IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics STWBC-MC | Demoboard STEVAL-ISB047V1

Qi 3-coil 15W wireless charger TX evaluation kit based on STWBC-MC

Details

TopologieDrahtlose Energieübertragung
Eingangsspannung5-20 V
IC-Revision1

Beschreibung

The STEVAL-ISB047V1 wireless battery charger TX evaluation kit consists of the STEVAL-ISB047V1T evaluation board and STEVAL-WBCDNGV1 USB-UART dongle. The kit id designed for charging devices such as smartphones or tablets where high power levels are required.The evaluation board supports wireless battery charging of Qi-compliant devices up to 15 W. It also supports proprietary fast charging modes up to 10 W.The STEVAL-ISB047V1 transmitter is based on the STWBC-MC and features a costeffective half bridge topology, offering external interface via UART.The STEVAL-ISB047V1 evaluation kit is a full solution, complete with boards, firmware, a GUI for debugging, schematics, layout files and bill of materials.Tools for STEVAL-ISB047V1 are available on www.st.com, and allow users to access runtime information such as power delivered, regulation error and protocol status. Parameters can also be adjusted with these tools.

Eigenschaften

  • STWBC-MC digital controller
  • MP-A15 3-coil array
  • 15 W potential power
  • Flexible input voltage: 5 to 20 V from USB-C or DC jack
  • 5 W mode when connected to 5 V USB input or DC jack
  • Fixed frequency operation
  • WPC Qi1.2.4 standard certified
  • Robust demodulation algorithm, with triple path (V, I, f)
  • Foreign object detection (FOD)
  • Active presence detection
  • UART protocol to control and monitor the system
  • Complete reference design (evaluation board, schematics, PCB layout, firmware and tools)
  • 2-layer PCB
  • Low standby power consumption
  • Flash memory based
  • CE certified
  • RoHS compliant
  • WEEE compliant

Typische Anwendungen

  • Cell phones and smartphones / Tablets and phablets / Charging accessories

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
VR(V (DC))
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
Interface typ
Ausführung
Gender
Pins
Montageart
Leiterplattendicke(mm)
Arbeitsspannung(V (AC))
G(mm)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
L1(µH)
L2(µH)
IR 1(mA)
ISAT 1(A)
RDC1 typ(Ω)
RDC2 typ(Ω)
RDC1 max(Ω)
RDC2 max(Ω)
fres(MHz)
Compliance
Bauform
L1(µH)
L2(µH)
L3(µH)
IR DC1(A)
IR DC2(A)
IR DC3(A)
RDC1 max.(Ω)
RDC2 max.(mΩ)
RDC3 max.(mΩ)
fres 1(MHz)
fres 2(MHz)
fres 3(MHz)
P(W)
Muster
WL-SMSW SMT Mono-color Side View Waterclear, 573 nm, Hellgrün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]573 nm
FarbeHellgrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]575 nm
Lichtstärke [typ.]50 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge3.2 mm
Breite1.5 mm
Höhe1 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Bauform1204 
WL-SMSW SMT Mono-color Side View Waterclear, 624 nm, Rot
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]624 nm
FarbeRot 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]632 nm
Lichtstärke [typ.]130 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 °
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge3.2 mm
Breite1.5 mm
Höhe1 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Bauform1204 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom500 mA
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz120 Ω
Maximale Impedanz200 Ω
Maximale Impedanz510 MHz 
Nennstrom 21350 mA
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
TypBreitband 
Nennstrom 1500 mA
Bauform0603 
Gleichstromwiderstand [1]0.3 Ω
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge5 mm
Breite5 mm
Höhe4 mm
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3800 mA
Sättigungsstrom5.3 A
Gleichstromwiderstand19 mΩ
MontageartSMT 
Eigenresonanzfrequenz77 MHz
Bauform5040 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge12.5 mm
Breite12.5 mm
Höhe6.5 mm
Induktivität4.7 µH
Nennstrom3000 mA
Sättigungsstrom8 A
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand0.028 Ω
TypGekreuzt 
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Nennstrom 13000 mA
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 10.023 Ω
Gleichstromwiderstand 20.023 Ω
Gleichstromwiderstand 10.028 Ω
Gleichstromwiderstand 20.028 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
Bauform1260 
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.01 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1.6 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Bauform1206 
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.005 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite2.5 mm
Höhe2.5 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Bauform1210 
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge50.8 mm
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
GenderStiftleiste 
Pins20 
MontageartTHT 
Arbeitsspannung250 V (AC)
TypGerade 
WR-USB Mini/Micro Connectors, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungTape and Reel 
Nennstrom3000 mA
Interface typType B 
AusführungMit Pegs- High Current 
GenderBuchse 
Pins
MontageartSMT 
Arbeitsspannung30 V (AC)
TypHorizontal 
WR-USB Type C Connectors, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungTape and Reel 
Nennstrom5000 mA
Interface typType C 
GenderBuchse 
Pins24 
MontageartTHR 
Leiterplattendicke1.6 mm
Arbeitsspannung48 V (AC)
Pin Länge1.9 mm
TypHorizontal 
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge7.62 mm
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
GenderStiftleiste 
Pins
MontageartTHT 
Arbeitsspannung250 V (AC)
TypGerade 
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge10.16 mm
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
GenderStiftleiste 
Pins
MontageartTHT 
Arbeitsspannung250 V (AC)
TypGerade 
WR-USB Standard Connectors, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungTray 
Nennstrom1500 mA
Interface typType A 
GenderBuchse 
Pins
MontageartTHT 
Arbeitsspannung30 V (AC)
TypHorizontal 
WE-WPCC Wireless Power Array, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -20 °C up to +105 °C
Länge100 mm
Breite55 mm
Höhe5.2 mm
MontageartTHT 
Sättigungsstrom [1]18 A
ComplianceMP-A8 3-coil array 
Bauform100 x 55 x 5.2 mm 
Induktivität [1]8.5 µH
Induktivität [2]7.5 µH
Induktivität [3]8.5 µH
Nennstrom DC [1]9 A
Nennstrom DC [2]10 A
Nennstrom DC [3]9 A
Gleichstromwiderstand [1]0.056 Ω
Gleichstromwiderstand [2]56 mΩ
Gleichstromwiderstand [3]56 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]11 MHz
Eigenresonanzfrequenz [2]11 MHz
Eigenresonanzfrequenz [3]11 MHz
Leistungsvermögen [1]150 W