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Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | A |
Beschreibung
The Virtex UltraScale FPGA VCU110 Development Kit is the perfect development environment for evaluating the unprecedented levels of performance, system integration and bandwidth provided by Virtex UltraScale devices. This kit provides an ideal platform for developing systems requiring massive data throughput such as 400+ Gbps systems and 28 Gbps backplane applications
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | IR(A) | Montageart | RDC max.(mΩ) | Material | Version | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | Qmin. | LR(nH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität330 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | – | Höhe6.8 mm | Breite7 mm | Nennstrom25 A | MontageartSMT | – | MaterialMnZn | – | Performance Nennstrom54.3 A | Sättigungsstrom 127.3 A | Sättigungsstrom @ 30%32 A | – | Nenninduktivität305 nH | ||||
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität680 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand4.79 mΩ | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | – | Höhe2.8 mm | Breite10.6 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand5.269 mΩ | MaterialSuperflux | VersionSMT | Performance Nennstrom19.4 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%21 A | – | Nenninduktivität550 nH | ||||
 | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität680 nH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz108 MHz | – | Höhe9.5 mm | Breite11.4 mm | Nennstrom26 A | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand1.85 mΩ | MaterialFerrite | VersionSMT | Performance Nennstrom40.2 A | Sättigungsstrom 135.8 A | Sättigungsstrom @ 30%39.1 A | – | Nenninduktivität660 nH | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1000 nH | – | – | – | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite6.9 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | MaterialSuperflux | VersionSMT | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | – | Nenninduktivität780 nH | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1200 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität1200 nH | – | – | Sättigungsstrom3 A | – | Eigenresonanzfrequenz180 MHz | – | Höhe2.8 mm | Breite2.8 mm | Nennstrom2.6 A | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand42 mΩ | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3300 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität3300 nH | – | – | Sättigungsstrom3.6 A | – | Eigenresonanzfrequenz64 MHz | – | Höhe3.8 mm | Breite4.8 mm | Nennstrom2.6 A | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand36 mΩ | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität10000 nH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom0.125 A | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand390 mΩ | – | VersionSMT | – | – | – | Güte [1]27 | – | ||||
 | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22000 nH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität22000 nH | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz14 MHz | – | Höhe1.8 mm | Breite4.06 mm | – | MontageartSMT | Gleichstromwiderstand500 mΩ | – | – | Performance Nennstrom1.3 A | Sättigungsstrom 11.45 A | Sättigungsstrom @ 30%2.35 A | – | – |