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IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignXCVU190 | Demoboard VCU110

Xilinx XCVU190 | Demoboard VCU110

XCVU190-2FLGC2104EES9847

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionA

Beschreibung

The Virtex UltraScale FPGA VCU110 Development Kit is the perfect development environment for evaluating the unprecedented levels of performance, system integration and bandwidth provided by Virtex UltraScale devices. This kit provides an ideal platform for developing systems requiring massive data throughput such as 400+ Gbps systems and 28 Gbps backplane applications

Weiterführende Informationen

Von Xilinx freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(nH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Qmin.
LR(nH)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744308033
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität330 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
–
Höhe6.8 mm
Breite7 mm
Nennstrom25 A
MontageartSMT 
–
MaterialMnZn 
–
Performance Nennstrom54.3 A
Sättigungsstrom 127.3 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Verpackungseinheit500 
–
Nenninduktivität305 nH
–Verfügbarkeit prüfen
744323068
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität680 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite10.6 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.269 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%21 A
Verpackungseinheit800 
–
Nenninduktivität550 nH
–Verfügbarkeit prüfen
7443320068
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 680 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität680 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
–
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
VersionSMT 
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Verpackungseinheit300 
–
Nenninduktivität660 nH
–Verfügbarkeit prüfen
744311100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1000 nH
–
–
–
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Verpackungseinheit1000 
–
Nenninduktivität780 nH
–Verfügbarkeit prüfen
744025001
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1200 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität1200 nH
–
–
Sättigungsstrom3 A
–
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit550 
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
74408943033
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3300 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität3300 nH
–
–
Sättigungsstrom3.6 A
–
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit500 
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
74479887310A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Induktivität10000 nH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand390 mΩ
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit3000 
Güte [1]27 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74437324220
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22000 nH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität22000 nH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
–
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand500 mΩ
–
–
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A
Verpackungseinheit3000 
–
–
–Verfügbarkeit prüfen