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IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (106)

ReferenzdesignXCVU9P-L2FLGA2104E | Demoboard VCU118

Xilinx XCVU9P-L2FLGA2104E | Demoboard VCU118

VCU118 Evaluation Board

Details

TopologieFPGA
IC-Revision1.1

Beschreibung

The Virtex® UltraScale+™ FPGA VCU118 Evaluation Kit is the ideal development environment for evaluating the cutting edge Virtex UltraScale+ FPGAs. Virtex UltraScale+ devices provide the highest performance and integration capabilities in a FinFET node, including both the highest serial I/O and signal processing bandwidth, as well as the highest on-chip memory density.This kit is ideal for prototyping applications ranging from 1+ Tb/s networking and data center to fully integrated radar/early-warning systems.

Eigenschaften

Virtex UltraScale+ XCVU9P-L2FLGA2104 device

  • Zynq®-7000 AP SoC XC7Z010 based system controller
  • Two 2.5 GB DDR4 80-bit component memory interfaces (five [256 Mb x 16] deviceseach)
  • 288 MB 72-bit RLD3 memory interface comprised of two 1.125 Gb 36-bit devices
  • 1 Gb (128 MB) linear x16 BPI flash memory
  • USB JTAG interface using a Digilent module with separate micro-B USB connector
  • Clock sources:° Si5335A quad clock generator° Three Si570 I2C programmable LVDS clock generators° One SG5032 fixed 250 MHz LVDS clock generator° Si5328B clock multiplier and jitter attenuator for QSFP° Subminiature version A (SMA) connectors (differential)
  • 52 GTY transceivers (13 Quads)° FMC+ HSPC connector (twenty-four GTY transceivers)° 2x28 Gb/s QSFP+ connectors (eight GTY transceivers)° Samtec Firefly connector (four GTY transceiver)° PCIe 16-lane edge connector (sixteen GTY transceivers)
  • PCI Express endpoint connectivity° Gen1 16-lane (x16)° Gen2 16-lane (x16)° Gen3 8-lane (x8)
  • Ethernet PHY SGMII interface with RJ-45 connector
  • Dual USB-to-UART bridge with micro-B USB connector
  • I2C bus
  • Status LEDs
  • User I/O (4-pole DIP switch, 6 each push-button switches, 8 x LED)

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
VT(V (RMS))
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Qmin.
LR(µH)
Datenrate
PoE
Ports
Tab
Improved CMRR
Betriebstemperatur
LED
PHY-Chipmodus
Montageart
Shield Tabs
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744311022
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.22 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz290 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom36.4 A
Sättigungsstrom 115 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Verpackungseinheit1000 
–
Nenninduktivität0.18 µH
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744311068
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.68 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand3.41 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom20.9 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Verpackungseinheit1000 
–
Nenninduktivität0.52 µH
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443320068
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, –

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.68 µH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
–
Höhe9.5 mm
Breite11.4 mm
Nennstrom26 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
–
MaterialFerrite 
VersionSMT 
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Verpackungseinheit300 
–
Nenninduktivität0.66 µH
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744311100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
–
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Verpackungseinheit1000 
–
Nenninduktivität0.78 µH
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
744025001
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität1.2 µH
–
–
Sättigungsstrom3 A
–
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand42 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit550 
–
–
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74408943033
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.3 µH
–
–
Sättigungsstrom3.6 A
–
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit500 
–
–
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
74479887310A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Induktivität10 µH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
–
Gleichstromwiderstand390 mΩ
–
–
VersionSMT 
–
–
–
Verpackungseinheit3000 
Güte [1]27 
–
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
–
–
MontageartSMT 
–
–Verfügbarkeit prüfen
7499111221A
SPECWE-RJ45 LAN Übertrager, 350 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-RJ45 LAN Übertrager
Induktivität350 µH
–
–
–
–
–
–
Höhe13.9 mm
Breite16.79 mm
–
–
Prüfspannung1500 V (RMS)
–
VersionTHT 
–
–
–
Verpackungseinheit28 
–
–
Datenrate1000BASE-T 
PoEkein-PoE 
Ports1 
Tab PositionOben 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
LED (Links-Rechts)grün-grün 
PHY-Chipmoduscurrent & voltage 
MontageartTHT 
Shield TabsJa 
–Verfügbarkeit prüfen