WE-XHMA SMD Power Inductor

ERWEITERT
WE-XHMA SMD Power Inductor
BauformSerien­daten­blattMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
MaterialMontageart
6030
SPEC 6.65 6.45 3.3 Hyperflux SMT
6060
SPEC 6.65 6.45 6.1 Hyperflux SMT
ERW.8080
SPEC 8.8 8.3 8 Hyperflux SMT
1090
SPEC 11.6 10.5 9.1 Hyperflux SMT
1510
SPEC 16.4 15.4 10 Hyperflux SMT

Merkmale

  • Flachdrahtspule für geringe Kupferverluste
  • Komposit-Kernmaterial ermöglicht hohe Sättigungsströme
  • Kompakte Bauweise
  • Magnetisch abgeschirmt
  • Hohe Strombelastbarkeit und Bewältigung hoher transienter Stromspitzen
  • Geringes Streuflussrauschen
  • Betriebstemperatur: von -40°C bis zu +125°C
  • AEC-Q200
  • Automotive approved

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für Hochstromversorgungen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Array (FPGA)
  • Stromversorgungen für mobile Geräte
  • POL-Wandler
  • Mainboards/Grafikkarten
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Filter

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L(µH)
Tol. L
IRP,40K(A)
IR,40K(A)
ISAT,30%(A)
fres(MHz)
ISAT,10%(A)
Montageart
RDC typ.(mΩ)
Material
Design Kit
Muster
784393440018
0.18 µH, ±20%, 35.65 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom35.65 A
Nennstrom20 A
Sättigungsstrom @ 30%50.6 A
Eigenresonanzfrequenz169 MHz
Sättigungsstrom 124.9 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand1.32 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
784393440033
0.33 µH, ±20%, 27.35 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom27.35 A
Nennstrom16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%42.9 A
Eigenresonanzfrequenz113 MHz
Sättigungsstrom 120 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand2.1 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
784393440056
0.56 µH, ±20%, 22.75 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom22.75 A
Nennstrom16 A
Sättigungsstrom @ 30%30.8 A
Eigenresonanzfrequenz77 MHz
Sättigungsstrom 114.5 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand2.9 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439344010
1 µH, ±20%, 15.75 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom15.75 A
Nennstrom12 A
Sättigungsstrom @ 30%24.95 A
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
Sättigungsstrom 111 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439358010
1 µH, ±20%, 30.25 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom30.25 A
Nennstrom17 A
Sättigungsstrom @ 30%38.15 A
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
Sättigungsstrom 118.15 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand2.1 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439344012
1.2 µH, ±20%, 14.45 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom14.45 A
Nennstrom10.3 A
Sättigungsstrom @ 30%21.6 A
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
Sättigungsstrom 17.7 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand6.4 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369022
2.2 µH, ±20%, 32.05 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom32.05 A
Nennstrom16 A
Sättigungsstrom @ 30%32.1 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Sättigungsstrom 115.65 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand2.2 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439344022
2.2 µH, ±20%, 10.85 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom10.85 A
Nennstrom8 A
Sättigungsstrom @ 30%16.25 A
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Sättigungsstrom 17.5 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439358022
2.2 µH, ±20%, 21.85 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom21.85 A
Nennstrom13 A
Sättigungsstrom @ 30%26.45 A
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Sättigungsstrom 112.55 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand3.7 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369033
3.3 µH, ±20%, 24.95 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom24.95 A
Nennstrom15 A
Sättigungsstrom @ 30%34 A
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
Sättigungsstrom 115.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand3.4 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439344033
3.3 µH, ±20%, 7.65 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom7.65 A
Nennstrom6 A
Sättigungsstrom @ 30%14.5 A
Eigenresonanzfrequenz31 MHz
Sättigungsstrom 16.7 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand19.2 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369047
4.7 µH, ±20%, 20 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom20 A
Nennstrom13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%28.05 A
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
Sättigungsstrom 113.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439370047
4.7 µH, ±20%, 29.37 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom29.37 A
Nennstrom17 A
Sättigungsstrom @ 30%47.4 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
Sättigungsstrom 120.9 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439344047
4.7 µH, ±20%, 5.8 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom5.8 A
Nennstrom4.7 A
Sättigungsstrom @ 30%10.5 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Sättigungsstrom 13.7 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand31 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439346047
4.7 µH, ±20%, 9.6 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom9.6 A
Nennstrom7.4 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Sättigungsstrom 16.5 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand13 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439358047
4.7 µH, ±20%, 13.35 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom13.35 A
Nennstrom9.5 A
Sättigungsstrom @ 30%16.65 A
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Sättigungsstrom 17.5 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand8.65 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369056
5.6 µH, ±20%, 18.15 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom18.15 A
Nennstrom11.5 A
Sättigungsstrom @ 30%24.45 A
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Sättigungsstrom 111.1 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439346056
5.6 µH, ±20%, 8.9 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom8.9 A
Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom @ 30%12.1 A
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Sättigungsstrom 15.8 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand15 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369068
6.8 µH, ±20%, 16.3 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom16.3 A
Nennstrom10.5 A
Sättigungsstrom @ 30%23.25 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
Sättigungsstrom 110.7 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand7.16 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439370068
6.8 µH, ±20%, 25.3 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom25.3 A
Nennstrom15 A
Sättigungsstrom @ 30%40.05 A
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Sättigungsstrom 117.8 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.1 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439346068
6.8 µH, ±20%, 8.1 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom8.1 A
Nennstrom6.5 A
Sättigungsstrom @ 30%11.3 A
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Sättigungsstrom 15.65 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand17.6 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439358068
6.8 µH, ±20%, 10.55 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom10.55 A
Nennstrom7.2 A
Sättigungsstrom @ 30%17.6 A
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Sättigungsstrom 18.5 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand13 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369082
8.2 µH, ±20%, 13.4 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom13.4 A
Nennstrom9.8 A
Sättigungsstrom @ 30%20.45 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
Sättigungsstrom 19.4 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand10 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439370082
8.2 µH, ±20%, 21.35 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom21.35 A
Nennstrom13 A
Sättigungsstrom @ 30%36.4 A
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
Sättigungsstrom 115 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439346082
8.2 µH, ±20%, 6.95 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom6.95 A
Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom @ 30%9.3 A
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
Sättigungsstrom 14.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand23 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369100
10 µH, ±20%, 12.7 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom12.7 A
Nennstrom9.4 A
Sättigungsstrom @ 30%20.3 A
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Sättigungsstrom 19.2 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand11 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439370100
10 µH, ±20%, 19.6 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom19.6 A
Nennstrom11.5 A
Sättigungsstrom @ 30%31.2 A
Eigenresonanzfrequenz9 MHz
Sättigungsstrom 112.9 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand6.4 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439346100
10 µH, ±20%, 6.4 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom6.4 A
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom @ 30%9.7 A
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Sättigungsstrom 15.05 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand26.5 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439358100
10 µH, ±20%, 8.5 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom8.5 A
Nennstrom5.8 A
Sättigungsstrom @ 30%13.5 A
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
Sättigungsstrom 16.3 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand19 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439369150
15 µH, ±20%, 10.75 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom10.75 A
Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom @ 30%16.95 A
Eigenresonanzfrequenz11 MHz
Sättigungsstrom 17.2 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand14.8 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439370150
15 µH, ±20%, 14.7 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom14.7 A
Nennstrom10 A
Sättigungsstrom @ 30%26.1 A
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
Sättigungsstrom 110.25 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439346150
15 µH, ±20%, 4.9 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom4.9 A
Nennstrom4.2 A
Sättigungsstrom @ 30%7.4 A
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Sättigungsstrom 13.65 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439358150
15 µH, ±20%, 7.25 A
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom7.25 A
Nennstrom5.6 A
Sättigungsstrom @ 30%10.7 A
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Sättigungsstrom 15.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand25 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439370220
22 µH, ±20%, 13.35 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom13.35 A
Nennstrom8 A
Sättigungsstrom @ 30%22.35 A
Eigenresonanzfrequenz7 MHz
Sättigungsstrom 19.1 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand12.5 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit
78439370330
33 µH, ±20%, 10.8 A
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Induktivität±20% 
Performance Nennstrom10.8 A
Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom @ 30%18.15 A
Eigenresonanzfrequenz5 MHz
Sättigungsstrom 16.8 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand18 mΩ
MaterialHyperflux 
Design Kit

