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ReferenzdesignLMG3522R030 | Demoboard PMP41078

Texas Instruments LMG3522R030 | Demoboard PMP41078

High-voltage to low-voltage DC-DC converter reference design with GaN HEMT

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung200-450 V
Ausgang 116 V / 250 A
IC-Revision1

Beschreibung

This reference design describes a 3.5kW highvoltage to low-voltage DC-DC converter with 650V Gallium nitride (GaN) high-electron mobility transistors (HEMT). Using LMG3522R030 as primary switches makes the converter work at a high switching frequency. In this design, the converter uses a smaller size transformer. To ease the thermal performance of active clamping metal-oxide semiconductor fieldeffect transistors (MOSFETs), the converter uses twochannel active clamping circuits.

Eigenschaften

  • GaN based phase-shifted full-bridge (PSFB) using LMG3522 and controlled using C29 microcontroller unit (MCU)
  • 200kHz switching frequency, magnetic size is 35% less than 100kHz
  • 95.48% at 200kHz, 400V Vin, 13.5V Vout, about 1kW
  • Dual active clamping circuits for high-frequency scenario and low synchronous rectifier (SR) MOSFET voltage stress
  • Light load efficiency optimization promotes maximum 5% efficiency

Typische Anwendungen

  • Automotive DCDC converter

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
VT(V (AC))
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
Montageart
Vin
VOut1(V (DC))
IOut1(mA)
Isolierungstyp
fswitch(kHz)
∫Udt(Vµs)
NPRI : NSEC
L(mm)
B(mm)
H(mm)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744316220
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2.2 µH
–
Performance Nennstrom9.2 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.5 A
Gleichstromwiderstand11.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–
Gleichstromwiderstand12.43 mΩ
MontageartSMT 
–
–
–
–
–
–
–
Länge5.5 mm
Breite5.3 mm
Höhe4 mm
–Verfügbarkeit prüfen
74439346047
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität4.7 µH
–
Performance Nennstrom9.6 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand13 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
–
Verpackungseinheit700 
Gleichstromwiderstand13 mΩ
Gleichstromwiderstand14.3 mΩ
MontageartSMT 
–
–
–
–
–
–
–
Länge6.65 mm
Breite6.45 mm
Höhe6.1 mm
–Verfügbarkeit prüfen
750319691
SPECWE-PPTI Push-Pull Transformers, 100 µH, 2500 V (AC)
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PPTI Push-Pull Transformers
Induktivität100 µH
Prüfspannung2500 V (AC)
–
–
–
–
–
–
–
–
–
MontageartSMT 
Input Voltage 12 V (DC)
Ausgangsspannung 112 V (DC)
Ausgangsstrom 1500 mA
IsolierungstypFunktional 
Switching Frequency 400 - 600
Spannung-µSekunde18 Vµs
Übersetzungsverhältnis1:1.14 
Länge8.5 mm
Breite13.12 mm
Höhe5.5 mm
–Verfügbarkeit prüfen
760390014
SPECWE-PPTI Push-Pull Transformers, 475 µH, 2500 V (AC)
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PPTI Push-Pull Transformers
Induktivität475 µH
Prüfspannung2500 V (AC)
–
–
–
–
–
–
–
–
–
MontageartSMT 
Input Voltage 5 V (DC)
Ausgangsspannung 15 V (DC)
Ausgangsstrom 1600 mA
IsolierungstypFunktional 
Switching Frequency 300 - 620
Spannung-µSekunde11 Vµs
Übersetzungsverhältnis1:1.3 
Länge6.73 mm
Breite10.2 mm
Höhe4.19 mm
–Verfügbarkeit prüfen