IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADIN1101 | Demoboard AD-RPI-T1LPSE-SL

2-port 10BASE-T1L RPi-based PLCS/DCS/Field Switch with SPoE PSE

Details

TopologieLAN / POE
Eingangsspannung20-60 V
IC-RevisionC

Beschreibung

The AD-RPI-T1LPSE-SL is a 10BASE-T1L MAC/PHY interface with Single Pair Power over Ethernet (SPoE), designed for developing field devices and applications on the Raspberry Pi platform. It functions as Power Sourcing Equipment (PSE), capable of delivering power to other devices over a 10BASE-T1L network.The board can be powered via USB-C (M1, up to 20V) or through a Pluggable Terminal Block (P21, up to 60V). A synchronous step-down DC-DC converter supplies a regulated 5V to the Raspberry Pi.The system supports SPoE Class 10–12 (nominal 24V) and Class 13–14 (nominal 55V), enabling flexible power configurations for various industrial and embedded applications.Designed for use on the Raspberry Pi platform, the AD-RPI-T1LPSE-SL hardware features a 40-pin GPIO header and uses an extended version of the standard HAT.

Eigenschaften

Software-controlled power and data forwardingMultiple SPoE classesOn-board 24V/54V power supplyExternal power supply optionOn-board PSE controllerCompatible with Raspberry Pi 3+Multiple USB power optionsSerial Communication Classification Protocol (SCCP)-ready

Typische Anwendungen

  • Process control
  • Internet of Things
  • Factory automation

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
Endurance(h)
RESR(mΩ)
Ø D(mm)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L(µH)
IR(mA)
VR(V (DC))
Kanäle
Polarität
VCh max.(V)
ICh Leak max.(µA)
VBR min.(V)
CCh typ.(pF)
IPeak(A)
VCh Clamp ESD typ.(V)
VESD Contact(kV)
L1(µH)
L2(µH)
IR 1(mA)
ISAT 1(A)
RDC1 typ(Ω)
RDC2 typ(Ω)
RDC1 max(Ω)
RDC2 max(Ω)
fres(MHz)
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), 47 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität47 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand2.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V (DC)
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor5 %
Isolationswiderstand1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V (DC)
WCAP-HTG5 General Purpose 105°C, 56 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität56 µF
Kapazität±20% 
Betriebstemperatur -55 °C up to +105 °C
Verlustfaktor16 %
Länge12.5 mm
VerpackungAmmopack 
Rippelstrom2400 mA
Leckstrom35.3 µA
Endurance 10000
ESR (Serienersatzwiderstand)22 mΩ
Durchmesser10 mm
Nennspannung63 V (DC)
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Impedanz @ 100 MHz1000 Ω
Maximale Impedanz1050 Ω
Maximale Impedanz120 MHz 
Nennstrom 2830 mA
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
TypBreitband 
Wicklungsanzahl
Nennstrom600 mA
Nennstrom 1600 mA
WE-SL2 Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge9.2 mm
Breite6 mm
Höhe5 mm
Maximale Impedanz6000 Ω
Gleichstromwiderstand0.207 Ω
Wicklungstypbifilar 
Wicklungsanzahl
Induktivität1000 µH
Nennstrom800 mA
Nennspannung80 V (DC)
WE-DD SMT-Doppeldrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1280 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge12.5 mm
Breite12.5 mm
Höhe8.5 mm
Nennstrom 2900 mA
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
TypGekreuzt 
Induktivität220 µH
Nennstrom900 mA
Induktivität 1220 µH
Induktivität 2220 µH
Nennstrom 1900 mA
Sättigungsstrom [1]1.4 A
Gleichstromwiderstand 10.53 Ω
Gleichstromwiderstand 20.53 Ω
Gleichstromwiderstand 10.65 Ω
Gleichstromwiderstand 20.65 Ω
Eigenresonanzfrequenz2 MHz
WE-TVS TVS Diode – Super Speed Series, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BauformDFN1210-6L 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Länge1.2 mm
Breite1 mm
Höhe0.45 mm
Kanäle
PolaritätUnidirectional 
Kanal Betriebsspannung [max.]3.3 V
Kanal (Rück) Leckstrom [max.]0.5 µA
(Rückwärts-) Durchbruchspannung [min.]4.5 V
(Kanal) Eingangskapazität [typ.]0.18 pF
(Reverse) Peak Pulse Current3 A
Kanal ESD Klemmspannung [typ.]13 V
ESD Kontact-Entladungsfähigkeit8 kV