Anwendung

  • Schaltregler mit Ausgangsleistungen von 0.1 W bis 300 W
  • Integrierte DC/DC-Wandler
  • Ideal für Schaltregler mit extrem hohem Wirkungsgrad (>95%)

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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
Bauform
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.37 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 5.37 A
Sättigungsstrom 6.4 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 5 A
Sättigungsstrom 7.8 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.02 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 4.02 A
Sättigungsstrom 4.8 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 4.5 A
Sättigungsstrom 6.5 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.32 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 2.32 A
Sättigungsstrom 4.2 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 3.3 A
Sättigungsstrom 4.6 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.83 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.83 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 3.1 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.51 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.51 A
Sättigungsstrom 1.75 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.38 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.75 A
Sättigungsstrom 2.15 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.85 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 1.45 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.62 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.62 A
Sättigungsstrom 0.76 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.82 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.82 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.43 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.43 A
Sättigungsstrom 0.42 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.54 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.54 A
Sättigungsstrom 0.69 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.31 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.37 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.37 A
Sättigungsstrom 0.47 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.2 A
Sättigungsstrom 0.18 A
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Bauform 7332 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.23 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.23 A
Sättigungsstrom 0.32 A
Bauform 7332