WE-XHMA SMD Power Inductor

ERWEITERT
Bauform Serien­daten­blatt Maße L
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Material Montageart
6030
SPEC 6.65 6.45 3.3 Hyperflux SMT
6060
SPEC 6.65 6.45 6.1 Hyperflux SMT
ERW. 8080
SPEC 8.8 8.3 8 Hyperflux SMT
1090
SPEC 11.6 10.5 9.1 Hyperflux SMT
1510
SPEC 16.4 15.4 10 Hyperflux SMT

Merkmale

  • Flachdrahtspule für geringe Kupferverluste
  • Komposit-Kernmaterial ermöglicht hohe Sättigungsströme
  • Kompakte Bauweise
  • Magnetisch abgeschirmt
  • Hohe Strombelastbarkeit und Bewältigung hoher transienter Stromspitzen
  • Geringes Streuflussrauschen
  • Betriebstemperatur: von -40°C bis zu +125°C
  • AEC-Q200
  • Automotive approved

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für Hochstromversorgungen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Array (FPGA)
  • Stromversorgungen für mobile Geräte
  • POL-Wandler
  • Mainboards/Grafikkarten
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Filter

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Status
L (µH)
Tol. L
IRP,40K (A)
IR,40K (A)
ISAT,30% (A)
fres (MHz)
ISAT,10% (A)
Montageart
RDC typ. (mΩ)
Material
Design Kit
Muster
784393440018
0.18 µH, ±20%, 35.65 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.18 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 35.65 A
Nennstrom 20 A
Sättigungsstrom @ 30% 50.6 A
Eigenresonanzfrequenz 169 MHz
Sättigungsstrom 1 24.9 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 1.32 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
784393440033
0.33 µH, ±20%, 27.35 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 27.35 A
Nennstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 42.9 A
Eigenresonanzfrequenz 113 MHz
Sättigungsstrom 1 20 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 2.1 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
784393440056
0.56 µH, ±20%, 22.75 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.56 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 22.75 A
Nennstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30% 30.8 A
Eigenresonanzfrequenz 77 MHz
Sättigungsstrom 1 14.5 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 2.9 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439344010
1 µH, ±20%, 15.75 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 15.75 A
Nennstrom 12 A
Sättigungsstrom @ 30% 24.95 A
Eigenresonanzfrequenz 59 MHz
Sättigungsstrom 1 11 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 5.5 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439358010
1 µH, ±20%, 30.25 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 30.25 A
Nennstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30% 38.15 A
Eigenresonanzfrequenz 53 MHz
Sättigungsstrom 1 18.15 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 2.1 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439344012
1.2 µH, ±20%, 14.45 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 14.45 A
Nennstrom 10.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 21.6 A
Eigenresonanzfrequenz 53 MHz
Sättigungsstrom 1 7.7 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 6.4 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369022
2.2 µH, ±20%, 32.05 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 32.05 A
Nennstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30% 32.1 A
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Sättigungsstrom 1 15.65 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 2.2 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439344022
2.2 µH, ±20%, 10.85 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 10.85 A
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.25 A
Eigenresonanzfrequenz 37 MHz
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 10.5 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439358022
2.2 µH, ±20%, 21.85 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 21.85 A
Nennstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30% 26.45 A
Eigenresonanzfrequenz 33 MHz
Sättigungsstrom 1 12.55 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 3.7 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369033
3.3 µH, ±20%, 24.95 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 24.95 A
Nennstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30% 34 A
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Sättigungsstrom 1 15.6 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 3.4 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439344033
3.3 µH, ±20%, 7.65 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 7.65 A
Nennstrom 6 A
Sättigungsstrom @ 30% 14.5 A
Eigenresonanzfrequenz 31 MHz
Sättigungsstrom 1 6.7 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 19.2 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369047
4.7 µH, ±20%, 20 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 20 A
Nennstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 28.05 A
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Sättigungsstrom 1 13.6 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439370047
4.7 µH, ±20%, 29.37 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 29.37 A
Nennstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30% 47.4 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Sättigungsstrom 1 20.9 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 3.1 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439344047
4.7 µH, ±20%, 5.8 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 5.8 A
Nennstrom 4.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 10.5 A
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Sättigungsstrom 1 3.7 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 31 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439346047
4.7 µH, ±20%, 9.6 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 9.6 A
Nennstrom 7.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 13 A
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Sättigungsstrom 1 6.5 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 13 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439358047
4.7 µH, ±20%, 13.35 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 13.35 A
Nennstrom 9.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.65 A
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 8.65 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369056
5.6 µH, ±20%, 18.15 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 18.15 A
Nennstrom 11.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 24.45 A
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Sättigungsstrom 1 11.1 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 5.9 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439346056
5.6 µH, ±20%, 8.9 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 8.9 A
Nennstrom 6.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 12.1 A
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Sättigungsstrom 1 5.8 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 15 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369068
6.8 µH, ±20%, 16.3 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 16.3 A
Nennstrom 10.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 23.25 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Sättigungsstrom 1 10.7 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 7.16 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439370068
6.8 µH, ±20%, 25.3 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 25.3 A
Nennstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30% 40.05 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Sättigungsstrom 1 17.8 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 4.1 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439346068
6.8 µH, ±20%, 8.1 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 8.1 A
Nennstrom 6.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 11.3 A
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
Sättigungsstrom 1 5.65 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 17.6 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439358068
6.8 µH, ±20%, 10.55 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 10.55 A
Nennstrom 7.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 17.6 A
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
Sättigungsstrom 1 8.5 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 13 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369082
8.2 µH, ±20%, 13.4 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 13.4 A
Nennstrom 9.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 20.45 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Sättigungsstrom 1 9.4 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 10 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439370082
8.2 µH, ±20%, 21.35 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 21.35 A
Nennstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30% 36.4 A
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Sättigungsstrom 1 15 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 5.5 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439346082
8.2 µH, ±20%, 6.95 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 6.95 A
Nennstrom 5.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.3 A
Eigenresonanzfrequenz 19 MHz
Sättigungsstrom 1 4.6 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 23 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369100
10 µH, ±20%, 12.7 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 12.7 A
Nennstrom 9.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 20.3 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Sättigungsstrom 1 9.2 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 11 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439370100
10 µH, ±20%, 19.6 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 19.6 A
Nennstrom 11.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 31.2 A
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Sättigungsstrom 1 12.9 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 6.4 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439346100
10 µH, ±20%, 6.4 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 6.4 A
Nennstrom 5 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.7 A
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Sättigungsstrom 1 5.05 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 26.5 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439358100
10 µH, ±20%, 8.5 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 8.5 A
Nennstrom 5.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.5 A
Eigenresonanzfrequenz 17 MHz
Sättigungsstrom 1 6.3 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 19 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439369150
15 µH, ±20%, 10.75 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 10.75 A
Nennstrom 8.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.95 A
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Sättigungsstrom 1 7.2 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 14.8 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439370150
15 µH, ±20%, 14.7 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 14.7 A
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom @ 30% 26.1 A
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Sättigungsstrom 1 10.25 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 10.5 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439346150
15 µH, ±20%, 4.9 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 4.9 A
Nennstrom 4.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 7.4 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Sättigungsstrom 1 3.65 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 42 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439358150
15 µH, ±20%, 7.25 A
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 7.25 A
Nennstrom 5.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 10.7 A
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Sättigungsstrom 1 5.6 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 25 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439370220
22 µH, ±20%, 13.35 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 13.35 A
Nennstrom 8 A
Sättigungsstrom @ 30% 22.35 A
Eigenresonanzfrequenz 7 MHz
Sättigungsstrom 1 9.1 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 12.5 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit
78439370330
33 µH, ±20%, 10.8 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Induktivität ±20% 
Performance Nennstrom 10.8 A
Nennstrom 8.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 18.15 A
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Sättigungsstrom 1 6.8 A
Montageart SMT 
Gleichstromwiderstand 18 mΩ
Material Hyperflux 
Design Kit

