Bauelemente
Passive Bauelemente
Induktivitäten & Leistungsübertrager
Geschirmte Speicherinduktivitäten
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Geschirmt
| Bauform | Maße | L
(mm) |
B
(mm) |
Fl
(mm) |
|
|---|---|---|---|---|---|
|
0603
|
1.6 | 0.8 | 0.3 |
|
|
|
0805
|
2 | - | - |
|
|
|
1008
|
2.5 | 2 | - |
|
LTSpice-Dateien
Merkmale
- Kompakte Multilayer Bauform
- Hohe Strombelastbarkeit bis 3.8 A Nennstrom
- Magnetisch geschirmte Konstruktion: Kein Übersprechen
- Betriebstemperatur: –40 °C bis +125 °C
- in 4 Baugrößen und 3 Typen verfügbar (Low Profile, Low RDC & High Saturation Current)
Anwendung
- DC/DC Schaltregler speziell bei hohen Schaltfrequenzen > 1MHz
- Elektronische Geräte mit sehr geringer Bauhöhe
- Tragbare Geräte wie Smart Phones, Tablets, Notebooks und Digitalkameras
Artikeldaten
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0603
0805
1008
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Ersatzartikel
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Simulation
|
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Status
|
L
(µH)
|
IR 1
(mA)
|
IR 2
(mA)
|
ISAT
(mA)
|
RDC
(mΩ)
|
fres
(MHz)
|
Typ
|
H
(mm)
|
B
(mm)
|
Muster
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
74479762122
|
0.22 µH, 900 mA, 1200 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
0.22 µH
|
Nennstrom 1
900 mA
|
Nennstrom 2
1200 mA
|
Sättigungsstrom
1300 mA
|
Gleichstromwiderstand
120 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
250 MHz
|
Typ
Low Profile
|
Höhe
0.5 mm
|
Breite
0.8 mm
|
|
||
|
74479762133
|
0.33 µH, 800 mA, 1100 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
0.33 µH
|
Nennstrom 1
800 mA
|
Nennstrom 2
1100 mA
|
Sättigungsstrom
1200 mA
|
Gleichstromwiderstand
160 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
200 MHz
|
Typ
Low Profile
|
Höhe
0.5 mm
|
Breite
0.8 mm
|
|
||
|
74479763147A
|
0.47 µH, 1100 mA, 1500 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
0.47 µH
|
Nennstrom 1
1100 mA
|
Nennstrom 2
1500 mA
|
Sättigungsstrom
1500 mA
|
Gleichstromwiderstand
90 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
190 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
0.8 mm
|
|
||
|
74479774147
i
|
0.47 µH, 1000 mA, 1300 mA | 74479775147A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
0.47 µH
|
Nennstrom 1
1000 mA
|
Nennstrom 2
1300 mA
|
Sättigungsstrom
700 mA
|
Gleichstromwiderstand
120 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
130 MHz
|
Typ
Low Profile
|
Höhe
0.5 mm
|
Breite
1.25 mm
|
– |
|
74479775147A
|
0.47 µH, 1100 mA, 1400 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
0.47 µH
|
Nennstrom 1
1100 mA
|
Nennstrom 2
1400 mA
|
Sättigungsstrom
1000 mA
|
Gleichstromwiderstand
100 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
130 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479787147B
|
0.47 µH, 2000 mA, 2700 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
0.47 µH
|
Nennstrom 1
2000 mA
|
Nennstrom 2
2700 mA
|
Sättigungsstrom
950 mA
|
Gleichstromwiderstand
40 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
105 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479763168
|
0.68 µH, 750 mA, 1000 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
0.68 µH
|
Nennstrom 1
750 mA
|
Nennstrom 2
1000 mA
|
Sättigungsstrom
950 mA
|
Gleichstromwiderstand
180 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
190 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
0.8 mm
|
|
||
|
74479763210A
|
1 µH, 700 mA, 900 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom 1
700 mA
|
Nennstrom 2
900 mA
|
Sättigungsstrom
650 mA
|
Gleichstromwiderstand
200 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
120 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
0.8 mm
|
|
||
|
74479773210
|
1 µH, 800 mA, 1200 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom 1
800 mA
|
Nennstrom 2
1200 mA
|
Sättigungsstrom
800 mA
|
Gleichstromwiderstand
180 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
90 MHz
|
Typ
Low Profile
|
Höhe
0.5 mm
|
Breite
1.25 mm
|
|
||
|
74479774210
|
1 µH, 800 mA, 1100 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom 1
800 mA
|
Nennstrom 2
1100 mA
|
Sättigungsstrom
500 mA
|
Gleichstromwiderstand
190 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
100 MHz
|
Typ
Low Profile
|
Höhe
0.5 mm
|
Breite
1.25 mm
|
|
||
|
74479775210A
i
|
1 µH, 900 mA, 1300 mA | 74479774210 |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom 1
900 mA
|
Nennstrom 2
1300 mA
|
Sättigungsstrom
