Nach Werten filtern
 Artikel  in  3 Produktserien  für
Alle zurücksetzen
Filtern
Filtern nach
 Artikel  in  3 Produktserien  anzeigen
 Artikel  in  3 Produktserien
Alle zurücksetzen
3 Produktkategorien
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
n 2.5:1:1 bis 1:1 ∫Udt 25.2 µVs bis 70 Vµs
WE-GDTI Gate-Drive-Übertrager
WE-GDTI Gate-Drive-Übertrager
n 1:1:1 bis 3:1:1 ∫Udt 99 bis 140 µVs
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer
n 3.5:3.5:1 bis 1:1.29 ∫Udt 36 bis 72 µVs
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
n
∫Udt (µVs)
VT (V (DC))
CWW 1 (pF)
LS (µH)
Bauform
Produktserie
Referenzdesign
Muster
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1:1, 25.2 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1:1 
Spannung-µSekunde 25.2 µVs
Prüfspannung 1500 V (DC)
Koppelkapazität 9 pF
Streuinduktivität 1.7 µH
Bauform EP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1, 30.2 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Spannung-µSekunde 30.2 µVs
Prüfspannung 1500 V (DC)
Koppelkapazität 10 pF
Streuinduktivität 1.8 µH
Bauform EP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1.5:1, 40.8 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1.5:1 
Spannung-µSekunde 40.8 µVs
Prüfspannung 1500 V (DC)
Koppelkapazität 9 pF
Streuinduktivität 2.9 µH
Bauform EP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1:1, 102 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1:1 
Spannung-µSekunde 102 µVs
Prüfspannung 2500 V (DC)
Koppelkapazität 11 pF
Streuinduktivität 4 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1, 102 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Spannung-µSekunde 102 µVs
Prüfspannung 2500 V (DC)
Koppelkapazität 11 pF
Streuinduktivität 4 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1.5:1:1, 99 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1.5:1:1 
Spannung-µSekunde 99 µVs
Prüfspannung 2500 V (DC)
Koppelkapazität 11 pF
Streuinduktivität 3.5 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1:5:5, 28 µVs, 2100 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1:5:5 
Spannung-µSekunde 28 µVs
Prüfspannung 2100 V (DC)
Koppelkapazität 90 pF
Streuinduktivität 0.4 µH
Bauform 1210 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1:2:2, 70 µVs, 2100 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1:2:2 
Spannung-µSekunde 70 µVs
Prüfspannung 2100 V (DC)
Koppelkapazität 100 pF
Streuinduktivität 1.5 µH
Bauform 1210 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1.2, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1.2 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 8.2 pF
Streuinduktivität 0.7 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:2, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:2 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 6.8 pF
Streuinduktivität 0.55 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:2, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:2 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 6.8 pF
Streuinduktivität 0.5 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1.67, 36 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1.67 
Spannung-µSekunde 36 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 0.68 pF
Streuinduktivität 0.55 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1.56:3.89:1:1:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1.56:3.89:1:1:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 6.4 pF
Streuinduktivität 1 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1, 60 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Spannung-µSekunde 60 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 1.3 pF
Streuinduktivität 1.5 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1.2:2:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1.2:2:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 3.25 pF
Streuinduktivität 0.24 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:2, 72 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:2 
Spannung-µSekunde 72 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 2.1 pF
Streuinduktivität 3 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1.8:3.6:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1.8:3.6:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 7.3 pF
Streuinduktivität 0.5 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1.57, 40 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1.57 
Spannung-µSekunde 40 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 2 pF
Streuinduktivität 0.85 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1.83:1, 64 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1.83:1 
Spannung-µSekunde 64 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 2 pF
Streuinduktivität 1.9 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1.2:1, 70 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1.2:1 
Spannung-µSekunde 70 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 2 pF
Streuinduktivität 2.2 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1.08, 70 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1.08 
Spannung-µSekunde 70 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 2.6 pF
Streuinduktivität 2.25 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1.29, 40 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1.29 
Spannung-µSekunde 40 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 2.1 pF
Streuinduktivität 0.755 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 1:1, 28.7 µVs, 2000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Spannung-µSekunde 28.7 µVs
Prüfspannung 2000 V (DC)
Koppelkapazität 12 pF
Streuinduktivität 1.4 µH
Bauform ER9.5/5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2.5:1:1, 29.4 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2.5:1:1 
Spannung-µSekunde 29.4 µVs
Prüfspannung 1500 V (DC)
Koppelkapazität 7 pF
Streuinduktivität 2.3 µH
Bauform EP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2:1:1, 28.6 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2:1:1 
Spannung-µSekunde 28.6 µVs
Prüfspannung 1500 V (DC)
Koppelkapazität 7 pF
Streuinduktivität 1.9 µH
Bauform EP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2.5:1, 33.6 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2.5:1 
Spannung-µSekunde 33.6 µVs
Prüfspannung 1500 V (DC)
Koppelkapazität 9 pF
Streuinduktivität 2.3 µH
Bauform EP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2:1:1, 102 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2:1:1 
Spannung-µSekunde 102 µVs
Prüfspannung 2500 V (DC)
Koppelkapazität 11 pF
Streuinduktivität 4 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2.5:1:1, 120 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2.5:1:1 
Spannung-µSekunde 120 µVs
Prüfspannung 2500 V (DC)
Koppelkapazität 11 pF
Streuinduktivität 5 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2.25:3.5:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2.25:3.5:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 7.5 pF
Streuinduktivität 0.4 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2.25:3.5:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2.25:3.5:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 7 pF
Streuinduktivität 0.6 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2:2.86:1.43:1.43:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2:2.86:1.43:1.43:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 7.8 pF
Streuinduktivität 0.7 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2.25:4.25:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2.25:4.25:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 7.5 pF
Streuinduktivität 0.5 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 2.2:1, 64 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 2.2:1 
Spannung-µSekunde 64 µVs
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 2 pF
Streuinduktivität 1.9 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 3:1:1, 140 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 3:1:1 
Spannung-µSekunde 140 µVs
Prüfspannung 2500 V (DC)
Koppelkapazität 11 pF
Streuinduktivität 7.5 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager 3.5:3.5:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis 3.5:3.5:1 
Prüfspannung 4000 V (DC)
Koppelkapazität 7 pF
Streuinduktivität 0.6 µH
Bauform EP7 
Referenzdesign