IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC7890 | Demoboard EVAL-LTC7890-AZ

High Frequency, Dual Output, Step-Down Supply with EPC GaN FETs

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung14-72 V
Schaltfrequenz500-600 kHz
Ausgang 112 V / 20 A
Ausgang 25 V / 20 A

Beschreibung

Evaluation circuit EVAL-LTC7890-AZ is a dual output synchronous step-down converter that drives all N-channel gallium nitride (GaN) field effect transistors (FETs). The EVAL-LTC7890-AZ evaluation board features EPC2218 100V FETs from EPC.EVAL-LTC7890-AZ features the LTC®7890: a low quiescent current high frequency (programmable fixed frequency from 100kHz up to 3MHz) dual step-down DC/DC synchronous controller, with a dedicated driver feature for GaN FETs housed in a small 6mm × 6mm QFN package.

Eigenschaften

  • GaN drive technology fully optimized for GaN FETs
  • Wide VIN range: 4 V to 100 V
  • Wide output voltage range: 0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
  • No catch, clamp, or bootstrap diodes needed
  • Internal smart bootstrap switches prevent overcharging of high-side driver supplies
  • Internally optimized, smart near zero dead times or resistor adjustable dead times
  • Split output gate drivers for adjustable turn on and turn off driver strengths
  • Accurate adjustable driver voltage and UVLO
  • Low IQ: 5 μA (48 VIN to 5 VOUT, Ch 1 On)
  • Programmable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Synchronizable frequency (100 kHz to 3 MHz)
  • Spread spectrum frequency modulation
  • 40-lead (6 mm × 6 mm), side wettable, QFN package

Typische Anwendungen

  • Cabin Experience and Infotainment Solutions; Rear Seat Entertainment and Cluster Display Solutions
  • Data Center Solutions ; Server Equipment
  • Industrial power systems
  • Medical Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT,10%
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC max.
(mΩ)
fres
(MHz)
DrahttypeL
(mm)
TiØ OD
(mm)
Ø ID
(mm)
VPEPins
(pcs)
ReihenH
(mm)
GenderTypIR
(A)
Verpackung Muster
7443642010200SPEC
10 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität 2 50.3 25.5 30 0.92 30 Flach 19.8 10 50.3
9774010243RSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

6 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WA-SMSI SMT Stahl Spacer mit Innengewinde M2 1 M2 4.35 2.8 1500 Tape and Reel
60800213421SPEC
3 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.00 mm Jumper with Test Point 1000 2 Jumper 3 Beutel
62000621121SPEC
7 Dateien Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.WR-PHD 2.00 mm THT Dual Pin Header 6 1000 6 Dual Pin Header Gerade 2 Beutel
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
7443642010200SPEC
9774010243RSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

60800213421SPEC
62000621121SPEC
Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads Status ProduktserieL
(µH)
IRP,40K
(A)
ISAT,10%
(A)
ISAT,30%
(A)
RDC max.
(mΩ)
fres
(MHz)
DrahttypeL
(mm)
TiØ OD
(mm)
Ø ID
(mm)
VPEPins
(pcs)
ReihenH
(mm)
GenderTypIR
(A)
Verpackung Muster