IC-Hersteller Infineon Technologies

IC-Hersteller (103)

Infineon Technologies 1ED3012MC12I | Demoboard EVAL-1ED3012MC12I-SIC

Evaluation board for 1ED3012MC12I - 6.5 A, 5.7 kV (rms) single -channel galvanic isolated gate driver with Opto-emulator Input

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung3-5.5 V
Ausgang 118 V / 6.5 A
Ausgang 2-3 V / 6.5 A
IC-Revision1.0

Beschreibung

The EVAL-1ED3012MC12I-SiC Evaluation Board is designed to be used by engineers to evaluate the1ED3012MC12I EiceDRIVER™ isolated gate driver ICs and discrete power switches from Infineon in a half-bridgeconfiguration. The evaluation board can be used to evaluate other pin-compatible ICs from the 1ED301xMC12Igate driver family by replacing the gate driver ICs on the board

Eigenschaften

Infineon IMZC120R012M2H CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFETs in TO247-4 (unassembled) in a half-bridgeconfiguration

  • PCB layout designed to ensure optimal switching performance of the half-bridge
  • Built-in configurable on-board isolated power supply for the gate driver output side, easily adjustable togenerate typical bipolar driving voltages
  • Built-in power supply for gate driver input side, easily configurable to generate 3.3 V or 5 V
  • Fast short circuit protection and feedback
  • UVLO for all the gate driver supply voltages
  • Interlocked PWM inputs for shoot-through protection
  • Test points for monitoring critical signals

Typische Anwendungen

  • Gate drivers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturDF
(%)
RISOKeramiktypB
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungSchlüsselweite
(mm)
TiEndurance
(h)
IRIPPLE
(mA)
ILeak
(µA)
Ø D
(mm)
RTol. RPRated
(W)
TCR
(ppm/ °C)
TCR
(ppm/ °C)
VE
(V)
PinsVersionTypMontageartIR
(A)
Arbeitsspannung
(V (AC))
PolesL
(mm)
Dampfphasenprozess Muster
150060VS75000SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear 570 Hellgrün 572 40 2 AlInGaP 140 0603 -40 °C up to +85 °C 0.8 0.7 Tape and Reel SMT 1.6
150060RS75000SPEC
26 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear 625 Rot 630 250 2 AlInGaP 140 0603 -40 °C up to +85 °C 0.8 0.7 Tape and Reel SMT 1.6
865090445008SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-ASLU Aluminium-Elektrolytkondensatoren100 µF ±20% 25 6.3 x 7.7 -40 °C up to +85 °C 161 MΩ 6.6 15" Tape & Reel 1000 102 5 6.3 SMT V-Chip SMT 7.7
885012206053SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)100 pF ±10% 25 0603 -55 °C up to +125 °C 3.510 GΩ X7R Klasse II 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 1.6
885012206076SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC)1 µF ±10% 25 0603 -55 °C up to +125 °C 100.5 GΩ X7R Klasse II 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 1.6
885012206095SPEC
9 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC)100 nF ±10% 50 0603 -55 °C up to +125 °C 35 GΩ X7R Klasse II 0.8 0.8 0.4 7" Tape & Reel 1.6
61201621621SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-BHD 2.54 mm Wannenstiftleiste -40 °C up to +105 °C1000 MΩ Tray 16 Low Profile Gerade THT 3 250 27.98
416131160804SPEC
6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WS-DISV Small Compact SMT Flat Actuator with Top Tape 1.27 mm 24 -40 °C up to +85 °C100 MΩ Tape and Reel 4 4 6.25 Ja
970150365SPEC
3 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WA-SPAII Plastic Spacer Stud, metric, internal/ internal -30 °C up to +110 °C Beutel 6 M3 15
61300211121SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD Stiftleisten - Einreihig -40 °C up to +105 °C1000 MΩ Beutel 2 Gerade THT 3 250 5.08
560112132007SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WRIS-RSKS Dickschicht Widerstand 1206 -55 °C up to +155 °C 1.6 0.60 Ω +0.05Ω/-0Ω 0.25 SMT 2 3.1
560112116009SPEC
8 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WRIS-RSKS Dickschicht Widerstand 0603 -55 °C up to +155 °C 0.8 0.45100 Ω ±1% 0.1 -100 100 75 SMT 1.6
560112116020SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WRIS-RSKS Dickschicht Widerstand 0603 -55 °C up to +155 °C 0.8 0.45330 Ω ±1% 0.1 -100 100 75 SMT 1.6
560112116098SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WRIS-RSKS Dickschicht Widerstand 0603 -55 °C up to +155 °C 0.8 0.452.2 kΩ ±1% 0.1 -100 100 75 SMT 1.6
560112116120SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WRIS-RSKS Dickschicht Widerstand 0603 -55 °C up to +155 °C 0.8 0.451.21 kΩ ±1% 0.1 -100 100 75 SMT 1.6
750319377SPEC
Neu i| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. Auxiliary Gate Drive Transformer 2015 -40 °C up to +125 °C 15.32 10.3 LLC SMT 20.48
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieλDom typ.
(nm)
FarbeλPeak typ.
(nm)
IV typ.
(mcd)
VF typ.
(V)
Chiptechnologie50% typ.
(°)
CTol. CVR
(V (DC))
BauformBetriebstemperaturDF
(%)
RISOKeramiktypB
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
VerpackungSchlüsselweite
(mm)
TiEndurance
(h)
IRIPPLE
(mA)
ILeak
(µA)
Ø D
(mm)
RTol. RPRated
(W)
TCR
(ppm/ °C)
TCR
(ppm/ °C)
VE
(V)
PinsVersionTypMontageartIR
(A)
Arbeitsspannung
(V (AC))
PolesL
(mm)
Dampfphasenprozess Muster