WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Geschirmt
| Bauform | Maße | L (mm) | B (mm) | Fl (mm) | |
|---|---|---|---|---|---|
0603 | 1.6 | 0.8 | 0.3 | ||
0805 | 2 | - | - | ||
1008 | 2.5 | 2 | - |
LTSpice-Dateien
Merkmale
- Kompakte Multilayer Bauform
- Hohe Strombelastbarkeit bis 3.8 A Nennstrom
- Magnetisch geschirmte Konstruktion: Kein Übersprechen
- Betriebstemperatur: –40 °C bis +125 °C
- in 4 Baugrößen und 3 Typen verfügbar (Low Profile, Low RDC & High Saturation Current)
Anwendung
- DC/DC Schaltregler speziell bei hohen Schaltfrequenzen > 1MHz
- Elektronische Geräte mit sehr geringer Bauhöhe
- Tragbare Geräte wie Smart Phones, Tablets, Notebooks und Digitalkameras
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0603
0805
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Ersatzartikel | Simulation | Downloads | Status | L(µH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74479762122 | 0.22 µH, 900 mA, 1200 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität0.22 µH | Nennstrom 1900 mA | Nennstrom 21200 mA | Sättigungsstrom1300 mA | Gleichstromwiderstand120 mΩ | Eigenresonanzfrequenz250 MHz | TypLow Profile | Höhe0.5 mm | Breite0.8 mm | |||
74479762133 | 0.33 µH, 800 mA, 1100 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität0.33 µH | Nennstrom 1800 mA | Nennstrom 21100 mA | Sättigungsstrom1200 mA | Gleichstromwiderstand160 mΩ | Eigenresonanzfrequenz200 MHz | TypLow Profile | Höhe0.5 mm | Breite0.8 mm | |||
74479763147A | 0.47 µH, 1100 mA, 1500 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität0.47 µH | Nennstrom 11100 mA | Nennstrom 21500 mA | Sättigungsstrom1500 mA | Gleichstromwiderstand90 mΩ | Eigenresonanzfrequenz190 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite0.8 mm | |||
74479774147i | 0.47 µH, 1000 mA, 1300 mA | 74479775147A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität0.47 µH | Nennstrom 11000 mA | Nennstrom 21300 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand120 mΩ | Eigenresonanzfrequenz130 MHz | TypLow Profile | Höhe0.5 mm | Breite1.25 mm | – |
74479775147A | 0.47 µH, 1100 mA, 1400 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität0.47 µH | Nennstrom 11100 mA | Nennstrom 21400 mA | Sättigungsstrom1000 mA | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Eigenresonanzfrequenz130 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite1.2 mm | |||
74479787147B | 0.47 µH, 2000 mA, 2700 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität0.47 µH | Nennstrom 12000 mA | Nennstrom 22700 mA | Sättigungsstrom950 mA | Gleichstromwiderstand40 mΩ | Eigenresonanzfrequenz105 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | |||
74479763168 | 0.68 µH, 750 mA, 1000 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität0.68 µH | Nennstrom 1750 mA | Nennstrom 21000 mA | Sättigungsstrom950 mA | Gleichstromwiderstand180 mΩ | Eigenresonanzfrequenz190 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite0.8 mm | |||
74479763210A | 1 µH, 700 mA, 900 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1 µH | Nennstrom 1700 mA | Nennstrom 2900 mA | Sättigungsstrom650 mA | Gleichstromwiderstand200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz120 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite0.8 mm | |||
74479773210 | 1 µH, 800 mA, 1200 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1 µH | Nennstrom 1800 mA | Nennstrom 21200 mA | Sättigungsstrom800 mA | Gleichstromwiderstand180 mΩ | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | TypLow Profile | Höhe0.5 mm | Breite1.25 mm | |||
74479774210 | 1 µH, 800 mA, 1100 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1 µH | Nennstrom 1800 mA | Nennstrom 21100 mA | Sättigungsstrom500 mA | Gleichstromwiderstand190 mΩ | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | TypLow Profile | Höhe0.5 mm | Breite1.25 mm | |||
74479775210Ai | 1 µH, 900 mA, 1300 mA | 74479774210 | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität1 µH | Nennstrom 1900 mA | Nennstrom 21300 mA | Sättigungsstrom950 mA | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite1.2 mm | – |
74479787210A | 1 µH, 1300 mA, 1700 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1 µH | Nennstrom 11300 mA | Nennstrom 21700 mA | Sättigungsstrom1000 mA | Gleichstromwiderstand71.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite2 mm | |||
74479787210Bi | 1 µH, 1450 mA, 1950 mA | 74479787210A 74479887210A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität1 µH | Nennstrom 11450 mA | Nennstrom 21950 mA | Sättigungsstrom1150 mA | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – |
74479887210A | 1 µH, 1300 mA, 1600 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1 µH | Nennstrom 11300 mA | Nennstrom 21600 mA | Sättigungsstrom1000 mA | Gleichstromwiderstand75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | |||
74479763215 | 1.5 µH, 600 mA, 850 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1.5 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom500 mA | Gleichstromwiderstand230 mΩ | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite0.8 mm | |||
74479775215 | 1.5 µH, 800 mA, 1100 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1.5 µH | Nennstrom 1800 mA | Nennstrom 21100 mA | Sättigungsstrom800 mA | Gleichstromwiderstand160 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite1.2 mm | |||
74479787215A | 1.5 µH, 1400 mA, 1900 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität1.5 µH | Nennstrom 11400 mA | Nennstrom 21900 mA | Sättigungsstrom1100 mA | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | |||
