IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (104)

Xilinx XCVU190 | Demoboard VCU110

XCVU190-2FLGC2104EES9847

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionA

Beschreibung

The Virtex UltraScale FPGA VCU110 Development Kit is the perfect development environment for evaluating the unprecedented levels of performance, system integration and bandwidth provided by Virtex UltraScale devices. This kit provides an ideal platform for developing systems requiring massive data throughput such as 400+ Gbps systems and 28 Gbps backplane applications

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Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Qmin.
LR(nH)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Höhe6.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom25 A
MontageartSMT 
MaterialMnZn 
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 127.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Verpackungseinheit500 
Nenninduktivität305 nH
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 nH
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
Höhe2.8 mm
Breite10.6 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.269 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Verpackungseinheit800 
Nenninduktivität550 nH
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 nH
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
VersionSMT 
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Verpackungseinheit300 
Nenninduktivität660 nH
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Verpackungseinheit1000 
Nenninduktivität780 nH
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1200 nH
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit550 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3300 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3300 nH
Sättigungsstrom3.6 A
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit500 
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SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10000 nH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand390 mΩ
VersionSMT 
Verpackungseinheit3000 
Güte [1]27 
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SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22000 nH
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A
Verpackungseinheit3000 
Verfügbarkeit prüfen