FLACHDRAHTINDUKTIVITÄT

Entwickelt im Hinblick auf Effizienz

Elektronische Geräte werden immer leistungsfähiger und kleiner. Daher ist es wichtig, dass elektronische Bauteile entsprechend gestaltet werden. Um diese Anforderungen zu erfüllen, werden bei WE Induktivitäten optimierte Kernmaterialien und geeignete Drahtformen wie Flachdraht verwendet. Die WE-XHMA Serie zeichnet sich durch eine extrem hohe Strombelastbarkeit bis 50,6 A Sättigungsstrom und die Bewältigung hoher transienter Stromspitzen aus. Ihre Bauweise als Flachdrahtspule mit einem Kompositkernmaterial sorgt für geringe Kupferverluste und ein stabiles Verhalten bei Temperaturschwankungen.

Typische Abwärtswandler-Anwendung  

Verbessern Sie den Wirkungsgrad durch den Einsatz einer Flachdrahtinduktivität

Die Auswirkungen des Skin-Effekts

Die Abbildung zeigt den Querschnitt eines zylindrischen Leiters und eines flachen Leiters, die Intensität der grauen Farbe stellt die Stromstärke im Leiter dar.δ ist die Skin-Tiefe.
Die Abbildung zeigt den Querschnitt eines zylindrischen Leiters und eines flachen Leiters, die Intensität der grauen Farbe stellt die Stromstärke im Leiter dar.δ ist die Skin-Tiefe.

Der AC-Skin-Effekt verringert die effektive Querschnittsfläche, über die der Strom fließen kann. Ein Flachdraht hat bei gleichem Querschnitt eine viel größere Oberfläche. Je größer die Oberfläche, desto geringer ist der Einfluss des Skineffekts.

Verteilung des elektrischen Feldes in Flach- und Runddraht

Flachdrähte können das elektrische Feld gleichmäßig verteilen, wodurch die parasitäre Kapazität minimiert und der beste EMV-Effekt an der Quelle erzielt wird. Das Problem der EMI-Kompatibilität wird minimiert.
Flachdrähte können das elektrische Feld gleichmäßig verteilen, wodurch die parasitäre Kapazität minimiert und der beste EMV-Effekt an der Quelle erzielt wird. Das Problem der EMI-Kompatibilität wird minimiert.

Der Größenunterschied zwischen WE-XHMA und einer herkömmlichen geschirmten Standard-Leistungsinduktivität

Die Verwendung von Flachdraht ist platzsparend. Die WE-XHMA ist zum Beispiel dreimal kleiner im Volumen und benötigt dreimal weniger Platz auf der Leiterplatteals eine entsprechende Runddrahtdrossel. Bei einem 1:1-Vergleich bieten Flachdrahtdrosseln bessere Nennströme als entsprechende Runddrahtdrosseln.