Design Kit WE-XHMA - SMD-Hochstrom-Spritzgießdrossel für Fahrzeuge

Artikel Nr. 7843932

Merkmale

  • 3 Bauformen, 15 Bauteile
  • Flachdrahtspule für geringe Kupferverluste
  • Hoher Sättigungsstrom
  • Magnetisch abgeschirmt
  • Betriebstemperatur: -40°C bis zu +125°C
  • AEC-Q200
  • Zugelassen für die Automobilindustrie

Artikeldaten

Artikeldaten filtern
Filtern nach
 Artikel  in  0 Produktserien  anzeigen
 Artikel  in  0 Produktserien
Alle zurücksetzen
Artikel Nr.
Daten­blatt
Downloads
Status
Produktserie
L (µH)
IRP,40K (A)
ISAT,30% (A)
fres (MHz)
Muster
WE-XHMA SMD Power Inductor, 2.2 µH, 32.05 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Performance Nennstrom 32.05 A
Sättigungsstrom @ 30% 32.1 A
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 3.3 µH, 24.95 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 24.95 A
Sättigungsstrom @ 30% 34 A
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 4.7 µH, 20 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 20 A
Sättigungsstrom @ 30% 28.05 A
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 4.7 µH, 29.37 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 29.37 A
Sättigungsstrom @ 30% 47.4 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 5.6 µH, 18.15 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Performance Nennstrom 18.15 A
Sättigungsstrom @ 30% 24.45 A
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 6.8 µH, 16.3 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Performance Nennstrom 16.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 23.25 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 6.8 µH, 25.3 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Performance Nennstrom 25.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 40.05 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 8.2 µH, 13.4 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Performance Nennstrom 13.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 20.45 A
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 8.2 µH, 21.35 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Performance Nennstrom 21.35 A
Sättigungsstrom @ 30% 36.4 A
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 10 µH, 12.7 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 12.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 20.3 A
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 10 µH, 19.6 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 19.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 31.2 A
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 15 µH, 10.75 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Performance Nennstrom 10.75 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.95 A
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 15 µH, 14.7 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Performance Nennstrom 14.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 26.1 A
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 22 µH, 13.35 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Performance Nennstrom 13.35 A
Sättigungsstrom @ 30% 22.35 A
Eigenresonanzfrequenz 7 MHz
WE-XHMA SMD Power Inductor, 33 µH, 10.8 A
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Performance Nennstrom 10.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 18.15 A
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz