IC-Hersteller Wolfspeed

IC-Hersteller (103)

Wolfspeed CGD12HBXMP | Demoboard ERD300DA12SA-XM3

Evaluation Gate Driver Tool Optimized for the 1200 V XM3 Module Platform

Details

TopologieInverswandler
Eingangsspannung800 V
IC-Revision1

Beschreibung

Wolfspeed’s CGD12HBXMP is a form-factor-fitting; two-channel gate driver for the 1200 V XM3 power module platform with inline gate pins. Each of the two gate drive channels is protected against over-current and reverse polarity. The on-board 2 W isolated power supplies support 80 kHz switching frequency.

Eigenschaften

  • Optimized design for Wolfspeed’s All-SiC; Low Inductance; XM3 Power Modules
  • Complete Stackup; including: Modules; Cooling; Bussing; Gate Drivers; Voltage / Current Sensors; and Controller
  • High-Frequency; Ultra-Fast Switching Operation with Ultra-Low Loss; Low Parasitic Bussing
  • Enables Compact; Lightweight Systems
  • 2x Increased Power Density Compared to a Silicon Based Inverter
  • High Efficiency Operation
  • Reduced Thermal Requirements
  • Reduced System Cost

Typische Anwendungen

  • Vehicle Traction Inverters

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IRP,40K(A)
ISAT(A)
Bauform
Version
Wicklungstyp
L(µH)
LS(nH)
IR(A)
RDC max.(mΩ)
VR(V)
VT(V (AC))
L1(µH)
L2(µH)
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
RDC1 typ(Ω)
RDC2 typ(Ω)
RDC1 max(Ω)
RDC2 max(Ω)
fres(MHz)
Typ
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6 A, 7.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Performance Nennstrom6 A
Sättigungsstrom7.4 A
Bauform1280 
VersionPerformance 
Induktivität22 µH
Nennstrom4 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Eigenresonanzfrequenz10.2 MHz
WE-UCF Stromkompensierte SMT-Entstördrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1712 
VersionSMT 
WicklungstypSektional 
Induktivität56 µH
Streuinduktivität330 nH
Nennstrom7 A
Gleichstromwiderstand4.7 mΩ
Nennspannung80 V
Prüfspannung500 V (AC)
WE-DD SMT-Doppeldrossel, –, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom8 A
Bauform1280 
Induktivität6.8 µH
Nennstrom3.2 A
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Nennstrom 13.2 A
Nennstrom 23.2 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 10.027 Ω
Gleichstromwiderstand 20.027 Ω
Gleichstromwiderstand 10.035 Ω
Gleichstromwiderstand 20.035 Ω
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
TypGekreuzt