WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
BauformMaße3DL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
EP5
7 8.5 6 SMT
ER9.5
10 12.07 5.97 SMT
1210
10.26 12.98 5.64 SMT

Merkmale

  • Kompakte Gehäusegrößen: EP5, ER9.5, 1210 Toroid
  • 1 oder 2 Sekundärwicklungen
  • 7 Übersetzungen
  • Isolationsprüfspannungen von 1500 VDC bis zu 2100 VDC

Anwendung

  • Für Signal und Leistungsanwendungen
  • Speziell für Gate Drive Anwendungen in energieeffizienten Schaltnetzteilen entwickelt
  • Synchroner Sperrwandler
  • Steuerung des Motorantriebs
  • Netzteile für Telekommunikations-Basisstationen

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Status
n
L(µH)
∫Udt(µVs)
VT(V (DC))
CWW 1(pF)
LS(µH)
Bauform
Muster
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
760301105
1:1:1, 260 µH, 25.2 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1:1 
Induktivität260 µH
Spannung-µSekunde25.2 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität1.7 µH
BauformEP5 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
760301106
1:1, 370 µH, 30.2 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1 
Induktivität370 µH
Spannung-µSekunde30.2 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität10 pF
Streuinduktivität1.8 µH
BauformEP5 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
760301107
1.5:1, 650 µH, 40.8 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.5:1 
Induktivität650 µH
Spannung-µSekunde40.8 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität2.9 µH
BauformEP5 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
750316094
1:1:5:5, 261 µH, 28 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1:5:5 
Induktivität261 µH
Spannung-µSekunde28 µVs
Prüfspannung2100 V (DC)
Koppelkapazität90 pF
Streuinduktivität0.4 µH
Bauform1210 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
750316093
1:1:2:2, 1710 µH, 70 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1:2:2 
Induktivität1710 µH
Spannung-µSekunde70 µVs
Prüfspannung2100 V (DC)
Koppelkapazität100 pF
Streuinduktivität1.5 µH
Bauform1210 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
750311063
1:1, 600 µH, 28.7 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1 
Induktivität600 µH
Spannung-µSekunde28.7 µVs
Prüfspannung2000 V (DC)
Koppelkapazität12 pF
Streuinduktivität1.4 µH
BauformER9.5/5 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
760301103
2.5:1:1, 350 µH, 29.4 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.5:1:1 
Induktivität350 µH
Spannung-µSekunde29.4 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität7 pF
Streuinduktivität2.3 µH
BauformEP5 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
760301104
2:1:1, 330 µH, 28.6 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2:1:1 
Induktivität330 µH
Spannung-µSekunde28.6 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität7 pF
Streuinduktivität1.9 µH
BauformEP5 
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
760301108
2.5:1, 460 µH, 33.6 µVs
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.5:1 
Induktivität460 µH
Spannung-µSekunde33.6 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität2.3 µH
BauformEP5