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IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignSTM32WBA65RIV7 | Demoboard NUCLEO-WBA65RI

STMicroelectronics STM32WBA65RIV7 | Demoboard NUCLEO-WBA65RI

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1.0

Beschreibung

NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA52CG, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI are Bluetooth® LE wireless and ultralow-power boards embedding a powerful and ultralow-power radio compliant with the Bluetooth® LE SIG specification, IEEE 802.15.4-2015 PHY and MAC, supporting Thread, Matter, and Zigbee®.The ARDUINO® Uno V3 connectivity support and the ST morpho headers allow the easy expansion of the functionality of the STM32 Nucleo open development platform with a wide choice of specialized shields.

Eigenschaften

Ultralow-power wireless STM32WBA series microcontroller based on the Arm® Cortex®‑M33 core, featuring:512 Kbytes of flash memory and 96 Kbytes of SRAM in a UFQFPN48 package for NUCLEO-WBA25CE11 Mbyte of flash memory and 128 Kbytes of SRAM in a UFQFPN48 package for NUCLEO-WBA52CG and NUCLEO-WBA55CG2 Mbytes of flash memory and 512 Kbytes of SRAM in a VFQFPN68 package for NUCLEO-WBA65RIMCU RF board (MB1863/MB1803/MB2130/MB2293):2.4 GHz RF transceiver supporting Bluetooth® specification v6.0IEEE 802.15.4-2015 PHY and MAC, supporting Thread, Matter, and Zigbee® (for NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI)Integrated PCB antennaThree user LEDsThree user and one reset push-buttons8-pin SOP Quad-SPI NOR flash memory footprint (for NUCLEO-WBA25CE1)Board connectors:USB Micro-B (NUCLEO-WBA52CG) or USB Type-C® (NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI)ARDUINO® Uno V3 expansion connectorST morpho headers for full access to all STM32 I/OsFlexible power-supply options: ST-LINK USB VBUS or external sourcesOn-board STLINK-V3 debugger/programmer with USB re-enumeration capability: mass storage, Virtual COM port, and debug portComprehensive free software libraries and examples available with the STM32CubeWBA MCU PackageSupport of a wide choice of Integrated Development Environments (IDEs) including IAR Embedded Workbench®, MDK-ARM, and STM32CubeIDE

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
Anwendung
f
Tol. f
Stabilität(ppm)
Cload(pF)
Betriebstemperatur
L(µH)
IR 1(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
H(mm)
B(mm)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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830108161301
SPECWE-XTAL Schwingquarz, Processor, Bluetooth, 32 MHz
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads6 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XTAL Schwingquarz
AnwendungProcessor, Bluetooth 
Frequenz32 MHz
Frequenz±10ppm 
Stabilität20 ppm
Belastungskapazität8 pF
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
–
–
–
–
–
Höhe0.4 mm
Breite1.2 mm
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
830107088501
SPECWE-XTAL Uhrenquarze, Real Time Clock, 32.768 kHz
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads6 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-XTAL Uhrenquarze
AnwendungReal Time Clock 
Frequenz32.768 kHz
Frequenz±20ppm 
–
Belastungskapazität6 pF
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
–
–
–
–
–
Höhe0.5 mm
Breite1 mm
–
–
–
–
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
742792608
SPECWE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
–
Nennstrom 1500 mA
–
–
–
Höhe0.8 mm
Breite0.8 mm
Impedanz @ 100 MHz47 Ω
Maximale Impedanz75 Ω
Maximale Impedanz1000 MHz 
Nennstrom 21300 mA
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
TypHochgeschwindigkeit 
–Verfügbarkeit prüfen
74479775222A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Induktivität2.2 µH
Nennstrom 1700 mA
Sättigungsstrom700 mA
Gleichstromwiderstand200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Höhe1 mm
Breite1.2 mm
–
–
–
Nennstrom 21000 mA
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
TypLow RDC 
–Verfügbarkeit prüfen
744784015A
SPEC–, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads4 Dateien

RF & Microwave Simulationsmodelle

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie –
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -55 up to +125
Induktivität0.0015 µH
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
–
–Verfügbarkeit prüfen
744784110A
SPEC–, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads4 Dateien

RF & Microwave Simulationsmodelle

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie –
–
–
–
–
–
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Induktivität0.01 µH
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
–
–
–
–
Gleichstromwiderstand0.4 Ω
–
–Verfügbarkeit prüfen