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WE-HIDA THT-Hochstrominduktivität
WE-HIDA THT-Hochstrominduktivität
Digital Audio L 8.2 bis 22 µH IR 5.7 bis 19 A
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
Digital Audio L 8.2 bis 22 µH IR 2 bis 7 A
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Geschirmt L 0.7 bis 470 µH IR 11.2 bis 86.2 A
NEU
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität NEU
Geschirmt L 0.6 bis 110 µH IR 17.2 bis 75 A
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
RDC max. (mΩ)
RDC1 max. (mΩ)
RDC 1 (mΩ)
Material
LR (µH)
fres (MHz)
Montageart
Produktserie
Muster
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 0.6 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.6 µH
Eigenresonanzfrequenz 133.1 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 0.7 µH, 32 A, 75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.7 µH
Nennstrom 32 A
Sättigungsstrom 75 A
Gleichstromwiderstand 0.91 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 0.7 µH
Eigenresonanzfrequenz 65 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1 µH, 86.2 A, 125 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 86.2 A
Sättigungsstrom 125 A
Gleichstromwiderstand 0.48 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 53.6 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1 µH, 39 A, 33 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 39 A
Sättigungsstrom 33 A
Gleichstromwiderstand 0.95 mΩ
Material Flachdraht 
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1 µH, 50.3 A, 56 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 50.3 A
Sättigungsstrom 56 A
Gleichstromwiderstand 0.92 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 44 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Eigenresonanzfrequenz 90.38 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1.2 µH, 50.3 A, 47 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 50.3 A
Sättigungsstrom 47 A
Gleichstromwiderstand 0.92 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 42 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Eigenresonanzfrequenz 89.75 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1.4 µH, 31.5 A, 60 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.4 µH
Nennstrom 31.5 A
Sättigungsstrom 60 A
Gleichstromwiderstand 1.19 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 1.39 µH
Eigenresonanzfrequenz 52 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1.5 µH, 44 A, 125 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 125 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 43.24 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1.5 µH, 75 A, 125 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 75 A
Sättigungsstrom 125 A
Gleichstromwiderstand 0.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 37 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 1.5 µH, 86.2 A, 91.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 86.2 A
Sättigungsstrom 91.8 A
Gleichstromwiderstand 0.48 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 37.6 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 2 µH, 50.3 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 µH
Nennstrom 50.3 A
Sättigungsstrom 30 A
Gleichstromwiderstand 0.92 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 30 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 µH
Eigenresonanzfrequenz 50.94 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 2.2 µH, 28 A, 52 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 28 A
Sättigungsstrom 52 A
Gleichstromwiderstand 1.65 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 2.19 µH
Eigenresonanzfrequenz 32 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 2.2 µH, 44 A, 88.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 88.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 32.8 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 2.2 µH, 75 A, 120 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 75 A
Sättigungsstrom 120 A
Gleichstromwiderstand 0.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 30 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 2.2 µH, 30 A, 23.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 30 A
Sättigungsstrom 23.8 A
Gleichstromwiderstand 1.96 mΩ
Material Flachdraht 
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 2.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Eigenresonanzfrequenz 62.24 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.1 µH, 26 A, 45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.1 µH
Nennstrom 26 A
Sättigungsstrom 45 A
Gleichstromwiderstand 2.3 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 3.07 µH
Eigenresonanzfrequenz 29 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.2 µH
Eigenresonanzfrequenz 28.71 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.3 µH, 35 A, 100 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 35 A
Sättigungsstrom 100 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 2.64 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 3.3 µH
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.3 µH, 44 A, 60.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 60.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 26.44 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.3 µH, 28.7 A, 43 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 28.7 A
Sättigungsstrom 43 A
Gleichstromwiderstand 2.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 40 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.3 µH, 75 A, 91 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 75 A
Sättigungsstrom 91 A
Gleichstromwiderstand 0.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.3 µH, 59.2 A, 70 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 70 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 28.2 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.3 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Eigenresonanzfrequenz 30.55 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.3 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Eigenresonanzfrequenz 45.61 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 3.6 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.6 µH
Eigenresonanzfrequenz 34.6 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.2 µH, 24 A, 38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.2 µH
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom 38 A
Gleichstromwiderstand 3.34 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 4.14 µH
Eigenresonanzfrequenz 24 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.2 µH
Eigenresonanzfrequenz 32.74 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.3 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.3 µH
Eigenresonanzfrequenz 23.66 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, 35 A, 78 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 35 A
Sättigungsstrom 78 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 2.64 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, 44 A, 44 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 44 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 21.56 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, 28.7 A, 29.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 28.7 A
Sättigungsstrom 29.8 A
Gleichstromwiderstand 2.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, 59.2 A, 49.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 49.5 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 22.6 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, 24 A, 14 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom 14 A
Gleichstromwiderstand 3.05 mΩ
Material Flachdraht 
Eigenresonanzfrequenz 14.5 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz 27.36 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz 30.55 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 4.7 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz 35.08 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 5.5 µH, 22 A, 33 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.5 µH
Nennstrom 22 A
Sättigungsstrom 33 A
Gleichstromwiderstand 4.4 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 5.4 µH
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.2 µH
Eigenresonanzfrequenz 26.8 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.5 µH
Eigenresonanzfrequenz 30.34 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.5 µH
Eigenresonanzfrequenz 19.64 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.8 µH, 35 A, 55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 35 A
Sättigungsstrom 55 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 2.64 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 6.75 µH
Eigenresonanzfrequenz 17 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.8 µH, 44 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 30 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 17.03 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.8 µH, 20.6 A, 30.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 20.6 A
