IC-Hersteller Xilinx

IC-Hersteller (103)

Xilinx XCKU040-2FFVA1156E | Demoboard KCU105

Details

TopologieFPGA
IC-Revision1

Beschreibung

The Kintex® UltraScale™ FPGA KCU105 Evaluation Kit is the perfect development environment for evaluating the cutting edge Kintex UltraScale All Programmable FPGAs. The Kintex UltraScale family delivers ASIC-class system-level performance, clock management, and power management for next generation systems at the right balance of price, performance and power.This kit is ideal for those prototyping for medium- to high-volume applications, such as Data Center, wireless infrastructure, and other DSP-intensive applications.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(nH)
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Typ
H(mm)
B(mm)
IR(A)
Montageart
RDC max.(mΩ)
Material
Version
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
LR(nH)
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität250 nH
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Höhe9 mm
Breite13 mm
Nennstrom47.5 A
MontageartSMT 
MaterialMnZn 
Performance Nennstrom76.6 A
Sättigungsstrom 175.6 A
Sättigungsstrom @ 30%88.5 A
Nenninduktivität245 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1000 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Höhe3.8 mm
Breite6.9 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Nenninduktivität780 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1150 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1150 nH
Gleichstromwiderstand8.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
Höhe3 mm
Breite6.9 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand9.46 mΩ
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Performance Nennstrom11.8 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Nenninduktivität1000 nH
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1200 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1200 nH
Sättigungsstrom3 A
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
Höhe2.8 mm
Breite2.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand42 mΩ
VersionSMT 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2200 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2200 nH
Sättigungsstrom4.6 A
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom3 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
VersionSMT 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3300 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3300 nH
Sättigungsstrom3.6 A
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
Höhe3.8 mm
Breite4.8 mm
Nennstrom2.6 A
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand36 mΩ
VersionSMT 
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10000 nH, 600 mA
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10000 nH
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2850 mA
Sättigungsstrom0.125 A
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
TypHoher Sättigungsstrom 
Höhe0.8 mm
Breite2 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand390 mΩ
VersionSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22000 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22000 nH
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
Höhe1.8 mm
Breite4.06 mm
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Performance Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom 11.45 A
Sättigungsstrom @ 30%2.35 A