FLACHDRAHTINDUKTIVITÄT

Entwickelt im Hinblick auf Effizienz

Elektronische Geräte werden immer leistungsfähiger und kleiner. Daher ist es wichtig, dass elektronische Bauteile entsprechend gestaltet werden. Um diese Anforderungen zu erfüllen, werden bei WE Induktivitäten optimierte Kernmaterialien und geeignete Drahtformen wie Flachdraht verwendet. Die WE-XHMA Serie zeichnet sich durch eine extrem hohe Strombelastbarkeit bis 50,6 A Sättigungsstrom und die Bewältigung hoher transienter Stromspitzen aus. Ihre Bauweise als Flachdrahtspule mit einem Kompositkernmaterial sorgt für geringe Kupferverluste und ein stabiles Verhalten bei Temperaturschwankungen.

Typische Abwärtswandler-Anwendung  

Verbessern Sie den Wirkungsgrad durch den Einsatz einer Flachdrahtinduktivität

Die Auswirkungen des Skin-Effekts

Die Abbildung zeigt den Querschnitt eines zylindrischen Leiters und eines flachen Leiters, die Intensität der grauen Farbe stellt die Stromstärke im Leiter dar.

δ ist die Skin-Tiefe.
Die Abbildung zeigt den Querschnitt eines zylindrischen Leiters und eines flachen Leiters, die Intensität der grauen Farbe stellt die Stromstärke im Leiter dar. δ ist die Skin-Tiefe.

Der AC-Skin-Effekt verringert die effektive Querschnittsfläche, über die der Strom fließen kann. Ein Flachdraht hat bei gleichem Querschnitt eine viel größere Oberfläche. Je größer die Oberfläche, desto geringer ist der Einfluss des Skineffekts.

Verteilung des elektrischen Feldes in Flach- und Runddraht

Flachdrähte können das elektrische Feld gleichmäßig verteilen, wodurch die parasitäre Kapazität minimiert und der beste EMV-Effekt an der Quelle erzielt wird. Das Problem der EMI-Kompatibilität wird minimiert.
Flachdrähte können das elektrische Feld gleichmäßig verteilen, wodurch die parasitäre Kapazität minimiert und der beste EMV-Effekt an der Quelle erzielt wird. Das Problem der EMI-Kompatibilität wird minimiert.

Der Größenunterschied zwischen WE-XHMA und einer herkömmlichen geschirmten Standard-Leistungsinduktivität

Die Verwendung von Flachdraht ist platzsparend. Die WE-XHMA ist zum Beispiel dreimal kleiner im Volumen und benötigt dreimal weniger Platz auf der Leiterplatte als eine entsprechende Runddrahtdrossel. Bei einem 1:1-Vergleich bieten Flachdrahtdrosseln bessere Nennströme als entsprechende Runddrahtdrosseln.