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IC-Hersteller Xilinx

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ReferenzdesignXCVU095-FFVB2104E | Demoboard VCU1287

Xilinx XCVU095-FFVB2104E | Demoboard VCU1287

VCU1287 Characterization Board

Details

TopologieFPGA
IC-Revision1.1

Beschreibung

The VCU1287 Characterization Kit provides everything you need to characterize and evaluate the 28 GTH (16Gbps) and 24 GTY (30Gbps) transceivers available on the Virtex UltraScale XCVU095-FFVB2104E FPGA.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
Bauform
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
VPE
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744373240068
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität0.68 µH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
–
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
–
Gleichstromwiderstand19 mΩ
–
–
Performance Nennstrom7.3 A
Bauform4020 
Sättigungsstrom 17.1 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Verpackungseinheit3000 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
744310115
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.15 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.15 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand8.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
–
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand9.46 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom11.8 A
Bauform7030 
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Verpackungseinheit1500 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
744323120
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.2 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
–
Höhe2.8 mm
Breite10.6 mm
–
Gleichstromwiderstand7.26 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom17.4 A
Bauform1030 
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Verpackungseinheit800 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
74408943033
SPECWE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.3 µH
–
–
Sättigungsstrom3.6 A
–
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
–
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
–
VersionSMT 
–
Bauform4838 
–
–
Verpackungseinheit500 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
7443552430
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.3 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.3 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand14.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
–
Höhe4 mm
Breite10.2 mm
–
Gleichstromwiderstand15.51 mΩ
MaterialWE-PERM 
VersionSMT 
Performance Nennstrom10.9 A
Bauform1040 
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Verpackungseinheit800 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
744314490
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.9 µH
–
–
–
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
–
Höhe4.8 mm
Breite6.9 mm
–
Gleichstromwiderstand15.95 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom8.3 A
Bauform7050 
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
Verpackungseinheit1000 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
74479887310A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Induktivität10 µH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
–
Gleichstromwiderstand390 mΩ
–
VersionSMT 
–
Bauform1008 
–
–
Verpackungseinheit3000 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen
7447789115
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität15 µH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
–
Höhe3.2 mm
Breite7.3 mm
–
Gleichstromwiderstand130 mΩ
–
VersionRobust 
Performance Nennstrom2.25 A
Bauform7332 
Sättigungsstrom 11.75 A
Sättigungsstrom @ 30%2.2 A
Verpackungseinheit1000 
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen