| Topologie | Leistungsfaktor-Korrektur |
| Eingangsspannung | 240 V |
| Ausgang 1 | 600 V |
This reference design functions from a base of silicon carbide (SiC) MOSFETs driven by a C2000™ microcontroller (MCU) with SiC-isolated gate drivers. The design implements three-phase interleaving and operates in continuous conduction mode (CCM) to achieve a 98.46% efficiency at a 240-V input voltage and 6.6-kW full power.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | C | Sicherheitsklasse | dV/dt(V/µs) | DF @ 1 kHz(%) | RISO | Raster(mm) | Verpackung | IR(A) | L(mH) | RDC max.(mΩ) | VR(V (AC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, Across the mains, 2.2 µF | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-FTX2 Folienkondensatoren | Kapazität2.2 µF | SicherheitsklasseX2 | Spannungsanstiegsgeschwindigkeit170 V/µs | Verlustfaktor0.1 % | Isolationswiderstand4.55 GΩ | Raster22.5 mm | VerpackungLose | – | – | – | Nennspannung275 V (AC) | – | – | Länge26 mm | Breite15 mm | Höhe25 mm | MontageartBoxed THT | ||||
![]() | WE-CMBNC Stromkompensierte Netzdrossel Nanokristallin, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom25 A | Induktivität2.5 mH | Gleichstromwiderstand2.2 mΩ | Nennspannung300 V (AC) | Prüfspannung2100 V (AC) | MaterialNanokristallin | Länge36 mm | Breite23 mm | Höhe34 mm | MontageartTHT | |||||
7508110162 | Offline Transformer, –, – | Simulation– | Downloads– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Offline Transformer | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – |