| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-6 V |
| Schaltfrequenz | 900-1500 kHz |
| Ausgang 1 | 14 V / 0.8 A |
| IC-Revision | 0.6 |
XS5801D is one SIP that it integrates LiBattery Charge management、Li-Battery Protection and Boost converter in only SOP8-PP package. This SIP can charge with 1A current and also can output 5V 0.8A to load such as smart phone or MID. It only need few components and can reduce the BOM area and BOM cost.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | Bauform | Version | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom6.9 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Gleichstromwiderstand13 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom6.5 A | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Bauform7345 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom6.2 A | Sättigungsstrom @ 30%7.4 A | Gleichstromwiderstand16 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 7.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom7.1 A | Sättigungsstrom @ 30%9.2 A | Gleichstromwiderstand22 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom7 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Bauform4030 | VersionSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | – | – | Gleichstromwiderstand12.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz61 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom8 A | Gleichstromwiderstand17.5 mΩ | Bauform7345 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom9.8 A | Sättigungsstrom @ 30%10.2 A | Gleichstromwiderstand14 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom7.5 A | Gleichstromwiderstand16.1 mΩ | Bauform5030 | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.85 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom4.85 A | Sättigungsstrom @ 30%5.7 A | Gleichstromwiderstand25 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom4.6 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Bauform7345 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom4.75 A | Sättigungsstrom @ 30%5.6 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | – | – | Gleichstromwiderstand15.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom6.6 A | Gleichstromwiderstand21 mΩ | Bauform7345 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 6.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom6.1 A | Sättigungsstrom @ 30%6.8 A | Gleichstromwiderstand29 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom5 A | Gleichstromwiderstand33.5 mΩ | Bauform4030 | – | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom8 A | Sättigungsstrom @ 30%10 A | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom7.3 A | Gleichstromwiderstand23 mΩ | Bauform5030 | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom4.9 A | Sättigungsstrom @ 30%5 A | Gleichstromwiderstand25 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom4 A | Gleichstromwiderstand40 mΩ | Bauform7345 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom4.6 A | Sättigungsstrom @ 30%5.4 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand32 mΩ | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 5.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom5.1 A | Sättigungsstrom @ 30%8.2 A | Gleichstromwiderstand39.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom6.4 A | Gleichstromwiderstand44 mΩ | Bauform4030 | VersionSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | – | – | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35.5 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Bauform7345 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 6.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom6.45 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz18.5 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom5.4 A | Gleichstromwiderstand34.5 mΩ | Bauform5030 | – | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 4.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität5.6 µH | Performance Nennstrom4.7 A | Sättigungsstrom @ 30%8.1 A | Gleichstromwiderstand46.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz21 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom6 A | Gleichstromwiderstand51 mΩ | Bauform4030 | VersionSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.2 µH | – | – | Gleichstromwiderstand25 mΩ | Eigenresonanzfrequenz31 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom4.8 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Bauform7345 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.25 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom4.25 A | Sättigungsstrom @ 30%4.1 A | Gleichstromwiderstand33 mΩ | Eigenresonanzfrequenz32 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 3.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom3.75 A | Sättigungsstrom @ 30%7.2 A | Gleichstromwiderstand69.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz19.5 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand74 mΩ | Bauform4030 | VersionSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 3.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Performance Nennstrom3.45 A | Sättigungsstrom @ 30%3.7 A | Gleichstromwiderstand47 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand53 mΩ | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 3.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Performance Nennstrom3.45 A | Sättigungsstrom @ 30%6.8 A | Gleichstromwiderstand81 mΩ | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom5.2 A | Gleichstromwiderstand86 mΩ | Bauform4030 | VersionSMT | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 4.85 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Performance Nennstrom4.85 A | Sättigungsstrom @ 30%6.6 A | Gleichstromwiderstand50 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom5 A | Gleichstromwiderstand57.5 mΩ | Bauform5030 | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom3.55 A | Sättigungsstrom @ 30%3.2 A | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom2.6 A | Gleichstromwiderstand49 mΩ | Bauform7345 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom3.5 A | Sättigungsstrom @ 30%3.2 A | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand49 mΩ | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.05 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom3.05 A | Sättigungsstrom @ 30%5.95 A | Gleichstromwiderstand100.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom4.6 A | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Bauform4030 | VersionSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | – | – | Gleichstromwiderstand37.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz23 MHz | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom3.8 A | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Bauform7345 | VersionPerformance |