Sättigungsstrom 30.6 A
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.8 µH, 56.7 A, 76.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 56.7 A
Sättigungsstrom 76.5 A
Gleichstromwiderstand 1.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.8 µH, 59.2 A, 36.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 36.3 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 18.8 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.8 µH, 20 A, 12.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 20 A
Sättigungsstrom 12.6 A
Gleichstromwiderstand 4.63 mΩ
Material Flachdraht 
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 6.8 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Eigenresonanzfrequenz 26.98 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 7 µH, 21 A, 30 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7 µH
Nennstrom 21 A
Sättigungsstrom 30 A
Gleichstromwiderstand 6.17 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 6.83 µH
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 7.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.5 µH
Eigenresonanzfrequenz 20.47 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 7.5 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.5 µH
Eigenresonanzfrequenz 19.77 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 20.6 A, 25.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 20.6 A
Sättigungsstrom 25.6 A
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 10 A, 17.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 10 A, 34 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 34 A
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 19 A, 52 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 19 A
Sättigungsstrom 52 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 6.7 A, 16 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 6.7 A
Sättigungsstrom 16 A
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 8.5 A, 16 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 8.5 A
Sättigungsstrom 16 A
Eigenresonanzfrequenz 19 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 3.5 A, 20 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 3.5 A
Sättigungsstrom 20 A
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, 7 A, 25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 7 A
Sättigungsstrom 25 A
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Eigenresonanzfrequenz 25.19 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 8.6 µH, 17 A, 25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.6 µH
Nennstrom 17 A
Sättigungsstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 7.91 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 8.46 µH
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 16 A, 23 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 16 A
Sättigungsstrom 23 A
Gleichstromwiderstand 8.76 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 9.8 µH
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 35 A, 37 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 35 A
Sättigungsstrom 37 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 2.64 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 9.5 µH
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 44 A, 21.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 21.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 13.55 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 20.6 A, 20.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 20.6 A
Sättigungsstrom 20.6 A
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 17 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 56.7 A, 62 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 56.7 A
Sättigungsstrom 62 A
Gleichstromwiderstand 1.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 59.2 A, 25.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 59.2 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand 0.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 9 A, 13.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 9 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 10 A, 28 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 28 A
Eigenresonanzfrequenz 19 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 11 A, 58 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 11 A
Sättigungsstrom 58 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 6.7 A, 12.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 6.7 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 8.5 A, 13.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 8.5 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 3.2 A, 18 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 3.2 A
Sättigungsstrom 18 A
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 6 A, 21 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 6 A
Sättigungsstrom 21 A
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, 20 A, 8.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 20 A
Sättigungsstrom 8.8 A
Gleichstromwiderstand 4.63 mΩ
Material Flachdraht 
Eigenresonanzfrequenz 8.4 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Eigenresonanzfrequenz 23.66 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Eigenresonanzfrequenz 18.97 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 10 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Eigenresonanzfrequenz 16.76 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 11 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11 µH
Eigenresonanzfrequenz 16.64 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 14 A, 21 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 14 A
Sättigungsstrom 21 A
Gleichstromwiderstand 9.57 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 14.7 µH
Eigenresonanzfrequenz 12.8 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 35 A, 26 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 35 A
Sättigungsstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 2.64 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 5 µH
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 44 A, 14.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 14.3 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.31 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 10.73 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 20.6 A, 12.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 20.6 A
Sättigungsstrom 12.9 A
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 45.3 A, 51.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 45.3 A
Sättigungsstrom 51.6 A
Gleichstromwiderstand 2.16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 8 A, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom 10 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 10 A, 18 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 18 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 11 A, 41 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 11 A
Sättigungsstrom 41 A
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 5.8 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 5.8 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 8 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 2.5 A, 15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 15 A
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, 4.5 A, 16 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 4.5 A
Sättigungsstrom 16 A
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 15 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Eigenresonanzfrequenz 16.41 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 18 µH, –, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Eigenresonanzfrequenz 12.37 MHz
Montageart THT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 22 µH, 12.5 A, 15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 12.5 A
Sättigungsstrom 15 A
Gleichstromwiderstand 11.72 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 21.1 µH
Eigenresonanzfrequenz 12.5 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 22 µH, 35 A, 18 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 35 A
Sättigungsstrom 18 A
Gleichstromwiderstand 2.64 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 2.64 mΩ
Material MnZn 
Nenninduktivität 5 µH
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 22 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Gleichstromwiderstand 5.39 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Montageart SMT 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität 22 µH, 44 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 44 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Gleichstromwiderstand 1.44 mΩ
Gleichstromwiderstand [1] 1.44 mΩ
Material MnZn 
Eigenresonanzfrequenz 8.06 MHz
Montageart SMT