IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments LM25180-Q1 | Demoboard LM5180EVM-DUAL

Automotive 42-VIN no-opto flyback converter with 65-V, 1.5-A integrated MOSFET

Details

TopologieSperrwandler
Eingangsspannung4.5-65 V
Schaltfrequenz4.5 kHz
Ausgang 115 V / 1.5 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LM5180EVM-DUAL evaluation module (EVM) is designed to showcase the performance of the LM5180 PSR flyback converter with wide input voltage range. The design is packaged in a miniature footprint with low component count. It operates over a wide input voltage range of 10 V to 65 V to deliver a 15-V and -7.7-V outputs at currents up to 200 mA. Operating without an auxilary winding or opto-coupler, the LM5180 provides very tight output voltage regulation, better than 1%. The LM5180 offers a full suite of protection features to ensure protection of the regulator during fault conditions. These include undervoltage lockout to ensure proper operation duing voltage-sag conditions, programmable soft-start to reduce inrsuh current, hiccup-mode overcurrent protection and thermal shutdown. Precision enable and output voltage thermal compensation features are also provided.

Eigenschaften

10-V to 65-V input voltage range15-V and -7.7-V output voltagesRated for up to 200 mA of load currentResistor divider to EN/UVLO to faciltate programmable input voltage UVLOFully assembled, tested and proven PCB layout with small footprint

Typische Anwendungen

  • Isolated bias power rails
  • Automotive body electronics
  • Automotive power train systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
n
IR 1(mA)
ISAT(A)
RDC1 max.(Ω)
LS(nH)
VT(V (DC))
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), 100 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung6.3 V (DC)
Bauform1210 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.001 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite2.5 mm
Höhe2.5 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge2 mm
Breite1.2 mm
Höhe0.9 mm
Pad Dimension0.5 mm
MontageartSMT 
Nennstrom [1]6000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.008 Ω
Impedanz @ 100 MHz22 Ω
Maximale Impedanz40 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 26000 mA
Gleichstromwiderstand0.008 Ω
TypHochstrom 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform4030 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge4.3 mm
Breite4.3 mm
Höhe3.1 mm
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom5.1 A
Sättigungsstrom @ 30%8.2 A
Gleichstromwiderstand39.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom6.4 A
Gleichstromwiderstand0.044 Ω
WE-FLYTI MID-FLYTI Flyback Transformers for Texas Instruments, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BauformEP7 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge9.78 mm
Breite9.5 mm
Höhe10.54 mm
Induktivität7 µH
MontageartSMT 
Input Voltage 15 - 42 V (DC)
Ausgangsspannung 112 V
Ausgangsstrom 11 A
Übersetzungsverhältnis1:1 
Sättigungsstrom6.4 A
Streuinduktivität250 nH
Prüfspannung1500 V (DC)