IC-Hersteller Renesas

IC-Hersteller (104)

Renesas XCVU040-2FFVA1156E

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(nH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
LR(nH)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität250 nH
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Höhe9 mm
Breite13 mm
Nennstrom47.5 A
MontageartSMT 
MaterialMnZn 
Performance Nennstrom76.6 A
Sättigungsstrom 175.6 A
Sättigungsstrom @ 30%88.5 A
Verpackungseinheit300 
Nenninduktivität245 nH
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Verpackungseinheit1000 
Nenninduktivität780 nH
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1150 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1150 nH
Gleichstromwiderstand8.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand9.46 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom11.8 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Verpackungseinheit1500 
Nenninduktivität1000 nH
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SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1200 nH
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit550 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2200 nH
Sättigungsstrom4.6 A
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom3 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit500 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3300 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3300 nH
Sättigungsstrom3.6 A
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit500 
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SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10000 nH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand390 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit3000 
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SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22000 nH
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A
Verpackungseinheit3000 
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