IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (103)

Xilinx XCVU095-FFVB2104E | Demoboard VCU1287

VCU1287 Characterization Board

Details

TopologieFPGA
IC-Revision1.1

Beschreibung

The VCU1287 Characterization Kit provides everything you need to characterize and evaluate the 28 GTH (16Gbps) and 24 GTY (30Gbps) transceivers available on the Virtex UltraScale XCVU095-FFVB2104E FPGA.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
Bauform
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Montageart
Muster
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
Gleichstromwiderstand19 mΩ
Performance Nennstrom7.3 A
Bauform4020 
Sättigungsstrom 17.1 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.15 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.15 µH
Gleichstromwiderstand8.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
Gleichstromwiderstand9.46 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom11.8 A
Bauform7030 
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
Höhe2.8 mm
Breite10.6 mm
Gleichstromwiderstand7.26 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom17.4 A
Bauform1030 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
MontageartSMT 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom3.6 A
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
VersionSMT 
Bauform4838 
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.3 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 µH
Gleichstromwiderstand14.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Höhe4 mm
Breite10.2 mm
Gleichstromwiderstand15.51 mΩ
MaterialWE-PERM 
VersionSMT 
Performance Nennstrom10.9 A
Bauform1040 
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.9 µH
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
Höhe4.8 mm
Breite6.9 mm
Gleichstromwiderstand15.95 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom8.3 A
Bauform7050 
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
MontageartSMT 
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
Gleichstromwiderstand390 mΩ
VersionSMT 
Bauform1008 
MontageartSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
Höhe3.2 mm
Breite7.3 mm
Gleichstromwiderstand130 mΩ
VersionRobust 
Performance Nennstrom2.25 A
Bauform7332 
Sättigungsstrom 11.75 A
Sättigungsstrom @ 30%2.2 A
MontageartSMT