IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments LMG5200 | Demoboard TIDA-00909

48-V, 10-A, High-Frequency PWM, 3-Phase GaN Inverter Reference Design for High-Speed Motor Drives

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung12-60 V
Schaltfrequenz40-100 kHz
Ausgang 17 A
IC-RevisionA

Beschreibung

Low-voltage, high-speed drives and low-inductancebrushless motors require higher inverter switchingfrequencies in the range of 40 kHz to 100 kHz tominimize losses and torque ripple in the motor. TheTIDA-00909 reference design achieves this by using athree-phase inverter with three 80 V, 10-A half-bridgeGaN power modules (LMG5200) and uses shuntbasedphase-current sensing. Gallium nitride (GaN)transistors can switch much faster than silicon fieldeffecttransistors (FETs) and integrating the GaN FETand driver in the same package reduces parasiticinductances and optimizes switching performance toreduce losses, thus allowing the designer to downsizeor eliminate the heatsink. The TIDA-00909 offers a TIBoosterPack™ Plug-in Module with a compatibleinterface to connect to a C2000™ MCU LaunchPad™Development Kit for easy performance evaluation.

Eigenschaften

  • Three-Phase GaN Inverter With Wide-Input VoltageRange 12 V to 60 V and 7 ARMS per 10-A PeakOutput Current; Tested up to 100-kHz PWM
  • GaN Power Stage With Greatly-Reduced SwitchingLosses Allows High PWM Switching FrequenciesWith Peak Efficiency up to 98.5% at 100-kHz PWM
  • LMG5200 GaN Half-Bridge Power Stage SimplifiesPCB Layout and Reduces Parasitic Inductances forOptimized Switching Performance; Less than 2-nsRise and Fall Time
  • Very-Low Switch Node Voltage Overshoot andUndershoot With Very-Low 12.5-ns DeadbandMinimizes Phase-Voltage Ringing and reducesPhase-Voltage Distortions and EMI
  • Precision Shunt-Based, Phase-Current SensingWith High Accuracy (0.1%)
  • TI BoosterPack™ Compatible Interface With 3.3-VI/O for Easy Performance Evaluation With C2000™MCU LaunchPad™ Development Kit

Typische Anwendungen

  • Servo Drives and Motion Control,Manufacturing Robots,Service Robots,Non-Military Drones
  • Computer Numerical Control (CNC) Drives

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
IR,40K(A)
IRP,40K(A)
fres(MHz)
Version
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Pins
PCB/Kabel/Panel
Modularity
Wire Section
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 525 nm, Grün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]525 nm
Emittierte FarbeGrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]515 nm
Lichtstärke [typ.]430 mcd
Durchlassspannung [typ.]3.2 V
ChiptechnologieInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
VerpackungTape and Reel 
Höhe0.7 mm
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz300 Ω
Maximale Impedanz400 Ω
Maximale Impedanz380 MHz 
Nennstrom 2700 mA
Gleichstromwiderstand0.8 Ω
TypBreitband 
Nennstrom200 mA
Impedanz @ 1 GHz316 Ω
Höhe0.5 mm
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1612 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge4.06 mm
Breite3.05 mm
Pad Dimension0.89 mm
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz56 Ω
Maximale Impedanz90 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 210000 mA
Gleichstromwiderstand0.004 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom10000 mA
Impedanz @ 1 GHz90 Ω
Höhe2.28 mm
WE-PD Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1210 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge12 mm
Breite12 mm
Induktivität470 µH
Sättigungsstrom 11.5 A
Sättigungsstrom @ 30%1.85 A
Nennstrom1.4 A
Performance Nennstrom1.45 A
Eigenresonanzfrequenz1.8 MHz
VersionGestanzt 
Gleichstromwiderstand0.56 Ω
Nennstrom1400 mA
Höhe10 mm
Pins
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität2.2 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
WR-TBL Serie 352 - 5.08 mm Horizontal with Hook on Wire Side, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Länge10.16 mm
VerpackungKarton 
TypHorizontal 
Nennstrom17000 mA
Pins
PCB/Kabel/PanelKabel 
ModularityNein 
Wire Section 12 to 24 (AWG) 3.31 to 0.205 (mm²)