74479763222 | 2.2 µH, 550 mA, 800 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 1550 mA | Nennstrom 2800 mA | Sättigungsstrom280 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | TypLow RDC | Höhe0.9 mm | Breite0.8 mm | |||
74479774222 | 2.2 µH, 500 mA, 700 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 1500 mA | Nennstrom 2700 mA | Sättigungsstrom250 mA | Gleichstromwiderstand340 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | TypLow Profile | Höhe0.5 mm | Breite1.25 mm | |||
74479775222A | 2.2 µH, 700 mA, 1000 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 1700 mA | Nennstrom 21000 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite1.2 mm | |||
74479787222Ai | 2.2 µH, 1300 mA, 1800 mA | 74479887222A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 11300 mA | Nennstrom 21800 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand85 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – |
74479887222A | 2.2 µH, 1050 mA, 1350 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 11050 mA | Nennstrom 21350 mA | Sättigungsstrom825 mA | Gleichstromwiderstand140 mΩ | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | |||
74479889222i | 2.2 µH, 900 mA, 1300 mA | 74479887222A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 1900 mA | Nennstrom 21300 mA | Sättigungsstrom1700 mA | Gleichstromwiderstand250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | – |
74479775233 | 3.3 µH, 700 mA, 1000 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 1700 mA | Nennstrom 21000 mA | Sättigungsstrom280 mA | Gleichstromwiderstand200 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite1.2 mm | |||
74479787233Ai | 3.3 µH, 1100 mA, 1600 mA | 74479887233A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 11100 mA | Nennstrom 21600 mA | Sättigungsstrom400 mA | Gleichstromwiderstand100 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – |
74479887233Ai | 3.3 µH, 850 mA, 1150 mA | 74479887247A | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 1850 mA | Nennstrom 21150 mA | Sättigungsstrom600 mA | Gleichstromwiderstand180 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – |
74479889233 | 3.3 µH, 900 mA, 1300 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 1900 mA | Nennstrom 21300 mA | Sättigungsstrom1300 mA | Gleichstromwiderstand250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | |||
74479775247 | 4.7 µH, 600 mA, 850 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom250 mA | Gleichstromwiderstand250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | TypLow RDC | Höhe1 mm | Breite1.2 mm | |||
74479787247Ai | 4.7 µH, 1000 mA, 1500 mA | 74479887247A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 11000 mA | Nennstrom 21500 mA | Sättigungsstrom270 mA | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | TypLow RDC | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | – |
74479888247i | 4.7 µH, 700 mA, 1000 mA | 74479889247 | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 1700 mA | Nennstrom 21000 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand380 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1 mm | Breite2 mm | – |
74479887247A | 4.7 µH, 700 mA, 1000 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 1700 mA | Nennstrom 21000 mA | Sättigungsstrom400 mA | Gleichstromwiderstand230 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | |||
74479889247 | 4.7 µH, 650 mA, 900 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 1650 mA | Nennstrom 2900 mA | Sättigungsstrom900 mA | Gleichstromwiderstand400 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | |||
74479777268 | 6.8 µH, 600 mA, 900 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität6.8 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2900 mA | Sättigungsstrom200 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | TypLow RDC | Höhe1.25 mm | Breite1.2 mm | |||
74479887268A | 6.8 µH, 650 mA, 950 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität6.8 µH | Nennstrom 1650 mA | Nennstrom 2950 mA | Sättigungsstrom300 mA | Gleichstromwiderstand250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | |||
74479889268 | 6.8 µH, 600 mA, 800 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität6.8 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2800 mA | Sättigungsstrom700 mA | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1.2 mm | Breite2 mm | |||
74479777310 | 10 µH, 450 mA, 650 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität10 µH | Nennstrom 1450 mA | Nennstrom 2650 mA | Sättigungsstrom125 mA | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | TypLow RDC | Höhe1.25 mm | Breite1.2 mm | |||
74479777310A | 10 µH, 600 mA, 900 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2900 mA | Sättigungsstrom120 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | TypLow RDC | Höhe1.25 mm | Breite1.2 mm | |||
74479888310i | 10 µH, 600 mA, 800 mA | 74479887310A | Simulation– | Downloads– | Status PTNi| Die Produktion wird demnächst eingestellt. Erwartete Lebenszeit: <2 Jahre. | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2800 mA | Sättigungsstrom250 mA | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1 mm | Breite2 mm | – |
74479887310A | 10 µH, 600 mA, 850 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2850 mA | Sättigungsstrom125 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe0.8 mm | Breite2 mm | |||
74479889310 | 10 µH, 600 mA, 800 mA | – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2800 mA | Sättigungsstrom500 mA | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | TypHoher Sättigungsstrom | Höhe1.2 mm | Breite2 mm |
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