WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Fl
(mm)
Montageart
160808
1.6 0.8 0.8 0.3 SMT
201210
2 1.25 1 0.5 SMT
201610
2 1.6 1 0.5 SMT
252010
2.5 2 1 0.6 SMT
252012
2.5 2 1.2 0.6 SMT
322510
3.2 2.5 1 0.6 SMT
322512
3.2 2.5 1.2 0.6 SMT
322515
3.2 2.5 1.5 0.6 SMT

Merkmale

  • Sehr kompaktes Design
  • Hohe Effizienz durch geringe Gesamtverluste
  • Hohe Strombelastbarkeit bis 9,05 A Nennstrom und hohe Sättigungsströme möglich
  • Geringe RDC-Werte ab 21 mΩ
  • Magnetisch geschirmte Konstruktion
  • Seitenterminierung sorgt für bestes Lötergebnis
  • Betriebstemperatur: –40 °C bis +125 °C
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow

Anwendung

  • DC/DC Schaltregler speziell bei hohen Schaltfrequenzen > 1MHz
  • Hochstromnetzteil, Batteriegetriebene Geräte
  • Elektronische Geräte mit sehr geringer Bauhöhe
  • Tragbare Geräte wie Smart Phones, Tablets, Notebooks und Digitalkameras

Artikeldaten

Alle
160808
201210
201610
252010
252012
322510
322512
322515
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Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
L(µH)
IR(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Design Kit
Muster
74479276124
0.24 µH, 6.9 A, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.24 µH
Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom 12.8 A
Sättigungsstrom 26.7 A
Gleichstromwiderstand21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
Design Kit
74479290125
0.25 µH, 9.05 A, 8.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.25 µH
Nennstrom9.05 A
Sättigungsstrom 18.5 A
Sättigungsstrom 215.65 A
Gleichstromwiderstand31 mΩ
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
Design Kit
74479262147
0.47 µH, 3.95 A, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom3.95 A
Sättigungsstrom 11.5 A
Sättigungsstrom 23.35 A
Gleichstromwiderstand75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
Design Kit
74479276147
0.47 µH, 5.4 A, 2.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom5.4 A
Sättigungsstrom 12.95 A
Sättigungsstrom 26.3 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz165 MHz
Design Kit
74479287147
0.47 µH, 7.35 A, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom7.35 A
Sättigungsstrom 13.6 A
Sättigungsstrom 27.4 A
Gleichstromwiderstand29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
Design Kit
74479288147
0.47 µH, 6.8 A, 3.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom6.8 A
Sättigungsstrom 13.75 A
Sättigungsstrom 27.9 A
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
Design Kit
74479298147
0.47 µH, 7.3 A, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom7.3 A
Sättigungsstrom 12.8 A
Sättigungsstrom 25.9 A
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
Design Kit
74479299147
0.47 µH, 7.1 A, 5.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom7.1 A
Sättigungsstrom 15.15 A
Sättigungsstrom 29.95 A
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
Design Kit
74479275147
0.47 µH, 4.3 A, 2.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom 12.55 A
Sättigungsstrom 25.15 A
Gleichstromwiderstand44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
Design Kit
74479276168
0.68 µH, 3.8 A, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Sättigungsstrom 24 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz130 MHz
Design Kit
74479262210
1 µH, 2.6 A, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom 11.2 A
Sättigungsstrom 22.6 A
Gleichstromwiderstand115 mΩ
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
Design Kit
74479275210
1 µH, 3.3 A, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3.3 A
Sättigungsstrom 11.55 A
Sättigungsstrom 23.45 A
Gleichstromwiderstand75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
Design Kit
74479276210
1 µH, 3.15 A, 1.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3.15 A
Sättigungsstrom 11.95 A
Sättigungsstrom 24.25 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
Design Kit
74479287210
1 µH, 4.9 A, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom4.9 A
Sättigungsstrom 12.4 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand52 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Design Kit
74479288210
1 µH, 4.6 A, 1.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom 11.75 A
Sättigungsstrom 24.1 A
Gleichstromwiderstand44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
Design Kit
74479298210
1 µH, 4.95 A, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom4.95 A
Sättigungsstrom 12.7 A
Sättigungsstrom 25.5 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Design Kit
74479299210
1 µH, 6.2 A, 3.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom 13.25 A
Sättigungsstrom 26.95 A
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Design Kit
74479288215
1.5 µH, 3.2 A, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom 11.35 A
Sättigungsstrom 23.05 A
Gleichstromwiderstand77 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
Design Kit
74479275222
2.2 µH, 2 A, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom 11.2 A
Sättigungsstrom 22.4 A
Gleichstromwiderstand190 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Design Kit
74479276222
2.2 µH, 2.1 A, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom 11.25 A
Sättigungsstrom 22.8 A
Gleichstromwiderstand140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Design Kit
74479287222
2.2 µH, 3.15 A, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3.15 A
Sättigungsstrom 11.5 A
Sättigungsstrom 23.1 A
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
Design Kit
74479288222
2.2 µH, 3 A, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom 11.4 A
Sättigungsstrom 23.25 A
Gleichstromwiderstand89 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Design Kit
74479298222
2.2 µH, 3.35 A, 1.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3.35 A
Sättigungsstrom 11.65 A
Sättigungsstrom 23.95 A
Gleichstromwiderstand93 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Design Kit
74479299222
2.2 µH, 3.65 A, 2.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3.65 A
Sättigungsstrom 12.25 A
Sättigungsstrom 24.8 A
Gleichstromwiderstand75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Design Kit

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