
  • Identifies which kind of PSE (standard or legacy) is connected with and provides successful IEEE802.3bt / at / af classification indication as a combination of the T0, T1 and T2 signals (open drain)
  • Smart operational modes
  • Programmable classification current with 3.3 ms delay.
  • Optional Autoclass feature
  • Advanced energy-saving MPS timings
  • Two-step hot swap current protection: DC with 1 ms delay and short-circuit with 10 us delay.
  • Controlled pre-charge of the output capacitor
  • PGD signal (open drain) to enable an external PWM controller.
  • Thermal shutdown protection

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
C
Tol. C
Bauform
Qmin.
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Q(%)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
RDC max.(Ω)
Drahttype
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L1(µH)
Zmax(Ω)
IR 1(mA)
RDC1 max.(Ω)
VR(V (DC))
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (AC))
Montageart
L(µH)
LSmin.(nH)
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 100 pF, ±5%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Bauform0805 
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe0.6 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Güte1000 %
Nennspannung50 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 220 pF, ±5%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität220 pF
Kapazität±5% 
Bauform0603 
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Güte1000 %
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 1 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), 1 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Güte [1]600 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSMH Mid and High Voltage, 1 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Güte600 %
Nennspannung250 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), 1.5 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1.5 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 10 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), 10 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSMH Mid and High Voltage, 10 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Güte600 %
Nennspannung250 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 22 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), 33 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität33 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Güte [1]600 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand3 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Güte [1]600 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Höhe1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 47 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität47 µF
Kapazität±20% 
Bauform1210 
Güte [1]600 
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.002 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite2.5 mm
Höhe2.5 mm
Pad Dimension0.75 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung16 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge10 mm
Breite8.7 mm
Höhe6.5 mm
Gleichstromwiderstand0.065 Ω
WicklungstypSektional 
Wicklungsanzahl
Induktivität [1]470 µH
Maximale Impedanz1800 Ω
Nennstrom [1]1600 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.065 Ω
Nennspannung80 V (DC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1000 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität470 µH
Streuinduktivität [min.]3000 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform5040 
Länge5.5 mm
Breite5.3 mm
Höhe4 mm
Performance Nennstrom5.5 A
Sättigungsstrom 12.4 A
Sättigungsstrom @ 30%4.6 A
Gleichstromwiderstand28.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand0.03135 Ω
Wicklungsanzahl15.5 
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
MontageartSMT 
Induktivität5.6 µH
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform2013 
Länge20.8 mm
Breite20.5 mm
Höhe13.5 mm
Performance Nennstrom16.15 A
Sättigungsstrom 122 A
Sättigungsstrom @ 30%23 A
Gleichstromwiderstand7.96 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MaterialMnZn 
Gleichstromwiderstand0.00876 Ω
DrahttypeFlach 
Wicklungsanzahl10.75 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität10 µH
WE-LAN LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge18.04 mm
Breite14.7 mm
Höhe9.05 mm
Pad Dimension13.97 mm
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Induktivität [1]180 µH
Datenrate1000 Base-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1500 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität180 µH