IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments TPS23730 | Demoboard PMP23365

Class 6 Power over Ethernet PD with 24V 2.5A active-clamp forward converter reference design

Details

TopologieLAN / POE
Eingangsspannung37-57 V
Ausgang 124 V / 3 A
IC-RevisionA

Beschreibung

This reference design implements a Power over Ethernet (PoE) power device (PD) active clamp forward converter with 24V and 2.5A output. A TPS23730 PD with integrated pulse width modulator (PWM) controller provides all the necessary functions to implement the PoE PD control and the PWM control for the active clamp forward converter. This design uses secondary side regulation (SSR) with an optocoupler feedback.

Eigenschaften

  • IEEE 802.3bt Type 3 compliant PoE PD
  • Integrated PWM controller for flyback or active clamp forward configuration
  • Frequency dithering for EMI reduction
  • Soft-start control with advanced start-up and hiccup mode overload protection
  • Soft-stop shutdown
  • Optional adapter input

Typische Anwendungen

  • Machine vision camara

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Version
Vin
VOut1(V (DC))
IOut1(A)
Vaux(V)
n
ISAT(A)
Bauform
Pins
Farbe
Gender
Verpackung
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Typ
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (RMS))
Montageart
L(µH)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 590 nm, Gelb
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]590 nm
Emittierte FarbeGelb 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]595 nm
Lichtstärke [typ.]120 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
VerpackungTape and Reel 
Höhe0.7 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionSMT 
Bauform0805 
Impedanz @ 100 MHz180 Ω
Maximale Impedanz202 Ω
Maximale Impedanz155 MHz 
Nennstrom3100 mA
Impedanz @ 1 GHz61 Ω
Höhe0.9 mm
TypHochstrom 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Performance Nennstrom6.4 A
Sättigungsstrom 16.25 A
Sättigungsstrom @ 30%7 A
Gleichstromwiderstand33.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz7.5 MHz
MaterialMnZn 
VersionSMT 
Bauform1890 
Pins
Höhe8.9 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität47 µH
WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
FarbeSchwarz 
GenderJumper 
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
WE-LAN LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionSMT 
Übersetzungsverhältnis1:1 
Pins24 
Höhe98.8 mm
Typ4PPoE (to 900 mA) 
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität350 µH
WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionForward 
Input Voltage 36 - 57 V (DC)
Ausgangsspannung 124 V (DC)
Ausgangsstrom 12.5 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis2:2:1 
Sättigungsstrom1.8 A
BauformEFD20 
Höhe11.43 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität100 µH