IC-Hersteller XYSemi

IC-Hersteller (103)

XYSemi XS5801D-SIP

XS5801D-SIP of Power Bank Total Solution

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung4.5-6 V
Schaltfrequenz900-1500 kHz
Ausgang 114 V / 0.8 A
IC-Revision0.6

Beschreibung

XS5801D is one SIP that it integrates LiBattery Charge management、Li-Battery Protection and Boost converter in only SOP8-PP package. This SIP can charge with 1A current and also can output 5V 0.8A to load such as smart phone or MID. It only need few components and can reduce the BOM area and BOM cost.

Eigenschaften

  • Integrate truly-independent Li-Battery Protection Section
  • Charger input voltage-4.5V to 6V
  • Charger current-MAX 1A
  • Boost converter-MAX 14V output
  • Boost converter-MAX 5V 0.8A
  • Boost converter Frequency-1.2MHz
  • Li Protection OCU-4.25V ODU-2.9V
  • Li Protection OCP-3A
  • Have UVLO、OTP 、Short protection  8-Pin SOP-PP Package

Typische Anwendungen

  • Power bank for MID, PAD, Smart Phone

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
Bauform
Version
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Gleichstromwiderstand13 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom6.5 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Bauform7345 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom @ 30%7.4 A
Gleichstromwiderstand16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 7.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom7.1 A
Sättigungsstrom @ 30%9.2 A
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
Bauform4030 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand12.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand17.5 mΩ
Bauform7345 
VersionPerformance 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom9.8 A
Sättigungsstrom @ 30%10.2 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom7.5 A
Gleichstromwiderstand16.1 mΩ
Bauform5030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.85 A
Sättigungsstrom @ 30%5.7 A
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom4.6 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Bauform7345 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.75 A
Sättigungsstrom @ 30%5.6 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand15.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom6.6 A
Gleichstromwiderstand21 mΩ
Bauform7345 
VersionPerformance 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 6.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom6.1 A
Sättigungsstrom @ 30%6.8 A
Gleichstromwiderstand29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand33.5 mΩ
Bauform4030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom8 A
Sättigungsstrom @ 30%10 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom7.3 A
Gleichstromwiderstand23 mΩ
Bauform5030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom4.9 A
Sättigungsstrom @ 30%5 A
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom4 A
Gleichstromwiderstand40 mΩ
Bauform7345 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom @ 30%5.4 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 5.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom5.1 A
Sättigungsstrom @ 30%8.2 A
Gleichstromwiderstand39.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom6.4 A
Gleichstromwiderstand44 mΩ
Bauform4030 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35.5 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand26 mΩ
Bauform7345 
VersionPerformance 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 6.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom6.45 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18.5 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom5.4 A
Gleichstromwiderstand34.5 mΩ
Bauform5030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Performance Nennstrom4.7 A
Sättigungsstrom @ 30%8.1 A
Gleichstromwiderstand46.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom6 A
Gleichstromwiderstand51 mΩ
Bauform4030 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom4.8 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Bauform7345 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom4.25 A
Sättigungsstrom @ 30%4.1 A
Gleichstromwiderstand33 mΩ
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 3.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom3.75 A
Sättigungsstrom @ 30%7.2 A
Gleichstromwiderstand69.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19.5 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand74 mΩ
Bauform4030 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 3.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom3.45 A
Sättigungsstrom @ 30%3.7 A
Gleichstromwiderstand47 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand53 mΩ
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 3.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom3.45 A
Sättigungsstrom @ 30%6.8 A
Gleichstromwiderstand81 mΩ
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom5.2 A
Gleichstromwiderstand86 mΩ
Bauform4030 
VersionSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 4.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom4.85 A
Sättigungsstrom @ 30%6.6 A
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand57.5 mΩ
Bauform5030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom3.55 A
Sättigungsstrom @ 30%3.2 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Bauform7345 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom @ 30%3.2 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.05 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom3.05 A
Sättigungsstrom @ 30%5.95 A
Gleichstromwiderstand100.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom4.6 A
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Bauform4030 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand37.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom3.8 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Bauform7345 
VersionPerformance