IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics STDRIVEG611 | Demoboard EVSTDRVG611MC

Details

TopologieInverswandler
Eingangsspannung230 V
IC-Revision1.0

Beschreibung

The EVSTDRVG611MC is a three-phase inverter based on the STDRIVEG611 half-bridge GaN gate driver, 75 mΩ 650 V e-mode HEMT GaN SGT120R65AL, and the high-performance STM32G431RBT3 with Arm Cortex®-M4 MCU at 170 MHz.The board can be used for sensorless field-oriented control (FOC), allowing driving permanent magnet synchronous motors (PMSMs) and brushless DC (BLDC) motors to cover a wide range of applications, such as refrigerator compressors, pumps, fans, and industrial appliances.The EVSTDRVG611MC is 109 x 110 mm wide, 2 layers, 2 Oz, FR-4 PCB, resulting in overall 8.5 °C/W Rth(J‑A) (equivalent to 50°C/W for each GaN) in still air.

Eigenschaften

Three-phase topology featuring the STDRIVEG611 GaN gate driver75 mΩ typ., 650 V e-mode HEMT GaN SGT120R65AL in PowerFLAT 5x6 HV package with Kelvin sourceSTM32G431RBT3 microcontroller for high analog integration3-shunt topology for sensorless field-oriented control (FOC)230 V AC mains line input filter and rectifierTypical power up to 600 W, 40 kHzTuned at 10 V/ns dV/dt for EMI and motor reliabilityInterfaces: UART, encoder, Hall position sensors, SWDShunt amplifiers integrated in STM32G4Overcurrent protection

Typische Anwendungen

  • driving permanent magnet synchronous motors (PMSMs) and brushless DC (BLDC) motors (refrigerator compressors, pumps, fans, and industrial appliances)

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Brennbarkeitsklasse
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
IR(A)
L(µH)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
VRMS(V)
VDC(V)
VBR(V)
IPeak(A)
Wmax(J)
PDiss(W)
VDE-Zulassung
Muster
WE-PD HV SMT Speicherdrossel (High Voltage), 0.65 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom0.65 A
Eigenresonanzfrequenz0.8 MHz
Gleichstromwiderstand3700 mΩ
Nennstrom0.43 A
Induktivität2200 µH
Länge12 mm
Breite12 mm
Höhe10.5 mm
MontageartSMT 
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.04 A, 89 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom1.04 A
Gleichstromwiderstand89 mΩ
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
Nennstrom1.76 A
Induktivität10 µH
Länge4 mm
Breite4 mm
Höhe2.5 mm
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Impedanz @ 100 MHz1000 Ω
Maximale Impedanz1050 Ω
Maximale Impedanz120 MHz 
Nennstrom 2830 mA
Gleichstromwiderstand300 mΩ
TypBreitband 
Nennstrom0.6 A
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
MontageartSMT 
WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Gleichstromwiderstand13 mΩ
Nennstrom6 A
Induktivität1000 µH
Nennspannung250 V (AC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialMnZn 
Länge25 mm
Breite17 mm
Höhe26.5 mm
MontageartTHT 
VDE-Zulassung40042670 
WE-VD Disk Varistor, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge9 mm
Breite3.9 mm
Höhe12.5 mm
MontageartTHT 
Wechselstrom Betriebsspannung275 V
DC Betriebsspannung350 V
(Rückwärts-) Durchbruchspannung430 V
(Reverse) Peak Pulse Current1200 A
Energieabsorption33 J
Verlustleistung0.25 W
VDE-ZulassungJa 
WE-FI Funkentstördrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Gleichstromwiderstand42 mΩ
Nennstrom5.4 A
Induktivität150 µH
Länge26 mm
Breite13 mm
MontageartTHT 
WA-SCRW Linsenkopfschraube M3 mit Kreuzschlitz, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BrennbarkeitsklasseUL94 V-2 
MaterialNylon 66 
Länge6 mm