950 mA
|
Gleichstromwiderstand
110 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
90 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1 mm
|
Breite
1.2 mm
|
– |
|
74479787210A
|
1 µH, 1300 mA, 1700 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom 1
1300 mA
|
Nennstrom 2
1700 mA
|
Sättigungsstrom
1000 mA
|
Gleichstromwiderstand
71.5 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
90 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479787210B
i
|
1 µH, 1450 mA, 1950 mA |
74479787210A
74479887210A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom 1
1450 mA
|
Nennstrom 2
1950 mA
|
Sättigungsstrom
1150 mA
|
Gleichstromwiderstand
60 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
75 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479887210A
|
1 µH, 1300 mA, 1600 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom 1
1300 mA
|
Nennstrom 2
1600 mA
|
Sättigungsstrom
1000 mA
|
Gleichstromwiderstand
75 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
90 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479763215
|
1.5 µH, 600 mA, 850 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1.5 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
850 mA
|
Sättigungsstrom
500 mA
|
Gleichstromwiderstand
230 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
100 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
0.8 mm
|
|
||
|
74479775215
|
1.5 µH, 800 mA, 1100 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1.5 µH
|
Nennstrom 1
800 mA
|
Nennstrom 2
1100 mA
|
Sättigungsstrom
800 mA
|
Gleichstromwiderstand
160 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
70 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479787215A
|
1.5 µH, 1400 mA, 1900 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
1.5 µH
|
Nennstrom 1
1400 mA
|
Nennstrom 2
1900 mA
|
Sättigungsstrom
1100 mA
|
Gleichstromwiderstand
70 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
65 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479763222
|
2.2 µH, 550 mA, 800 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom 1
550 mA
|
Nennstrom 2
800 mA
|
Sättigungsstrom
280 mA
|
Gleichstromwiderstand
300 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
80 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.9 mm
|
Breite
0.8 mm
|
|
||
|
74479774222
|
2.2 µH, 500 mA, 700 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom 1
500 mA
|
Nennstrom 2
700 mA
|
Sättigungsstrom
250 mA
|
Gleichstromwiderstand
340 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
40 MHz
|
Typ
Low Profile
|
Höhe
0.5 mm
|
Breite
1.25 mm
|
|
||
|
74479775222A
|
2.2 µH, 700 mA, 1000 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom 1
700 mA
|
Nennstrom 2
1000 mA
|
Sättigungsstrom
700 mA
|
Gleichstromwiderstand
200 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
50 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479787222A
i
|
2.2 µH, 1300 mA, 1800 mA | 74479887222A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom 1
1300 mA
|
Nennstrom 2
1800 mA
|
Sättigungsstrom
700 mA
|
Gleichstromwiderstand
85 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
55 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479887222A
|
2.2 µH, 1050 mA, 1350 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom 1
1050 mA
|
Nennstrom 2
1350 mA
|
Sättigungsstrom
825 mA
|
Gleichstromwiderstand
140 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
65 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479889222
i
|
2.2 µH, 900 mA, 1300 mA | 74479887222A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom 1
900 mA
|
Nennstrom 2
1300 mA
|
Sättigungsstrom
1700 mA
|
Gleichstromwiderstand
250 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
50 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
1.2 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479775233
|
3.3 µH, 700 mA, 1000 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom 1
700 mA
|
Nennstrom 2
1000 mA
|
Sättigungsstrom
280 mA
|
Gleichstromwiderstand
200 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
30 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479787233A
i
|
3.3 µH, 1100 mA, 1600 mA | 74479887233A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom 1
1100 mA
|
Nennstrom 2
1600 mA
|
Sättigungsstrom
400 mA
|
Gleichstromwiderstand
100 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479887233A
i
|
3.3 µH, 850 mA, 1150 mA | 74479887247A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom 1
850 mA
|
Nennstrom 2
1150 mA
