IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments TPS65994AD | Demoboard TPS65994EVM

Dual port USB Type-C® and USB PD controller with integrated source power switches

Details

TopologieUSB
Ausgang 15 V / 3 A

Beschreibung

The TPS65994AD is a highly integrated stand-alone Dual Port USB Type-C and Power Delivery (PD) controller for PC and notebooks applications. The TPS65994AD integrates fully managed source paths with robust protection for a complete USB-C PD solution. TPS65994AD is featured on Intel and AMD’s Reference Design for PC and notebook end equipment ensuring the PD controller has proper system level interaction in these types of designs. This feature greatly reduces system design complexity and results in reduced time to market.

Eigenschaften

  • This device is certified by the USB-IF for PD3.0
  • PD3.0 silicon is required for certification of new USB PD designs
  • TID#: 3495
  • Article on PD2.0 vs. PD3.0
  • TPS65994AD is fully configurable dual port USB4 and Thunderbolt 4 (TBT4) PD3.0 controller
  • This device can be used for USB4 host and device designs
  • Supports extended industrial temperature range
  • GUI tool to easily configure TPS65994AD for various applications
  • Support for DisplayPort Source, Thunderbolt and user configurable alternate modes
  • For a more extensive selection guide and getting started information, please refer to www.ti.com/usb-c and E2E guide
  • Integrated fully managed power paths:
  • Integrated two 5-V, 3-A, 38-mΩ sourcing switches
  • UL2367 cert #: E169910
  • IEC62368-1 cert #: US-34737-M3-UL
  • Integrated robust power path protection
  • Integrated overvoltage protection, under voltage protection, reverse current protection, and adjustable current limiting for source path
  • Integrated overvoltage protection, under voltage protection and reverse current protection for sink path
  • USB Type-C Power Delivery (PD) controller
  • 10 configurable GPIOs
  • USB PD 3.0 certified
  • USB Type-C specification certified
  • Cable attach and orientation detection
  • Integrated VCONN switch
  • Integrated dead battery Rd
  • Physical layer and policy engine
  • 3.3-V LDO output for dead battery support
  • Power supply from 3.3 V or VBUS source
  • 1 I2C primary port
  • 2 I2C secondary ports

Typische Anwendungen

  • PC and notebooks, Rugged PC and laptop, Single board computer, Flat panel monitor
  • Docking station

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Montageart
Pins
L(mm)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
Farbe
Gender
Verpackung
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 470 nm, Blau
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]470 nm
Emittierte FarbeBlau 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]465 nm
Lichtstärke [typ.]145 mcd
Durchlassspannung [typ.]3.2 V
ChiptechnologieInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
VerpackungTape and Reel 
Höhe0.7 mm
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
MontageartSMT 
Länge2 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Impedanz @ 100 MHz22 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 26000 mA
Gleichstromwiderstand0.008 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom4500 mA
Impedanz @ 1 GHz40 Ω
Höhe0.9 mm
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Impedanz @ 100 MHz26 Ω
Maximale Impedanz39 Ω
Maximale Impedanz515 MHz 
Nennstrom 26500 mA
Gleichstromwiderstand0.008 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom6500 mA
Impedanz @ 1 GHz33 Ω
Höhe0.8 mm
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom10.9 A
Sättigungsstrom 13.2 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MaterialSuperflux 
MontageartSMT 
Pins
Länge7 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
Gleichstromwiderstand0.0099 Ω
Höhe4.8 mm
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom4.05 A
Sättigungsstrom 14.45 A
Sättigungsstrom @ 30%8.4 A
Eigenresonanzfrequenz49 MHz
MontageartSMT 
Pins
Länge4.45 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Gleichstromwiderstand0.061 Ω
Höhe1.8 mm
WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
Länge2.44 mm
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
FarbeSchwarz 
GenderJumper 
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartTHT 
Pins
Länge10.16 mm
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
GenderStiftleiste 
VerpackungBeutel 
TypGerade 
Nennstrom3000 mA