|
Sättigungsstrom
600 mA
|
Gleichstromwiderstand
180 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
40 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479889233
|
3.3 µH, 900 mA, 1300 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom 1
900 mA
|
Nennstrom 2
1300 mA
|
Sättigungsstrom
1300 mA
|
Gleichstromwiderstand
250 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
50 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
1.2 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479775247
|
4.7 µH, 600 mA, 850 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
850 mA
|
Sättigungsstrom
250 mA
|
Gleichstromwiderstand
250 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
30 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479787247A
i
|
4.7 µH, 1000 mA, 1500 mA | 74479887247A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom 1
1000 mA
|
Nennstrom 2
1500 mA
|
Sättigungsstrom
270 mA
|
Gleichstromwiderstand
110 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
25 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479888247
i
|
4.7 µH, 700 mA, 1000 mA | 74479889247 |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom 1
700 mA
|
Nennstrom 2
1000 mA
|
Sättigungsstrom
700 mA
|
Gleichstromwiderstand
380 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
1 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479887247A
|
4.7 µH, 700 mA, 1000 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom 1
700 mA
|
Nennstrom 2
1000 mA
|
Sättigungsstrom
400 mA
|
Gleichstromwiderstand
230 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479889247
|
4.7 µH, 650 mA, 900 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom 1
650 mA
|
Nennstrom 2
900 mA
|
Sättigungsstrom
900 mA
|
Gleichstromwiderstand
400 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
1.2 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479777268
|
6.8 µH, 600 mA, 900 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
6.8 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
900 mA
|
Sättigungsstrom
200 mA
|
Gleichstromwiderstand
300 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
40 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1.25 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479887268A
|
6.8 µH, 650 mA, 950 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
6.8 µH
|
Nennstrom 1
650 mA
|
Nennstrom 2
950 mA
|
Sättigungsstrom
300 mA
|
Gleichstromwiderstand
250 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
30 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479889268
|
6.8 µH, 600 mA, 800 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
6.8 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
800 mA
|
Sättigungsstrom
700 mA
|
Gleichstromwiderstand
500 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
25 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
1.2 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479777310
|
10 µH, 450 mA, 650 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom 1
450 mA
|
Nennstrom 2
650 mA
|
Sättigungsstrom
125 mA
|
Gleichstromwiderstand
500 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
25 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1.25 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479777310A
|
10 µH, 600 mA, 900 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
900 mA
|
Sättigungsstrom
120 mA
|
Gleichstromwiderstand
300 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
|
Typ
Low RDC
|
Höhe
1.25 mm
|
Breite
1.2 mm
|
|
||
|
74479888310
i
|
10 µH, 600 mA, 800 mA | 74479887310A |
Simulation
–
|
Downloads
–
|
Status
PTN
i
| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre.
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
800 mA
|
Sättigungsstrom
250 mA
|
Gleichstromwiderstand
500 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
25 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
1 mm
|
Breite
2 mm
|
– |
|
74479887310A
|
10 µH, 600 mA, 850 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
850 mA
|
Sättigungsstrom
125 mA
|
Gleichstromwiderstand
300 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
0.8 mm
|
Breite
2 mm
|
|
||
|
74479889310
|
10 µH, 600 mA, 800 mA | – |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom 1
600 mA
|
Nennstrom 2
800 mA
|
Sättigungsstrom
500 mA
|
Gleichstromwiderstand
500 mΩ
|
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
|
Typ
Hoher Sättigungsstrom
|
Höhe
1.2 mm
|
Breite
2 mm
|
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